第12章-集成逻辑门电路课件.ppt
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- 12 集成 逻辑 门电路 课件
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1、一.按采用的半导体器件分类:1.按采用的半导体器件分按采用的半导体器件分I2L电路:集成注入逻辑门CMOS电路NMOS电路PMOS电路ECL电路:射极耦合逻辑门HTL电路TTL电路:晶体管晶体管逻辑门MOS型集成电路双极型集成电路数字集成电路的分类数字集成电路的分类二.按集成度(单个芯片所含门的个数)区分:1.小规模集成电路SSI(Small Scale Integration,100门以下/片)2.中规模集成电路MSI(Medium Scale Integration,100999门/片)3.大规模集成电路LSI(Large Scale Integration,100099999门/片)4.
2、超大规模集成电路VLSI(ery Large Scale Integration,10万门以上/片)三.按数字系统设计方法分类:1.通用型中规模(MSI),小规模(SSI)集成逻辑件。2.由软件组态的大规模(LSI),超大规模(VLSI)集成 逻辑器件,如微处理器、单片机、通用和专用数字信号处理器等。3.专用集成电路(ASIC)全定制半定制PLDPROMPLAPALGALCPLDFPGA2022-12-164 2022-12-165 数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。导通状态:相当于开关闭合截止状态:相当于开关断开。逻辑变量两状态开关:在逻辑代数中逻辑变量有两种取值:0和
3、1;电子开关有两种状态:闭合、断开。半导体二极管、三极管和MOS管,则是构成这种电子开关的基本开关元件。2022-12-166(1)静态特性:断开时,开关两端的电压不管多大,等效电阻ROFF=无穷,电流IOFF=0。闭合时,流过其中的电流不管多大,等效电阻RON=0,电压UAK=0。(2)动态特性:开通时间 ton=0 关断时间 toff=0 理想开关的开关特性:2022-12-167客观世界中,没有理想开关。乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时,其静态特性不如机
4、械开关,但动态特性很好。2022-12-168静态特性及开关等效电路正向导通时UD(ON)0.7V(硅)0.3V(锗)RD几 几十相当于开关闭合 图2-1 二极管的伏安特性曲线二极管静态特性是指二极管处于导通和截至两种稳定状态下的特性。2022-12-169反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大(约几百k)相当于开关断开图2-1 二极管的伏安特性曲线2022-12-1610图2-2 二极管的开关等效电路(a)导通时 (b)截止时图2-1 二极管的伏安特性曲线开启电压理想化伏安特性曲线2022-12-16112.动态特性:动态特性是指二极管在导通与截至两种状态转换过程中的特性,它表现为完成两种状
5、态之间的转换需要一定的时间。开通时间:从反向截止变为正向导通所需要的时间。反向恢复时间tre:二极管从正向导通到反向截止所需的时间。一般反向恢复时间比开通时间大得多。tre一般为纳秒数量级(通常tre 5ns)。2022-12-16121.静态特性及开关等效电路在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。图2-3三极管的三种工作状态(a)电路 (b)输出特性曲线2022-12-1613开关等效电路(1)截止状态 条件:发射结和集电结均反偏特点:电流约为0 2022-12-1614(2)饱和状态条件:发射结正偏,集电结正偏特点:UBES=0.7
6、V,UCES=0.3V/硅2022-12-1615图2-4三极管开关等效电路(a)截止时(b)饱和时2022-12-16162.三极管的开关时间(动态特性)图2-5 三极管的开关时间 开启时间ton 上升时间tr延迟时间td关闭时间toff下降时间tf存储时间ts2022-12-1617(1)开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。ton=td+tr td:延迟时间 tr:上升时间(2)关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。toff=ts+tf ts:存储时间(几个参数中最长的;饱和越深越长)tf:下降时间toff ton。开关时间一般在纳秒数量级。2022-12-1618门电
7、路的概念:实现基本和常用逻辑运算的电子电路,叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等。分立元件门电路和集成门电路:分立元件门电路:用分立的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低,负载差。集成门电路:把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门电路。2022-12-1619电路工作原理A、B为输入信号 (高电平+3V或低电平0V)F 为输出信号 VCC+5V表2-1电路输入与输出电压的关系ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7
8、V2022-12-1620用逻辑1 1表示高电平(此例为+2.3V+2.3V)用逻辑0 0表示低电平(此例为0.7V0.7V)ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V3.逻辑赋值并规定高低电平4.真值表ABF000010100111表2-2 二极管与门的真值表A A、B B全1,F F才为1。可见实现了与逻辑2022-12-1621逻辑符号工作波形(又一种表示逻辑功能的方法)逻辑表达式FA B图2-6 二极管与门(a)电路(b)逻辑符号(c)工作波形2022-12-1622电路工作原理电路输入与输出电压的关系ABF0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3
9、V2.3VA、B为输入信号 (+3V或0V)F为输出信号 2022-12-16234.真值表ABF0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3V可见实现了或逻辑3.逻辑赋值并规定高低电平用逻辑1 1表示高电平(此例为+2.3V+2.3V)用逻辑0 0表示低电平(此例为0V0V)ABF000011101111A A、B B有1,F F就1。表2-2 二极管或门的真值表2022-12-1624图2-7 二极管或门(a)电路(b)逻辑符号(c)工作波形逻辑符号工作波形逻辑表达式FA+B2022-12-1625 电位指绝对电压的大小;电平指一定的电压范围。高电平和低电平:在数字电路中分别
10、表示两段电压范围。例:上面二极管与门电路中规定高电平为2.3V,低电平0.7V。又如,TTL电路中,通常规定高电平的额定值为3V,但从2V到5V都算高电平;低电平的额定值为0.3V,但从0V到0.8V都算作低电平。关于高低电平的概念 2022-12-16262.逻辑状态赋值 在数字电路中,用逻辑0和逻辑1分别表示输入、输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表,便于进行逻辑分析。2022-12-1627图2-8 非门(a)电路 (b)逻辑符号电路工作原理A、B为输入信号 (+3V或0V)F为输出信号 AF0V+3V3V0.3V2022-12-16283.逻辑
11、赋值并规定高低电平用逻辑1 1表示高电平(此例为+2.3V+2.3V)用逻辑0 0表示低电平(此例为0.7V0.7V)4.真值表AF0V+3V3V0VAF0110表2-4 三极管非门的真值表A与F相反可见实现了非逻辑Y=A2022-12-1629正逻辑体系:用1表示高电平,用0表示低电平。负逻辑体系:用1表示低电平,用0表示高电平。正负逻辑的规定 正负逻辑的转换对于同一个门电路,可以采用正逻辑,也可以采用负逻辑。本书若无特殊说明,一律采用正逻辑体制。同一个门电路,对正、负逻辑而言,其逻辑功能是不同的。2022-12-1630ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V
12、正与门相当于负或门二极管与门电路用正逻辑ABF000010100111正与门用负逻辑负或门ABF1111010110002022-12-163112.3.6 TTL12.3.6 TTL集成逻辑门电集成逻辑门电路路输入级由多发射极晶体输入级由多发射极晶体管管T1和基极电阻和基极电阻R1组成,组成,它实现了输入变量它实现了输入变量A、B、C的与运算的与运算输出级:由输出级:由T3、T4、T5和和R4、R5组成组成其中其中T3、T4构成复合管,与构成复合管,与T5组成推组成推拉式输出结构。具有较强的负载能力拉式输出结构。具有较强的负载能力中间级由中间级由T2、R2和和R3组成,组成,T2的集电极的集
13、电极C2和发射极和发射极E2可可以分提供两个相位相反的电以分提供两个相位相反的电压信号压信号2022-12-16321 TTL1 TTL与非门工作原理与非门工作原理 输入端至少有一个输入端至少有一个接低电平接低电平0.3V3.6V3.6V1V3.6VT T1 1管管:A:A端发射结导通,端发射结导通,V Vb1b1=V=VA A+V+Vbe1be1=1V=1V,其它发射结均因反偏其它发射结均因反偏而截止而截止.OHC2be3be4 VVVV 5-0.7-0.7=3.6VV Vb1b1=1V,=1V,所以所以T T2 2、T T5 5截止截止,V,VC2C2Vcc=5V,Vcc=5V,T T3
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