真空计-逢甲大学材料系课件.ppt

1、奈米科技教學改進計畫奈米科技教學改進計畫數位化網路自我學習練習題數位化網路自我學習練習題微電薄膜之生長及分析實驗單元微電薄膜之生長及分析實驗單元 第一單元第一單元:真空技術與實務操作真空技術與實務操作逢甲大學材料科學與工程學系編製逢甲大學材料科學與工程學系編製1.()何謂真空的定義？何謂真空的定義？(A)容器內的壓容器內的壓力低於一大氣壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任容器中沒有任何的氣體何的氣體(C)容器中氣體密度小於容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.1.(A)何謂真空的定義？何謂真空的定義？(A)容器內的壓容器內的壓力低於一大氣壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任容器中沒有

2、任何的氣體何的氣體(C)容器中氣體密度小於容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.2.()真空可以真空度來區分為真空可以真空度來區分為(何者為非何者為非)：(A)粗略真空粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa)(B)高度真空高度真空(110-6 Pa 1 10-9 Pa)(C)超高真空超高真空(110-4 Pa 110-6 Pa)2.(B)真空可以真空度來區分為真空可以真空度來區分為(何者為非何者為非)：(A)粗略真空粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa)(B)高度真空高度真空(110-6 Pa 1 10-9 Pa)(C)超高真空超高真空(110-4 Pa 110-6

3、 Pa)3.()下列敘述何者為非？下列敘述何者為非？(A)真空室是完真空室是完全一個密閉的空間全一個密閉的空間(B)真空計是用來真空計是用來偵測真空度偵測真空度(C)派藍尼真空計常被使派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空用在偵測超高真空3.(B)下列敘述何者為非？下列敘述何者為非？(A)真空室是完真空室是完全一個密閉的空間全一個密閉的空間(B)真空計是用來真空計是用來偵測真空度偵測真空度(C)派藍尼真空計常被使派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空用在偵測超高真空4.()真空計的分類可用以下哪幾種方式區真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？分？(A)量測範圍量測範圍(B)量測方法量測方法(C)以上皆是

4、以上皆是(D)以上皆非以上皆非4.(C)真空計的分類可用以下哪幾種方式區真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？分？(A)量測範圍量測範圍(B)量測方法量測方法(C)以上皆是以上皆是(D)以上皆非以上皆非5.()如何選擇真空計：如何選擇真空計：(A)依照當日天氣依照當日天氣 (B)依照系統所需真空度依照系統所需真空度(C)依照個依照個人喜好選擇人喜好選擇5.(B)如何選擇真空計：如何選擇真空計：(A)依照當日天氣依照當日天氣 (B)依照系統所需真空度依照系統所需真空度(C)依照個依照個人喜好選擇人喜好選擇6.()以下何者為非：以下何者為非：(A)粗略真空粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa

5、(B)中度真空中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa(C)高度真空高度真空110 Pa-1 110-4 Pa(D)超高真空超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa6.(D)以下何者為非：以下何者為非：(A)粗略真空粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa(B)中度真空中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa(C)高度真空高度真空110-1Pa 110-4 Pa(D)超高真空超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa7.()目前最常用的真空單位：目前最常用的真空單位：(A)Pascal(B)Torr(C)mbar(D)atm7.(A)目前最常用的真空單位：目前最常用的真空單位：(

6、A)Pascal(B)Torr(C)mbar(D)atm8.()下列何者非等值換算單位下列何者非等值換算單位(A)1 atm(B)760 torr(C)750 mbar 8.(C)下列何者非等值換算單位下列何者非等值換算單位(A)1 atm(B)760 torr(C)750mbar9.()下列何者非真空計下列何者非真空計(A)派藍尼真空計派藍尼真空計(B)熱陰極真空計熱陰極真空計(C)TA真空計真空計9.(C)下列何者非真空計？下列何者非真空計？(A)派藍尼真空派藍尼真空計計(B)熱陰極真空計熱陰極真空計(C)TA真空計真空計10.()以下何者為是以下何者為是：(A)真空系統是指真空系統是指幫

7、浦的串連幫浦的串連(B)真空系統是一完善系真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度統不需要加裝真空計辨識真空度(C)真空計在真空系統中是辨識真空度的真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標重要指標10.(C)以下何者為是以下何者為是：(A)真空系統是指真空系統是指幫浦的串連幫浦的串連(B)真空系統是一完善系真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度統不需要加裝真空計辨識真空度(C)真空計在真空系統中是辨識真空度的真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標重要指標11.()真空系統如何選用幫浦真空系統如何選用幫浦(下列何者為下列何者為是是)?(A)所能達到之最高壓力(high Press

8、ure)(B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range)(C)抽氣速率大小(Pumping Speed)11.(A)真空系統如何選用幫浦真空系統如何選用幫浦(下列何者為下列何者為是是)?(A)所能達到之最高壓力(high Pressure)(B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range)(C)抽氣速率大小(Pumping Speed)12.()下列何者不是真空系統選用幫浦所需下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？考慮的準則？(A)抽氣速率大小(Pumping Speed)(B)排氣口壓力(Exhaust Pressure)(C)無無效之壓力範圍(Pressure Rang

9、e)12.(C)下列何者不是真空系統選用幫浦所需下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？考慮的準則？(A)抽氣速率大小(Pumping Speed)(B)排氣口壓力(Exhaust Pressure)(C)無無效之壓力範圍(Pressure Range).13.()下列何者為真空系統所需俱備的必要下列何者為真空系統所需俱備的必要項目項目？(A)幫浦幫浦(B)真空計真空計(C)腔體腔體(D)以上皆是以上皆是 13.(D)下列何者為真空系統所需俱備的必要下列何者為真空系統所需俱備的必要項目項目？(A)幫浦幫浦(B)真空計真空計(C)腔體腔體(D)以上皆是以上皆是14.()下列何者為儲氣式幫浦？

10、下列何者為儲氣式幫浦？(A)活塞式活塞式幫浦幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦14.(C)下列何者為儲氣式幫浦？下列何者為儲氣式幫浦？(A)活塞式活塞式幫浦幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦15.()真空幫浦在真空系統中的主要作用為：真空幫浦在真空系統中的主要作用為：(A)抽氣抽氣(B)排氣排氣(C)打氣打氣(D)儲氣儲氣15.(A)真空幫浦在真空系統中的主要作用為：真空幫浦在真空系統中的主要作用為：(A)抽氣抽氣(B)排氣排氣(C)打氣打氣(D)儲氣儲氣16.()下列何者為排氣式幫浦？下列何者為排氣式幫浦？(A)吸附幫吸附幫浦浦(B)結拖幫浦結拖幫

11、浦(C)擴散幫浦擴散幫浦16.(B)下列何者為排氣式幫浦？下列何者為排氣式幫浦？(A)吸附幫吸附幫浦浦(B)結拖幫浦結拖幫浦(C)擴散幫浦擴散幫浦17.()下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？(A)擴散幫浦擴散幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)以上皆是以上皆是(D)以上皆非以上皆非17.(C)下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？(A)擴散幫浦擴散幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)以上皆是以上皆是(D)以上皆非以上皆非18.()真空系統可能因什麼因素而受到汙染？真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A)氣體在腔體中燃燒氣體在腔體中燃燒(B

12、)幫浦的油幫浦的油氣回流造成污染氣回流造成污染(C)氣體管路帶來的氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物不明氣體導致氣體生成物1.(B)The hydrogen(氫)atom at ground state(A)can,(B)cannot,absorb a photon with 9.0 eV.18.(B)真空系統可能因什麼因素而受到汙染？真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A)氣體在腔體中燃燒氣體在腔體中燃燒(B)幫浦的油幫浦的油氣回流造成污染氣回流造成污染(C)氣體管路帶來的氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物不明氣體導致氣體生成物19.()想從一大氣壓將系統降至粗略真空範想從一大氣壓將系統

13、降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？圍需要選用什麼樣的幫浦？(A)擴散擴散幫浦幫浦(B)魯式幫浦魯式幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦 19.(B)想從一大氣壓將系統降至粗略真空範想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？圍需要選用什麼樣的幫浦？(A)擴散擴散幫浦幫浦(B)魯式幫浦魯式幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦20.()何為何為RCA 清洗清洗(何者為非何者為非)？(A)屬於屬於半導體製程的一部份半導體製程的一部份(B)可去除晶圓可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物上的油污、附著物及表面氧化物(C)處理矽晶圓的主要清理流程處理矽晶圓的主要清理流程20.(C)何為何為RCA 清洗清洗(

14、何者為非何者為非)？(A)屬於屬於半導體製程的一部份半導體製程的一部份(B)可去除晶圓可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物上的油污、附著物及表面氧化物(C)處理矽晶圓的主要清理流程處理矽晶圓的主要清理流程21.()下列何者非下列何者非RCA清洗所需藥品？清洗所需藥品？(A)氰氟酸氰氟酸(HF)(B)氨水氨水(NH4OH)(C)鹽酸鹽酸(HCl)21.(C)下列何者非下列何者非RCA清洗所需藥品？清洗所需藥品？(A)氰氟酸氰氟酸(HF)(B)氨水氨水(NH4OH)(C)鹽酸鹽酸(HCl)22.()RCA清洗的步驟中哪個動作是不需清洗的步驟中哪個動作是不需要的？要的？(A)加熱加熱(B)以去離子

15、水清洗以去離子水清洗(C)活化活化/敏化敏化 22.(C)RCA清洗的步驟中哪個動作是不需清洗的步驟中哪個動作是不需要的？要的？(A)加熱加熱(B)以去離子水清洗以去離子水清洗(C)活化活化/敏化敏化23.()選用下列何種幫浦組合可以達到中度選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？真空？(A)魯式幫浦魯式幫浦+擴散幫浦擴散幫浦(B)擴擴散幫浦散幫浦+冷凍幫浦冷凍幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦+渦輪渦輪分子幫浦分子幫浦23.(A)選用下列何種幫浦組合可以達到中度選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？真空？(A)魯式幫浦魯式幫浦+擴散幫浦擴散幫浦(B)擴擴散幫浦散幫浦+冷凍幫浦冷凍幫浦(C)冷凍幫浦冷凍

16、幫浦+渦輪渦輪分子幫浦分子幫浦24.()以下哪一種方式不能達到高度真空？以下哪一種方式不能達到高度真空？(A)乾式幫浦乾式幫浦+渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(B)乾式乾式幫浦幫浦+冷凍幫浦冷凍幫浦(C)以上皆可以上皆可24.(C)以下哪一種方式不能達到高度真空？以下哪一種方式不能達到高度真空？(A)乾式幫浦乾式幫浦+渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(B)乾式乾式幫浦幫浦+冷凍幫浦冷凍幫浦(C)以上皆可以上皆可25.()高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？浦有什麼差異？(A)轉速不同轉速不同(B)低低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦

17、無法從大氣壓下啟動空幫浦無法從大氣壓下啟動(C)高高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空空25.(B)高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？浦有什麼差異？(A)轉速不同轉速不同(B)低低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦無法從大氣壓下啟動空幫浦無法從大氣壓下啟動(C)高高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空空26.()高真空系統的保護裝置

18、有何功用？高真空系統的保護裝置有何功用？(A)在非正常啟動的環境下，避免氣在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機體分子進入，會自動斷電，系統關機(B)在非正常啟動的環境下，避免氣在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕體分子進入，會關上閥門隔絕(C)在在非正常啟動的環境下，避免氣體分子非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體進入系統，旋葉會反轉排出氣體26.(B)高真空系統的保護裝置有何功用？高真空系統的保護裝置有何功用？(A)在非正常啟動的環境下，避免氣在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機體分子進入，會自動斷電，

19、系統關機(B)在非正常啟動的環境下，避免氣在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕體分子進入，會關上閥門隔絕(C)在在非正常啟動的環境下，避免氣體分子非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體進入系統，旋葉會反轉排出氣體27.()到達超高真空所需的主要後段幫浦到達超高真空所需的主要後段幫浦(A)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(B)擴散幫浦擴散幫浦(C)旋片幫浦旋片幫浦 27.(A)到達超高真空所需的主要後段幫浦到達超高真空所需的主要後段幫浦(A)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(B)擴散幫浦擴散幫浦(C)旋片幫浦旋片幫浦28.()觀察高度真空所需的真空計為下列何觀察高度真空所

20、需的真空計為下列何者？者？(A)彭甯冷陰極真空計彭甯冷陰極真空計(B)熱電熱電偶真空計偶真空計(C)派藍尼真空計派藍尼真空計 28.(A)觀察高度真空所需的真空計為下列何觀察高度真空所需的真空計為下列何者？者？(A)彭甯冷陰極真空計彭甯冷陰極真空計(B)熱電熱電偶真空計偶真空計(C)派藍尼真空計派藍尼真空計 29.()到達高度真空系統所需的真空計組合到達高度真空系統所需的真空計組合為何？為何？(A)熱電偶真空計熱電偶真空計+派藍尼真派藍尼真空計空計(B)熱電偶真空計熱電偶真空計+彭甯冷陰極彭甯冷陰極真空計真空計(C)派藍尼真空計派藍尼真空計29.(B)到達高度真空系統所需的真空計組合到達高度真

21、空系統所需的真空計組合為何？為何？(A)熱電偶真空計熱電偶真空計+派藍尼真派藍尼真空計空計(B)熱電偶真空計熱電偶真空計+彭甯冷陰極彭甯冷陰極真空計真空計(C)派藍尼真空計派藍尼真空計30.()下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用效用(A)鈦昇華幫浦鈦昇華幫浦(B)擴散幫浦擴散幫浦(C)以上皆可以上皆可30.(A)下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用效用(A)鈦昇華幫浦鈦昇華幫浦(B)擴散幫浦擴散幫浦(C)以上皆可以上皆可31.()下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱疑慮而須加設

22、油氣捕捉陷阱(A)擴散擴散幫浦幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦(D)乾式幫浦乾式幫浦31.(A)下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱疑慮而須加設油氣捕捉陷阱(A)擴散擴散幫浦幫浦(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦(C)冷凍幫浦冷凍幫浦(D)乾式幫浦乾式幫浦32.()下列何者非下列何者非RCA清洗的目的清洗的目的(A)去除去除表面有機物汙染表面有機物汙染(B)去除金屬鍍膜層去除金屬鍍膜層(C)去除生長閘極氧化層前之原生氧去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽化矽32.(C)下列何者非下列何者非RCA清洗的目的清洗的目的(A)去除去

23、除表面有機物汙染表面有機物汙染(B)去除金屬鍍膜層去除金屬鍍膜層(C)去除生長閘極氧化層前之原生氧去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽化矽第二第二單元單元感應耦合電漿離子束濺鍍沉感應耦合電漿離子束濺鍍沉積銅金屬化薄膜製備與分析積銅金屬化薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製逢甲大學材料科學與工程學系編製1.()本系統有採用本系統有採用MFC(流量控制器流量控制器)，請，請說明本系統所採用的單位為何說明本系統所採用的單位為何?(A)SCCM,(B)SCKM,(C)SCLM.1.(A )本系統有採用本系統有採用MFC(流量控制器流量控制器)，請，請說明本系統所採用的單位為何說明本系統所採用的單

24、位為何?(A)SCCM,(B)SCKM,(C)SCLM.2.()本系統採用哪本系統採用哪 種低度真空計種低度真空計(A)冷陰冷陰極真空計極真空計,(B)派藍尼真空計派藍尼真空計,(C)液液位真空計位真空計2.(B)本系統採用哪本系統採用哪 種低度真空計種低度真空計(A)冷陰冷陰極真空計極真空計,(B)派藍尼真空計派藍尼真空計,(C)液液位真空計位真空計3.()本系統採用的低度真空計工作範圍約本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾略在幾Pa(A)1100,(B)0.1104,(C)10-210-53.(B)本系統採用的低度真空計工作範圍約本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾略在幾Pa(A)11

25、00,(B)0.1104,(C)10-210-54.()本系統採用的高度真空計工作範圍約本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾略在幾Pa(A)110-7,(B)0.1104,(C)10-210-54.(A)本系統採用的高度真空計工作範圍約本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾略在幾Pa(A)110-7,(B)0.1104,(C)10-210-55.()本系統採用的低度真空幫浦工作範圍本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾約略在幾Pa(A)1100,(B)1105,(C)10-210-45.(B)本系統採用的低度真空幫浦工作範圍本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾約略在幾Pa(A)1100

26、,(B)1105,(C)10-210-46.()本系統採用哪種低度真空幫浦本系統採用哪種低度真空幫浦(A)渦渦捲幫浦捲幫浦,(B)渦輪幫浦渦輪幫浦,(C)活塞式幫浦活塞式幫浦6.(A)本系統採用哪種低度真空幫浦本系統採用哪種低度真空幫浦(A)渦渦捲幫浦捲幫浦,(B)渦輪幫浦渦輪幫浦,(C)活塞式幫浦活塞式幫浦7.()本系統採用哪種高度真空幫浦本系統採用哪種高度真空幫浦(A)渦渦捲幫浦捲幫浦,(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦,(C)活塞式活塞式幫浦幫浦7.(B)本系統採用哪種高度真空幫浦本系統採用哪種高度真空幫浦(A)渦渦捲幫浦捲幫浦,(B)渦輪分子幫浦渦輪分子幫浦,(C)活塞式活塞式幫浦幫浦8.

27、()本系統採用的高度真空幫浦工作範圍本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾約略在幾Pa(A)10-1100,(B)102105,(C)10-110-78.(C)本系統採用的高度真空幫浦工作範圍本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾約略在幾Pa(A)10-1100,(B)102105,(C)10-110-79.()本系統是採用哪種方式產生電漿本系統是採用哪種方式產生電漿(A)ICP(B)PVD(C)CVD9.(A)本系統是採用哪種方式產生電漿本系統是採用哪種方式產生電漿(A)ICP(B)PVD(C)CVD10.()冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種(A)低低溫冷凝溫冷凝(B

28、)低溫捕獲低溫捕獲(C)低溫吸附低溫吸附(D)以上皆是以上皆是.10.(D)冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種(A)低低溫冷凝溫冷凝(B)低溫捕獲低溫捕獲(C)低溫吸附低溫吸附(D)以上皆是以上皆是.11.()濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿(A)Ar(B)N2(C)H2.11.(A)濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿(A)Ar(B)N2(C)H2.12.()Vent氣是採用哪種氣體氣是採用哪種氣體(A)Ar(B)N2(C)H2.12.(B)Vent氣是採用哪種氣體氣是採用哪種氣體(A)Ar(B)N2(C)H2.13.()

29、系統所顯示的壓力值是採用何種單系統所顯示的壓力值是採用何種單位位.(A)Pa,(B)Torr,(C)mBar.13.(A )系統所顯示的壓力值是採用何種單系統所顯示的壓力值是採用何種單位位.(A)Pa,(B)Torr,(C)mBar.14.()本次所採用的基板為何種材料本次所採用的基板為何種材料.(A)Si,(B)glass,(C)Stainless stell.14.(A)本次所採用的基板為何種材料本次所採用的基板為何種材料.(A)Si,(B)glass,(C)Stainless stell.15.()RF power supply 所採用的頻率為何所採用的頻率為何HzHz(A)13.6,(

30、B)12.6,(C)10.615.(A )RF power supply 所採用的頻率為何所採用的頻率為何HzHz(A)13.6,(B)12.6,(C)10.616.()本系統的本系統的RF power supply最大的功最大的功率極限為何率極限為何.(A)1000,(B)140016.(B )本系統的本系統的RF power supply最大的功最大的功率極限為何率極限為何.(A)1000,(B)140017.()本系統的離子束產生搭配裝置是否有本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器直流電源供應器 (A)Ture,(B)False17.(A )本系統的離子束產生搭配裝置是否有本系統

31、的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器直流電源供應器 (A)Ture,(B)False18.()在在XRD的繞射光譜中是根據哪種光的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息譜來獲得繞射訊息(A)特徵光譜特徵光譜,(B)連續光譜連續光譜.18.(A)在在XRD的繞射光譜中是根據哪種光的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息譜來獲得繞射訊息(A)特徵光譜特徵光譜,(B)連續光譜連續光譜.19.()XRD是根據何定律成立的是根據何定律成立的(A)歐姆定歐姆定律律,(B)牛頓第二定律牛頓第二定律,(C)布拉格定布拉格定律律19.(C)XRD是根據何定律成立的是根據何定律成立的(A)歐姆定歐姆定律律,(

32、B)牛頓第二定律牛頓第二定律,(C)布拉格定布拉格定律律20.()在在X光管內部是否為真空狀態光管內部是否為真空狀態(A)True,(B)False20.(A)在在X光管內部是否為真空狀態光管內部是否為真空狀態(A)True,(B)False第三第三單元單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析感測薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製逢甲大學材料科學與工程學系編製1.()氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）1.(A)氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（

33、A）鈣鈦礦結構（Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）2.()反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A）O2（B）N2（C）皆可2.(C)反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A）O2（B）N2（C）皆可3.()感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（）觸媒燃燒式（）場效電晶體（）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有3.(D)感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（）觸媒燃燒式（）場效電晶體

34、（）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有4.()觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可4.(D)觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可5.()場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可5.()場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可6.()金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可6.(D )金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可7.()觸媒燃燒

35、式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高7.(C)觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高8.()場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反 應 速 度 慢（）操 作 溫 度 高8.(B)場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反應速度慢（）操作溫度高9.()金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高9.(C)金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度

36、較低（）操作溫度高第四第四單元單元太陽能電池複晶吸收層薄膜太陽能電池複晶吸收層薄膜製備與分析製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製逢甲大學材料科學與工程學系編製1.()高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A)氮(B)磷(C)硼1.(C)高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A)氮(B)磷(C)硼2.()高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A)氮(B)鋁(C)硼2.(A)高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A)氮(B)鋁(C)硼3.3.()()太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A)True,(B)False,(C)Not certain.3.(

37、A)太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A)True,(B)False,(C)Not certain.4.()太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A)空孔(B)電子(C)中子4.(A)太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A)空孔(B)電子(C)中子5.()太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A)空孔(B)電子(C)中子5.(B )太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A)空孔(B)電子(C)中子6.()太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A)正電(B)負電(C)不帶電6.(B )太

38、陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A)正電(B)負電(C)不帶電7.()太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A)正電(B)負電(C)不帶電7.(A)太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A)正電(B)負電(C)不帶電8.()CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數（C）皆具有8.(C)CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數（C）皆具有9.()CIGS為何種結構（A）黃銅礦結構（chalcopyrite）（B）六方晶結構（hexagonu

39、l）（C）單斜結構（monoclinik）9.(C)金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高10.()Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A)True,(B)False,(C)Not certain10.(A)Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A)True,(B)False,(C)Not certain11.()日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B)鐵板(C)塑膠11.(A)日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材

40、料當作基板(A)玻璃(B)鐵板(C)塑膠12.()pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A)n 型半導體(B)空乏區(C)不擴散12.(A)pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A)n 型半導體(B)空乏區(C)不擴散13.()pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A)p型半導體(B)空乏區(C)不擴散13.(A)pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A)p型半導體(B)空乏區(C

41、)不擴散14.()由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B)負電(C)不帶電14.(A)由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B)負電(C)不帶電15.()由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B)負電(C)不帶電15.(B)由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B)負電(C)不帶電16.()CuInSe2，其能隙值約為(A)1.1(B)3.5(C)5.6 eV16.(A)CuInSe2，

42、其能隙值約為(A)1.1(B)3.5(C)5.6 eV17.()在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確17.(C)在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確18.()CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在(A)1.17 1.20(B)2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變18.(A)CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在(A)1.17 1.20(B)2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變19.()各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區(B)本質區(C)異質區19.(A)各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區(B)本質區(C)異質區20.()各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞(B)電子(C)相同20.(A)各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞(B)電子(C)相同