第十一章-半导体式物性传感器课件.ppt

1、与各种结构型传感器相比，具有如下特点：与各种结构型传感器相比，具有如下特点：o 1）由于传感器原理是基于物理变化的，因）由于传感器原理是基于物理变化的，因而没有相对运动部件，可以做到结构简单，而没有相对运动部件，可以做到结构简单，微型化。微型化。o 2）灵敏度高，动态性能好，输出为电物理）灵敏度高，动态性能好，输出为电物理量。量。o 3）采用半导体为敏感材料容易实现传感器）采用半导体为敏感材料容易实现传感器集成化和智能化。集成化和智能化。o 4）功耗低，安全可靠。）功耗低，安全可靠。半导体传感器也存在以下一些缺点：o 1）线性范围窄，在精度要求高的场合应采用）线性范围窄，在精度要求高的场合应采

2、用线性化补偿电路。线性化补偿电路。o 2）与所有半导体元件一样，输出特性易受温）与所有半导体元件一样，输出特性易受温度影响而漂移，所以应采用补偿措施。度影响而漂移，所以应采用补偿措施。o 3）性能参数离散性大。）性能参数离散性大。虽然存在上述问题，但半导体传感器仍虽然存在上述问题，但半导体传感器仍是目前传感器发展的重要方向，尤其是大规是目前传感器发展的重要方向，尤其是大规模集成电路技术的不断发展，半导体传感器模集成电路技术的不断发展，半导体传感器的技术也日臻完善。的技术也日臻完善。半导体传感器o 第一节气敏传感器第一节气敏传感器o 第二节湿敏传感器第二节湿敏传感器o 第三节第三节 磁敏传感器磁

3、敏传感器o 第四节色敏传感器第四节色敏传感器o 第五节离子敏传感器第五节离子敏传感器第一节第一节 气敏传感器气敏传感器 所谓半导体气敏传感器，是利用半导体所谓半导体气敏传感器，是利用半导体气敏元件同气体接触，造成半导体性质变化，气敏元件同气体接触，造成半导体性质变化，借此来检测特定气体的成分或者测量其浓度借此来检测特定气体的成分或者测量其浓度的传感器的总称。的传感器的总称。一、气敏半导体材料的导电机理一、气敏半导体材料的导电机理 图图a为烧结体为烧结体N型半导型半导瓷的模型。它是多晶体，瓷的模型。它是多晶体，晶粒间界有较高的电阻，晶粒间界有较高的电阻，晶粒内部电阻较低。图中晶粒内部电阻较低。图

4、中分别以空白部分和黑点部分别以空白部分和黑点部分示意表示。导电通路的分示意表示。导电通路的等效电路如图等效电路如图b所示。所示。二、电阻型气敏器件二、电阻型气敏器件 电阻型气敏器件在目前使用的比较广电阻型气敏器件在目前使用的比较广泛。按其结构，可分为烧结型、薄膜型和厚泛。按其结构，可分为烧结型、薄膜型和厚膜型三种膜型三种。1.烧结型烧结型 这种器件一般分为内热式和旁热式两种结构这种器件一般分为内热式和旁热式两种结构,如图如图 1、2、4、5电极3SnO2烧结体 1、2、4、5电极3加热器 6SnO2烧 结体7陶瓷绝缘管o 内热式器件管芯体积一般都很小，加热丝直接埋在内热式器件管芯体积一般都很小

5、，加热丝直接埋在金属氧化物半导体材料内，兼作一个测量板，该结金属氧化物半导体材料内，兼作一个测量板，该结构制造工艺简单。其缺点是：热容量小，易受环构制造工艺简单。其缺点是：热容量小，易受环境气流的影响；测量电路和加热电路之间相互影境气流的影响；测量电路和加热电路之间相互影响；加热丝在加热和不加热状态下产生胀、缩，响；加热丝在加热和不加热状态下产生胀、缩，容易造成与材料接触不良的现象。容易造成与材料接触不良的现象。o 旁热式气敏器件的管芯是在陶瓷管内放置高阻加热旁热式气敏器件的管芯是在陶瓷管内放置高阻加热丝，在瓷管外涂梳状金电极，再在金电极外涂气敏丝，在瓷管外涂梳状金电极，再在金电极外涂气敏半导

6、体材料。这种结构形式克服了内热式器件的缺半导体材料。这种结构形式克服了内热式器件的缺点，使器件稳定性有明显提高。点，使器件稳定性有明显提高。2.薄膜型薄膜型 薄膜型气敏器件的制作首先需处理基片（玻薄膜型气敏器件的制作首先需处理基片（玻璃石英式陶瓷），焊接电极，之后采用蒸发或璃石英式陶瓷），焊接电极，之后采用蒸发或溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导体薄膜。实验测得体薄膜。实验测得SnO2和和ZnO薄膜的气敏特薄膜的气敏特性较好。性较好。薄膜型器件外形结构如图所薄膜型器件外形结构如图所示示1、2、5、7引线3半导体4电极6绝缘基片8加热器 这种器件具有

7、较高的机械这种器件具有较高的机械强度，而且具有互换性好、强度，而且具有互换性好、产量高、成本低等优点。产量高、成本低等优点。3.厚膜型厚膜型其结构如图所示其结构如图所示1加热器加热器2电极电极 3气敏电阻气敏电阻4基片基片 此种元件一致性较此种元件一致性较好，机械强度高，适于批好，机械强度高，适于批量生产，是一种有前途的量生产，是一种有前途的器件。器件。o 以上三种气敏器件都附有加热器。在实际应用时，加热器以上三种气敏器件都附有加热器。在实际应用时，加热器能使附着在测控部分上的油雾，尘埃等烧掉，同时加速气能使附着在测控部分上的油雾，尘埃等烧掉，同时加速气体的吸附，从而提高了器件的灵敏度和响应速

8、度，一般加体的吸附，从而提高了器件的灵敏度和响应速度，一般加热到热到200400，具体温度视所掺杂质不同而异。，具体温度视所掺杂质不同而异。o 气敏器件的优点是：工艺简单，价格便宜，使用方便；对气敏器件的优点是：工艺简单，价格便宜，使用方便；对气体浓度变化响应快；即使在低浓度（气体浓度变化响应快；即使在低浓度（3000mg/kg）下，）下，灵敏度也很高。其缺点在于：稳定性差，老化较快，气体灵敏度也很高。其缺点在于：稳定性差，老化较快，气体识别能力不强；各器件之间的特性差异大等。识别能力不强；各器件之间的特性差异大等。各种可燃性气体的浓度与各种可燃性气体的浓度与SnO2半导瓷传感器半导瓷传感器的

9、电阻率变化的关系如图的电阻率变化的关系如图 三、三、气敏传感器的应用气敏传感器的应用1、实用酒精测试仪实用酒精测试仪 测试驾驶员醉酒的程度。气体传感器选用二氧化锡气敏元件。当气体传感器探测不到酒精时,加在A5脚的电平为低电平;当气体传感器探测到酒精时,其内阻变低,从而使A5脚电平变高。A为显示驱动器,它共有10个输出端,每个输出端可以驱动一个发光二极管,显示推动器A根据第5脚电压高低来确定依次点亮发光二极管的级数,酒精含量越高则点亮二极管的级数越大。上5个发光二极管为红色,表示超过安全水平。下5个发光二极管为绿色,代表安全水平,酒精含量不超过0.05%。2.气体报警器与控制器电路 如图所示。在

10、洁净空气中，传感器的电阻较大，在负载上的输出电压RL较小。在待测气体中时，传感器的电阻变小，则RL上的输出电压增大。图（a）为报警器，超过规定浓度时，发出声光报警。图（b）为控制器，超过设定浓度时，比较器翻转，输出控制信号，由驱动电路带动继电器或其它元件动作。稳压电源气敏传感器延时或放大报警电路 RL f1 f2 A B(a)气体报警器及控制器原理框图气体报警器及控制器原理框图 (a)报警器报警器(b)稳压电源气敏传感器延时或放大比较器 RL f1 f2 A B驱动电路 W R气体报警器及控制器原理框气体报警器及控制器原理框 (b)控制器控制器 第二节湿敏传感器第二节湿敏传感器 o 一、绝对湿

11、度与相对湿度一、绝对湿度与相对湿度 所谓湿度，是指大气中所含的水蒸气量。所谓湿度，是指大气中所含的水蒸气量。它有两种最常用的表示方法，即绝对湿度和相它有两种最常用的表示方法，即绝对湿度和相对湿度。绝对湿度是指一定大小空间中水蒸气对湿度。绝对湿度是指一定大小空间中水蒸气的绝对含量，可用的绝对含量，可用“kg/m3”表示。绝对湿度表示。绝对湿度也称水气浓度或水气密度。也称水气浓度或水气密度。绝对湿度也可用水的蒸气压来表示。设空绝对湿度也可用水的蒸气压来表示。设空气的水气密度为气的水气密度为v，与之相应的水蒸气分压为，与之相应的水蒸气分压为pv，根据理想气体状态方程，可以得出其关系，根据理想气体状态

12、方程，可以得出其关系式为式为o m水气的摩尔质量；水气的摩尔质量；o R摩尔气体普适常数；摩尔气体普适常数；o T绝对温度。绝对温度。RTmpvv 在实际生活中，许多现象与湿度有关，如在实际生活中，许多现象与湿度有关，如水分蒸发的快慢。然而除了与空气中水气分压水分蒸发的快慢。然而除了与空气中水气分压有关外，更主要的是和水气分压与饱和蒸气压有关外，更主要的是和水气分压与饱和蒸气压的比值有关。因此有必要引入相对湿度的概念。的比值有关。因此有必要引入相对湿度的概念。相对湿度为某一被测蒸气压与相同温度下相对湿度为某一被测蒸气压与相同温度下的饱和蒸气压的比值的百分数，常用的饱和蒸气压的比值的百分数，常用

13、%RH表表示。这是一个无量纲的值。显然，绝对湿度给示。这是一个无量纲的值。显然，绝对湿度给出了水分在空间的具体含量，相对湿度则给出出了水分在空间的具体含量，相对湿度则给出了大气的潮湿程度，故使用更广泛。了大气的潮湿程度，故使用更广泛。二、氯化锂湿敏电阻二、氯化锂湿敏电阻 氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类潮氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类潮解，离子导电率发生变化而制成的测湿元件。解，离子导电率发生变化而制成的测湿元件。典型的氯化锂湿度传感器有登莫典型的氯化锂湿度传感器有登莫（Dunmore）式和浸渍式两种。）式和浸渍式两种。登莫式传感器的结构如图登莫式传感器的结构如图,图中图中A为聚苯乙为聚苯乙烯包

14、封的铝管；烯包封的铝管；B为用聚乙烯醋酸盐覆盖在为用聚乙烯醋酸盐覆盖在A上的钯丝。上的钯丝。o 浸渍式传感器是在基本材料上直接浸渍氯化浸渍式传感器是在基本材料上直接浸渍氯化锂溶液构成的。这类传感器的浸渍基片材料锂溶液构成的。这类传感器的浸渍基片材料为天然树皮。为天然树皮。o 它部分地避免了高温下所产生的湿敏膜的误它部分地避免了高温下所产生的湿敏膜的误差。由于采用了表面积大的基片材料，并直差。由于采用了表面积大的基片材料，并直接在基片上浸渍氯化锂溶液，因此这种传感接在基片上浸渍氯化锂溶液，因此这种传感器具有小型化的特点。器具有小型化的特点。o 它适用于微小空间的湿度检测。它适用于微小空间的湿度检

15、测。三、半导瓷湿敏电阻三、半导瓷湿敏电阻 制造半导瓷湿敏电阻的材料，主要是不制造半导瓷湿敏电阻的材料，主要是不同类型的金属氧化物。同类型的金属氧化物。有一些材料电阻率随湿度的增加而下降，有一些材料电阻率随湿度的增加而下降，故称为负特性湿敏半导瓷。故称为负特性湿敏半导瓷。还有一种材料（如还有一种材料（如Fe3O4半导瓷）的电阻半导瓷）的电阻率随着湿度的增加而增大，称为正特性湿敏半率随着湿度的增加而增大，称为正特性湿敏半导瓷。导瓷。1.半导瓷湿敏材料的导电机理半导瓷湿敏材料的导电机理 三种典型的金属氧化物半导瓷的湿敏特性如三种典型的金属氧化物半导瓷的湿敏特性如图图:1ZnOLiO2V2O5系系 2

16、SiNa2OV2O5系系 3TiO2MgOCr2O3系系 关于半导体湿敏材料的导电机理有多种理论。一关于半导体湿敏材料的导电机理有多种理论。一般认为，作为湿敏材料的般认为，作为湿敏材料的（也称半导（也称半导瓷），由于晶粒间界的结构不够致密与缺乏规律性，瓷），由于晶粒间界的结构不够致密与缺乏规律性，不仅载流子浓度远比晶粒内部小，而且载流子迁移率不仅载流子浓度远比晶粒内部小，而且载流子迁移率也要低得多。所以，一般半导瓷的晶粒间界电阻要比也要低得多。所以，一般半导瓷的晶粒间界电阻要比体内高得多。因而半导瓷的晶粒间界便成了半导瓷中体内高得多。因而半导瓷的晶粒间界便成了半导瓷中传导电流的主要障碍。正由于

17、这种传导电流的主要障碍。正由于这种2.典型半导瓷湿敏电阻典型半导瓷湿敏电阻 具有较好的热稳定性，较强具有较好的热稳定性，较强的抗沾污能力，能在恶劣、易污染的环境中测的抗沾污能力，能在恶劣、易污染的环境中测得准确的湿度数据，而且还有响应快、使用湿得准确的湿度数据，而且还有响应快、使用湿度范围宽（度范围宽（）等优点，在）等优点，在实际应用中占有很重要的位置。实际应用中占有很重要的位置。烧结型半导瓷湿敏电阻的结构如图所示烧结型半导瓷湿敏电阻的结构如图所示 1接线柱2隔漏环3RuO2电极 4感湿体5加热丝6底座 7感湿体引线（1）烧结型湿敏电阻）烧结型湿敏电阻（2）涂覆膜型）涂覆膜型Fe3O4湿敏器件

18、湿敏器件 有一种由金属氧化物微粒经过堆积、粘结有一种由金属氧化物微粒经过堆积、粘结而成的材料，它也具有较好的感湿特性。用这而成的材料，它也具有较好的感湿特性。用这种材料制做的湿敏器件，一般称为种材料制做的湿敏器件，一般称为或或器件。这种湿敏器件有多种品种，器件。这种湿敏器件有多种品种，其中比较典型且性能较好的是其中比较典型且性能较好的是Fe3O4湿敏器湿敏器件。件。o Fe3O4感湿膜的整体电阻很高。当水分子透过松感湿膜的整体电阻很高。当水分子透过松散结构的感湿膜而吸附在微粒表面上时，将扩大微散结构的感湿膜而吸附在微粒表面上时，将扩大微粒间的面接触，导致接触电阻的减小；因而这种器粒间的面接触，

19、导致接触电阻的减小；因而这种器件具有负感湿特性。件具有负感湿特性。o Fe3O4湿敏器件的主要优点是在常温、常湿下性湿敏器件的主要优点是在常温、常湿下性能比较稳定；有较强的抗结露能力；在全湿范围内能比较稳定；有较强的抗结露能力；在全湿范围内有相当一致的湿敏特性，而且其工艺简单，价格便有相当一致的湿敏特性，而且其工艺简单，价格便宜。宜。o 其主要缺点是响应缓慢，并有明显的湿滞效应。其主要缺点是响应缓慢，并有明显的湿滞效应。三、湿敏传感器的应用三、湿敏传感器的应用1.自动去湿装置自动去湿装置 图8-12中，H为湿敏传感器，Rs为加热电阻丝。在常温常湿情况下调好各电阻值，使V1导通，V2截止。当阴雨

20、等天气使室内环境湿度增大而导致H的阻值下降到某值时，RH与R2并联之阻值小到不足以维持V1导通。由于V1截止而使V2导通，其负载继电器K通电，常开触点闭合，加热电阻丝RS通电加热，驱散湿气。当湿度减小到一定程度时，电路又翻转到初始状态，V1导通，V2截止，常开触点断开，RS断电停止加热。2.录像机结露报警控制电路录像机结露报警控制电路 如图所示，该电路由BG1BG4组成。结露时，LED亮（结露信号），并输出控制信号使录像机进入停机保护状态。在低湿时，结露传感器的电阻值为2k左右，BG1因其基极电压低于0.5V而截止，BG2集电极电位低于1V，所以BG3及BG4也截止。结露指示灯不亮，输出的控制

21、信号为低电平。在结露时，结露传感器的电阻值大于50 k，BG1饱和导通，BG2截止；从而使BG3及BG4导通，结露指示灯亮，输出的控制信号为高电平。传感器第三节第三节 磁敏传感器磁敏传感器 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。早在早在1856年和年和1879年就发现了年就发现了磁阻效应磁阻效应和和霍霍尔效应尔效应，但作为实用的磁敏传感器则产生于半，但作为实用的磁敏传感器则产生于半导体材料发现之后。导体材料发现之后。60年代初，西门子公司研年代初，西门子公司研制出第一个实用的磁敏元件；制出第一个实用的磁敏元件；1966年又出现年又出现了铁磁性薄膜磁阻元件；

22、了铁磁性薄膜磁阻元件；1968年索尼公司研年索尼公司研制成性能优良、灵敏度高的制成性能优良、灵敏度高的磁敏二极管磁敏二极管；1974年年美国韦冈德发明了美国韦冈德发明了双稳态磁性元件双稳态磁性元件。一、磁敏电阻器一、磁敏电阻器 1.磁阻效应磁阻效应 将一载流导体置于外磁场中，除了产生霍尔效将一载流导体置于外磁场中，除了产生霍尔效应外，其电阻也会随磁场而变化，这种现象称为应外，其电阻也会随磁场而变化，这种现象称为磁电阻效应磁电阻效应，简称，简称磁阻效应磁阻效应。磁敏电阻器就是利。磁敏电阻器就是利用磁阻效应制成的一种磁敏元件。用磁阻效应制成的一种磁敏元件。磁阻效应的表达式为 B磁感应强度；磁感应强

23、度；载流子迁移率；载流子迁移率；0零磁场下的电阻率；零磁场下的电阻率；B磁感应强度为磁感应强度为B时的电阻率。时的电阻率。)273.01(220BB 设电阻率的变化为设电阻率的变化为=0，则电，则电阻率的相对变化率为阻率的相对变化率为 由上式可知，磁场一定时，由上式可知，磁场一定时，迁移率高的材料迁移率高的材料磁阻效应明显。磁阻效应明显。2220)(273.0BKBB 2.磁敏电阻的形状磁敏电阻的形状o 磁阻的大小除了与材料有关外，还和磁敏电阻的几何形磁阻的大小除了与材料有关外，还和磁敏电阻的几何形状有关。常见的磁敏电阻是圆盘形的，中心和边缘处为状有关。常见的磁敏电阻是圆盘形的，中心和边缘处为

24、两电极。这种圆盘形磁阻器叫两电极。这种圆盘形磁阻器叫科尔比诺圆盘科尔比诺圆盘。其磁阻效。其磁阻效应叫科尔比诺效应。应叫科尔比诺效应。o 考虑到考虑到的影响时，的影响时，与磁感应强度与磁感应强度和迁移率的关系，可以用下式表示和迁移率的关系，可以用下式表示 f（L/b）形状效应系数，形状效应系数，L、b分别为磁敏电阻的长度和宽度分别为磁敏电阻的长度和宽度)(1)(20bLfBK 各种形状的磁敏电阻器，其磁阻RB与磁感应强度的关系如图 图中图中R0为为B=0时的电阻值。时的电阻值。3.磁敏电阻的应用磁敏电阻的应用 磁敏电阻的应用非常广泛。除了用它做成磁敏电阻的应用非常广泛。除了用它做成探头，配上简单

25、线路可以探测各种磁场外，在探头，配上简单线路可以探测各种磁场外，在测量方面还可制成位移检测器、角度检测器、测量方面还可制成位移检测器、角度检测器、功率计、安培计等。此外，可用磁敏电阻制成功率计、安培计等。此外，可用磁敏电阻制成交流放大器、振荡器等。交流放大器、振荡器等。二、磁敏二极管（二、磁敏二极管（SMD）磁敏二极管的结构原理如图 在高阻半导体芯片（本征型在高阻半导体芯片（本征型I）两端，）两端，分别制作分别制作P、N两个电极，形成两个电极，形成P-I-N结。结。P、N都为重掺杂区，本征区都为重掺杂区，本征区I的长度较长。同时对的长度较长。同时对I区的两侧面进行不同区的两侧面进行不同的处理。

26、一个侧面磨成光滑面，另一面打的处理。一个侧面磨成光滑面，另一面打毛。由于粗糙的表面处容易使电子空穴毛。由于粗糙的表面处容易使电子空穴对复合而消失，我们称之为对复合而消失，我们称之为r面，这样就构面，这样就构成了磁敏二极管。成了磁敏二极管。高复合面与光滑面的复合率差别愈大，磁敏二极管的灵高复合面与光滑面的复合率差别愈大，磁敏二极管的灵敏度也就愈高。磁敏二极管在不同的磁场强度和方向下的敏度也就愈高。磁敏二极管在不同的磁场强度和方向下的伏安特性如图伏安特性如图 磁敏二极管与其他磁敏器件相比，具有以下磁敏二极管与其他磁敏器件相比，具有以下特点：特点：o 1）灵敏度高）灵敏度高 磁敏二极管的灵敏度比霍尔

27、元件高几百磁敏二极管的灵敏度比霍尔元件高几百甚至上千倍，而且线路简单，成本低廉，更适合于测量甚至上千倍，而且线路简单，成本低廉，更适合于测量弱磁场。弱磁场。o 2）具有正反磁灵敏度）具有正反磁灵敏度 这一点是磁阻器件所欠缺的。这一点是磁阻器件所欠缺的。故磁敏二极管可用作无触点开关。故磁敏二极管可用作无触点开关。o 3）灵敏度与磁场关系呈线性的范围比较窄）灵敏度与磁场关系呈线性的范围比较窄 这一点不这一点不如霍尔元件。如霍尔元件。第四节色敏传感器第四节色敏传感器 半导体半导体色敏色敏传感器是半导体光敏器件的一传感器是半导体光敏器件的一种。它也是基于半导体的内光效应，将光信号种。它也是基于半导体的

28、内光效应，将光信号变成为电信号的变成为电信号的光辐射探测器件光辐射探测器件。但是不管是。但是不管是光电导器件还是光生伏特效应器件，它们检测光电导器件还是光生伏特效应器件，它们检测的都是在一定波长范围内光的强度，或者说光的都是在一定波长范围内光的强度，或者说光子的数目。而子的数目。而半导体色敏器件则可用来直接测半导体色敏器件则可用来直接测量从可见光到近红外波段内量从可见光到近红外波段内辐射的波长辐射的波长。一一.半导体色敏传感器的基本原理半导体色敏传感器的基本原理 半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管的组合，故又称电二极管的组合，故又称双结光电二极

29、管双结光电二极管。其。其结构原理及等效电路如图结构原理及等效电路如图 1.光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理 对于用半导体硅制造的光电二极管，在受光照射时，对于用半导体硅制造的光电二极管，在受光照射时，若入射光子的能量若入射光子的能量hf大于硅的禁带宽度大于硅的禁带宽度Eg，则光子就激发，则光子就激发价带价带中的电子跃迁到中的电子跃迁到导带导带，而产生一对电子空穴。这些由，而产生一对电子空穴。这些由光子激发而产生的电子光子激发而产生的电子空穴统称为空穴统称为光生载流子光生载流子。光电二。光电二极管的基本部分是一个极管的基本部分是一个PN结。产生的光生载流子只要结。产生的光生载流子只要能扩

30、散到势垒区的边界，其中少数载流子（能扩散到势垒区的边界，其中少数载流子（P区中的电子区中的电子或或N区中的空穴）就受势垒区强电场的吸引而被拉向背面区中的空穴）就受势垒区强电场的吸引而被拉向背面区域。这部分少数载流子对电流做出贡献。多数载流子区域。这部分少数载流子对电流做出贡献。多数载流子（N区中的电子或区中的电子或P区中的空穴）则受势垒区电场的排斥区中的空穴）则受势垒区电场的排斥而留在势垒的边缘。在势垒区内产生的光生电子和光生空而留在势垒的边缘。在势垒区内产生的光生电子和光生空穴则分别被电场扫向穴则分别被电场扫向N区和区和P区，它们对电流也有贡献。区，它们对电流也有贡献。用能带图来表示上述过程

31、如图用能带图来表示上述过程如图 a)光生电子和空穴的运动光生电子和空穴的运动 b)外电路开路，外电路开路，光生电压出现光生电压出现o 光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子-空穴对，空穴对，称为光生载流子。称为光生载流子。o 它们在反向电压作用

32、下参加漂移运动，使反向电流明显变它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电光电导导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。而且这个电信号随着光的变化而相应变化。o 光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二

33、极管一样具有一个件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极

34、管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。光在半导体中传播时的衰减，是由于价带电子吸收光子光在半导体中传播时的衰减，是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果这种吸收光子的过程称为本征而从价带跃迁到导带的结果这种吸收光子的过程称为本征吸收，硅的本征吸收系数随入射光波长变化的曲线如图吸收，硅的本征吸收系数随入射光波长变化的曲线如图 2.半导体色敏传感器工作原理半导体色敏传感器工作原理 在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有不同的灵敏度。这一特性给我们提供了将这种器不同的灵敏度。这一特性给我们提供

35、了将这种器件用于颜色识别的可能性，即可以用来测量入射件用于颜色识别的可能性，即可以用来测量入射光的波长。将两只结深不同的光电二极管组合，光的波长。将两只结深不同的光电二极管组合，就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。不同结深二极管的光谱响应曲线如图不同结深二极管的光谱响应曲线如图,图中图中PD1代表浅结二极管，代表浅结二极管，PD2代表深结二极管。代表深结二极管。二、半导体色敏传感器的基本特征二、半导体色敏传感器的基本特征1.半导体色敏器件的光谱特性半导体色敏器件的光谱特性 光谱特性是表示它所能检测的波长范围，图光谱特性是表示它所能检测的波长范围，图a

36、给出了国给出了国产产CS1型半导体色敏器件的光谱特性，其波长范围型半导体色敏器件的光谱特性，其波长范围是是4001000nm。2.短路电流比波长特性短路电流比波长特性 波长特性是表征半导体色敏器件对波长的识别能力，波长特性是表征半导体色敏器件对波长的识别能力，是用来确定被测波长的基本特性。上述是用来确定被测波长的基本特性。上述CS1型半导型半导体色敏器件的短路电流比波长特性曲线示于图体色敏器件的短路电流比波长特性曲线示于图 b 3.温度特性温度特性 由于半导体色敏器件测定的是两只光电二极管短路电由于半导体色敏器件测定的是两只光电二极管短路电流之比，流之比，而这两只光电二极管是做在同一块材料上的

37、，而这两只光电二极管是做在同一块材料上的，具有相同的温度系数，具有相同的温度系数，这种内部补偿作用使半导体色这种内部补偿作用使半导体色敏器件的短路电流比对温度不十分敏感，敏器件的短路电流比对温度不十分敏感，所以通常所以通常可可不考虑温度的影响不考虑温度的影响。a)光谱特性光谱特性 b)短路电流比波长特性短路电流比波长特性第五节离子敏传感器第五节离子敏传感器 离子敏感器件是一种对离子具有选择敏感作离子敏感器件是一种对离子具有选择敏感作用的场效应晶体管。它是由离子选择性电极用的场效应晶体管。它是由离子选择性电极（ISE）与金属氧化物半导体场效应晶体管）与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

38、组合而成的，简称）组合而成的，简称ISFET。ISFET是用来测量溶液（或体液）中离子浓度的是用来测量溶液（或体液）中离子浓度的微型固态电化学敏感器件微型固态电化学敏感器件。一、一、ISFET的结构与工作原理的结构与工作原理 用半导体工艺制作的金属氧化物半导用半导体工艺制作的金属氧化物半导体场效应晶体管的典型结构如图所示体场效应晶体管的典型结构如图所示 当在栅极和源极之间加正向偏压当在栅极和源极之间加正向偏压VGS，且有且有VGSVT（阈值电压）时，则栅氧化（阈值电压）时，则栅氧化层下面的硅就反型，从层下面的硅就反型，从P型变为型变为N型。这个型。这个N型区就将源区和漏区边连接起来，起导电型区

39、就将源区和漏区边连接起来，起导电通道的作用，称为沟道。此时通道的作用，称为沟道。此时MOSFET就就进入工作状态。这种类型称为进入工作状态。这种类型称为N沟道增强型沟道增强型MOSFET。在在MOSFET的栅电极加上大于的栅电极加上大于VT的正偏压的正偏压后，源漏之间加电压后，源漏之间加电压VDS，则源和漏之间就有电，则源和漏之间就有电流通过，用流通过，用IDS表示。表示。IDS的大小随的大小随VDS和和VGS的大小而变化，其变化规律就是的大小而变化，其变化规律就是MOSFET的电流的电流电压特性。电压特性。输出特性和转移特性曲线如图 a)输出特性输出特性 b)转移特性转移特性2.离子敏传感器

40、的结构与工作原理离子敏传感器的结构与工作原理 如果将普通如果将普通MOSFET的金属栅去掉，让绝缘氧化层直的金属栅去掉，让绝缘氧化层直接与溶液相接触，或者将栅极用铂膜作引出线，并在铂膜接与溶液相接触，或者将栅极用铂膜作引出线，并在铂膜上涂覆一层离子敏感膜，就构成了一只上涂覆一层离子敏感膜，就构成了一只ISFET。如图。如图 1MOSFET2铂膜铂膜3敏感膜敏感膜 当将当将ISFET插入溶液时，在被测溶液与敏感膜插入溶液时，在被测溶液与敏感膜接触处就会产生一定的界面电势，其大小取决于接触处就会产生一定的界面电势，其大小取决于溶液中被测离子的浓度。这一界面电势的大小将溶液中被测离子的浓度。这一界面

41、电势的大小将直接影响直接影响VT的值，如果以的值，如果以i表示响应离子的浓表示响应离子的浓度，则当被测溶液中的干扰离子影响极小时，阈度，则当被测溶液中的干扰离子影响极小时，阈值电压值电压VT可用下式表示：可用下式表示：iTSCVlg 二、二、ISFET的应用的应用 ISFET可以用来测量离子敏感电极（可以用来测量离子敏感电极（ISE）所）所不能测量的生物体中的微小区域和微量离子。因不能测量的生物体中的微小区域和微量离子。因此，它在生物医学领域中具有很强的生命力。此，它在生物医学领域中具有很强的生命力。o 1.对生物体液中无机离子的检测对生物体液中无机离子的检测o 2.在环境保护中应用在环境保护中应用