显示技术半导体制程课件.pptx
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- 显示 技术 半导体 课件
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1、显示技术半导体制程显示技术半导体制程前言 TFT Array的製造流程基本上是TFT的製作過程。Si TFT Array的製造流程有 洗淨技術 成膜技術如濺鍍法以及化學氣相沉積法(CVD)光微影技術如光阻劑塗佈 預先烘培、微影、顯影以及後續烘培等 蝕刻技術 光阻劑去除技術 電極蒸鍍技術等一連串反覆地操作過程資料來源:顧鴻壽編著,“光電液晶平面顯示器技術基礎及應用”資料來源:顧鴻壽編著,“光電液晶平面顯示器技術基礎及應用”資料來源:顧鴻壽編著,“光電液晶平面顯示器技術基礎及應用”Step 1 將玻璃基板預先進行洗淨處理 目的:清除玻璃基板表面上可能殘留的納離子類污染物 利用濺鍍法或電漿化學氣相沉
2、積法(PCVD)形成SiO2或Ta2O5之表面薄膜覆蓋層 利用濺鍍法將閘電極用或掃描配線材料靶材濺鍍形成金屬薄膜Step 2 將光阻劑剝離後,在閘電極的表面上形成第一層陽極氧化膜作為閘極絕緣體 再利用(PCVD)連續地成長第二層SiNx閘極絕緣膜、半導體活性層功能的Si:H、通道保護膜SiNx等構成所謂的三層薄膜結構Step 3 通道保護膜的配線圖案形成後,使其摻有磷原子之n+型的Si形成薄膜 將n+型的Si及其下方的Si:H層同時進行蝕刻處理,形成島狀結構配線圖案 利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等製程技術將TFT部份的Si圖案形成 利用乾式蝕刻技術將圖案部分以外的n+型Si薄膜及Si薄膜去除
3、Step 4 運用物理式濺鍍法濺鍍透明導電電極膜-ITO(Indium Tin Oxide)薄膜 利用濕式蝕刻技術去除不需要的部分,形成畫像素電極圖案(Pixel Pattern)利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等製程技術將閘電極及接觸通道(Contact Hole)的圖案形成 再利用蝕刻技術將閘絕緣膜去除,僅形成接觸通道Step 5 利用物理式濺鍍法濺鍍金屬薄膜 利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等電路圖案製作過程,形成所需TFT的源電極、汲電極及信號線配線 利用(PCVD)成長氮化膜 再利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等圖案製作過程,,形成配線電極端子的接觸通道及顯示電極開口部的圖案 將氮化膜利用
4、蝕刻技術去除Step 6 成長保護膜SiNx,將其週邊的電極接合端部份顯露出來,完成TFT Array的製作TFT Array 製程關鍵性技術洗淨製程技術(1)Si TFT Array 洗淨過程約佔整個製程的30%洗淨主要目的有三 為了得到良好的導電性、提升膜的密著性,以改善、控制基板表面品質 去除基板表面上所附著的微塵顆粒 提升整個製程品質及最終產品良率TFT Array 製程關鍵性技術洗淨製程技術(2)去除微塵顆粒的洗淨方法有 毛刷旋轉清洗基板表面的刮除洗淨(Scrub)去除微小顆粒最有效的洗淨方式 尤其是強力附著於基板表面之微小顆粒的去除 僅限制用於可容許較大膜表面的情況 TFT Arr
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