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类型ICT基本原理课件2.ppt

  • 上传人(卖家):晟晟文业
  • 文档编号:4448732
  • 上传时间:2022-12-10
  • 格式:PPT
  • 页数:36
  • 大小:311.50KB
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    关 键  词:
    ICT 基本原理 课件
    资源描述:

    1、ICT基本测试原理基本测试原理RxIrUr恒电流测试模式Rx=Ur/IrTest Research,Inc.Rx/R电阻实际值Rx,XY两端测得值RmRm=Rx*R/(Rx+R)Rx Test Research,Inc.小电阻(50欧姆以内)四线量测:小电阻两端各下两支探针,1-4号探针的接触阻抗分别为R1-R4,Ra,Rb,Rc,Rd分别为四次测试之量测值Ra=R1+R2Rb=R3+R4Rc=R1+Rx+R4Rd=R2+Rx+R3Rx=(Rc+Rd-Ra-Rb)/2 1 2 3 4 R1 R2 R3 R4Rx测试顺序是:放电,充电和电压测试考虑到电容的分流,要先对其充电,经过T2以后,Ic0

    2、.此时可量回准确的阻值.故遇到R/C的情形,釆用定电流源测试时,须加DELAY TIME.且电容越大,延迟要更久,才能得到准确值.当C较大(级以上)时,若仍釆用定电流源方式,则电容会将电流源分流,直至电容充饱时才成断路,这样会消耗太久测量时间.此时改以电压源(0.2VDC)对电容充电,迅速将电容加至0.2VDC(断路),再量回电流Ix值,即可求得Rx,(RX=0.2VDC/IX)其量测电路可与L/C量测电路共享,同样是“送电压”,“量电流”方式.如果在被测电阻RX的相关电路中有电容存在,通过设置虚地隔离点,可以提高测试速度 Test Research,Inc.Rx/D,推而广之,电阻与带PN结

    3、的零件并联,(包括D,ZEN,LED,TR,FET,SCR,TRIAC,PHOTO COUPLER,IC,etc).假设 Rx=2k 若 Is=500A 则 Vr=IS*R=500*10-6(A)*2*103()=1(V)此时D已导通,将Rx两端限压至约0.7V.那么Rm =0.7(V)/(500*10-6(A)=1.4*103()=1.4k Rx.此时,要改以低一档电流源测试,Is=50A,Vr=0.1VD处于截止状态,Rm=Rx另外,互换高低点(HI-PINLO-PIN).即IS从DIODE的阴极注入,亦可避免D的“限压”.互换高低点不可行的情况可能出现在以下连接电路.而对于Rx/D/C,

    4、见右图.在TR-518FE(R)中,选择MODE2:HIGH SPEED FOR R/C,因电压源为0.2VDC,故D仍处于截止状态,亦可避开D的“限压”.Test Research,Inc.若仍以电流源量测Rx.由于L的瞬时为由“OPEN”至“SHORT”,其瞬时时间不易控制,而稳态时电感相当于“SHORT”,将电流源完全分流,致Vx0,此时,须以AC来测量,使得L呈现一阻抗值(愈大愈好).再利用相位差即可计算出Rx Ix/Vs=1/Rm =1/Rx+1/(jL)1/Rx =1/Rm*COS Rx=Rm/COS Test Research,Inc.由OSC分别产生1kHZ/10kHZ/100

    5、kHZ/1MHZ 的AC输出信号,其振幅均为固定(40mVrms)Vs/Ix=Xc=1/(jCx)=1/(2f Cx)量回Ix 的振幅,即可求得CxTest Research,Inc.晶振测试,若ICT无晶振测试板,则可作小电容测试对于大电容,若使用上述AC电压源模式测试时,将需要较低频率来测试,从而增加ICT的测试时间.另外,大电容交流阻抗很小,如此无法判断电容内部是否有短路发生,此时须以DC测量 在被测电容上加载定电流,然后通过测量其积分电压,计算其电容值.Q=C*V i=dQ/dt=C*dV/dt=C*V/T (dV/dt为曲线斜率)Test Research,Inc.Cx/CCm=Cx

    6、+C Cx 小电容与大电容并联,一般小电容无法测试CxCTest Research,Inc.Cx/R,釆用AC常规法,则因R的分流会使Cm Cx 相位分离法:IX/VS =jCM=jCX+1/R jCX=jCM*SIN CX =CM*SIN.所以,IF R 90 SIN 1 CX =CM R0 0 SIN 0 CX 0(并联J或SHORT)Test Research,Inc.C0 C1TestJetC1方式1:漏电容测试法漏电容测试法 Mode5,6 以可程序电压源,对电容充电,直至充饱后,再测量正向漏电流.正常情况下,反向漏电流会很大.据此可测插反情形 方式2:三端电压测试法三端电压测试法上

    7、方加一探针触及壳体.在电容的正负极加载直流电压,至充饱后测量壳体电压.由于正负极与壳体间的阻抗差异,故对于插反的电容所测量到的壳体电压会与正确时不同.据此可判别电容的极性 方式3:SMD钽质电容钽质电容TestJet测试法测试法Test Research,Inc.Vs/Ix=XL=jLx =2f Lx量回量回Ix振幅振幅,即可求得即可求得LxTest Research,Inc.测试方式测试方式:以可程序电压源,对二极管加 电流,测量正向电压或 反向电压.(正向电压约为0.7V.)加载电流加载电流:最大3 mA,20 mA或10 mA.测试范围测试范围:10 V以内 Vd=0.7VVd1.5VV

    8、d=0.7VVd=1.8VTest Research,Inc.两个二极管(推而广之,指PN结)异向并联,所有二极管均釆用正釆用正,反向反向双步测试双步测试 D/C 时,电容充电后再测试D正向导通电压,建议加延时及用Mode1D/R 时,若R50欧时,D基本无法测试BCEBECGHLVCE55 55 5 5OPEN FAIL PASS SHORT FAILOPEN TESTING SHORT TESTINGLEARNING 25 25SHORT OPEN 开开/短路学习短路学习凡两两之间两两之间电阻 25的针号归入一个SHORT GROUP,反之亦然.开路测试开路测试在SHORT GROUP内内

    9、进行以55为判断标准 短路测试短路测试在SHORT GROUP之间之间进行不处于任何SG内的点可视为单点SG以5为判断标准Test Research,Inc.Test Research,Inc.DIELead FrameSolder Joint(IC Lead)Bond Wire+-A+-放大器 Cx GND Testpin Fixture 300mV,10KHz放大器 Cx Cy Testpin open Fixture 300mV,10KHz传统的IC保护二极管测试方式一般来说能测试IC除VCC与GND之外的7080%的引脚的开路问题,而TestJet技术的应用则使这一比例达到98%以上并足够稳定。Test Research,Inc.

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