集成电路的正向设计集成电路的逆向设计集成电路设计方法学课件.ppt
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1、 集成电路的正向设计 集成电路的逆向设计 集成电路设计方法学概述本次课主要内容第18章 集成电路的正向设计 74HC139芯片介绍 74HC139电路设计电路的设计:Cs支路电路图CMOS反相器传输特性版图的设计和验证通道输入A0a输入A1a输出Y0a输出Y1a输出Y2a输出Y3aVss输出Y3b输出Y2a输出Y1b输出Y0b输入Y1b输入Y0bVdd第19章 集成电路的芯片解剖 19.1.1 74HC193芯片概况 19.1.2 芯片解剖过程 19.1.3 电路分析 19.1.4 逻辑功能的分析 19.1.5 版图设计规则的分析 19.1.6 抑制Latch-up效应的措施煮片显色1.拼图2
2、.标注3.分块4.功能块分析5.连接6.提取设计规则7.分析闩锁效应措施8.布局布线9.P阱和衬底电位19.1.3 电路分析什么是闩锁效应?闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。版图抑制闩锁效应的措施 合理布置电源接触孔 伪收集区域 采用保护环 阱区与PMOS距离尽量拉大关于闩锁效应 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)。这些结构
3、会导致VDD和VSS线的短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏,Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一。可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。不过,现在已经不再是个问题了。在近些年,工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。全定制方法(Full-Custom Design Approach)符号法版图设计半定制方法(Semi-Custom Design Approach)定制法 可编程逻辑器件(PLD:Programmable Logic Device)
4、设计方法 n全定制集成电路(全定制集成电路(Full-Custom Design Approach)适用于要求得到最高速度、最低功耗和最小面最高速度、最低功耗和最小面积积的芯片设计。n 即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化设计,每个晶体管的布局/布线均由人工设计,并需要人工生成所有层次的掩膜。对每个器件进行优化,芯片性能获得最佳,芯片尺寸最小。20.1 全定制方法全定制集成电路全定制集成电路优点:优点:所设计电路的集成度最高所设计电路的集成度最高产品批量生产时单片产品批量生产时单片IC价格最低价格最低可以用于模拟集成电路的设计与生产可以用于模拟集成电路的设计与生产缺点:缺点:设计复
5、杂度高设计复杂度高/设计周期长设计周期长费用高费用高应用范围应用范围集成度极高且具有规则结构的集成度极高且具有规则结构的IC(如各种类型的存储器芯片)(如各种类型的存储器芯片)对性能价格比要求高且产量大的芯片(如对性能价格比要求高且产量大的芯片(如CPU、通信、通信IC等)等)模拟模拟IC/数模混合数模混合ICO O O O O OO O O O O OO O O O O OO O O O O OA A A AA A A AA A A A N NN NN N N NN NN N P PP PP PP P20.2 符号法版图设计20.2.1 固定栅格式固定栅格式20.2 符号法版图设计20.2.
6、1 固定栅格式固定栅格式20.2 符号法版图设计20.2.1 固定栅格式固定栅格式二、半定制方法n半定制集成电路(半定制集成电路(Semi-Custom Design Approach)即即设计者在厂家提供的半成品基础上设计者在厂家提供的半成品基础上继续完成最终的设计继续完成最终的设计,只需要生成诸如金,只需要生成诸如金属布线层等几个特定层次的掩膜。根据需属布线层等几个特定层次的掩膜。根据需求采用不同的半成品类型求采用不同的半成品类型。半定制的设计方法半定制的设计方法 分为门阵列(分为门阵列(GAGA:Gate ArrayGate Array)法和门海)法和门海(GSGS:Sea of Gat
7、esSea of Gates)法两种)法两种:n门阵列(GAGA:Gate ArrayGate Array)有通道门阵列:就是在一个芯片上将预先制造完毕的形状和尺寸完全相同的逻辑门单元以一定阵列的形式排列在一起,每个单元内部含有若干器件,阵列间有规则布线通道,用以完成门与门之间的连接。未进行连线的半成品硅圆片称为“母片”20.3半定制方法“母片母片”的示意图:的示意图:门 海门海(SOC:Sea-of-Gate)无通道门阵列:也是采用母片结构,它可以将没有利用的逻辑门作为布线区,而没有指定固定的布线通道,以此提高布线的布通率并提供更大规模的集成度。门海设计技术是把由一对不共栅的P管和N管组成的
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