催化光解水课件.ppt
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- 催化 光解 课件
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1、可见光催化分解水的可见光催化分解水的研究进展研究进展 photocatalytic degradation reactions such as photo-oxidation of organic compounds using oxygen molecules that are generally downhill reactions.1972年年 Fujishi ma和和 Honda 首次报道了可在以首次报道了可在以 Ti O2为为光阳极的光电化学电池中光阳极的光电化学电池中,用紫外光照射光阳极使水分解为用紫外光照射光阳极使水分解为 H2和和 O2,这是具有这是具有“里程碑里程碑”意义的一
2、个重要发现意义的一个重要发现,这预示这预示着人们能利用廉价的太阳能通过半导体催化使水分解从而获得着人们能利用廉价的太阳能通过半导体催化使水分解从而获得清洁的氢燃料。清洁的氢燃料。光路及结构光路及结构v 由铂电极(碱液)和TiO2电极(酸液)组成,且TiO2电极上负载铂v 半导体TiO2上负载Pt,有人把它当阴极,其实作用更像催化剂。v 在没有外电路只有水作为电介质的情况下,光激发产生的电子无法向体系外上导体中一样有序的从 光阳极到光阴极。v 铂的主要功能是聚集和传递电子,促进 光还原水放氢的反应优点:放氢和放氧可以在不同电极上进行减少电荷复合概率为什么研究光催化光解水?为什么研究光催化光解水?
3、v水几乎不吸收可见光,从太阳辐射到地球表面的光不能直接将水分解v借助有效的光催化剂才能实现光分解水v光催化是指含有催化剂的反应体系:即光照激发催化剂与反应物形成络合物,从而加速反应v当催化剂和光不存在时,改反应进行极慢,或者不进行v光催化分解水包括以半导体为催化剂的光电化学分解水制氢以及金属配合物来模拟光合作用的光解水制氢光催化分解水光催化分解水 的反应机理的反应机理1.absorption of photons to form electronhole pairs.2.charge separation and migration of photogenerated carriers.3.C
4、onstruct the active sites for redox reactions.h+e-Reduction OxidationCBVBH2OO2H+H2H+/H2(SHE0 V)O2/H2O(E1.23 V)e-e-+h+e-+h+e-h+h+hBulk recombinationSurface recombination半导体催化光解水制氢热力学原理半导体催化光解水制氢热力学原理半导体微粒要完全分解水必须满足如下半导体微粒要完全分解水必须满足如下基本条件基本条件:半导体微粒禁带宽度半导体微粒禁带宽度 即能隙即能隙 必须大于水的分解电压必须大于水的分解电压 理论值理论值1.23eV
5、;光生载流子光生载流子(电子和空穴电子和空穴)的的电位必须分别满足将水还原成电位必须分别满足将水还原成氢气和氧化成氧气的要求。具氢气和氧化成氧气的要求。具体地讲体地讲,就是光催化剂价带的位就是光催化剂价带的位置应比置应比 O2/H2O的电位更正的电位更正,而而导带的位置应导带的位置应 比比H2/H2O更负更负;光提供的量子能量应该大于光提供的量子能量应该大于半导体微粒的禁带宽度半导体微粒的禁带宽度。683 1.80eV400 3.07eVEE 1.8eV太阳光谱图太阳光谱图设计在可见区内有强吸收的半导体材设计在可见区内有强吸收的半导体材料是高效利用太阳能的关键性因素。料是高效利用太阳能的关键性
6、因素。UV Visible Infrared683 1.80eV400 3.07eV常见半导体材料的能带结构常见半导体材料的能带结构-1.00.01.02.03.0SrTiO3TiO2SnO23.2eV3.23.8WO32.8Ta2O5ZrO2Nb2O5H+/H2(E0 V)4.65.03.43.23.6ZnOZnSSiC3.0Evs.SHE(pH=0)/eVCdSO2/H2O(E1.23 V)2.4L绝大部分绝大部分只只能吸收能吸收不到不到5 5的太阳的太阳光光(紫外部紫外部分分)!影响光催化效率的主要因素影响光催化效率的主要因素制约光催化制氢实用化的主要原因是:制约光催化制氢实用化的主要原
7、因是:1)1)光化学稳定的半导体光化学稳定的半导体(如:如:TiOTiO2 2)的能隙太宽的能隙太宽(以以 2.0 eV2.0 eV为宜为宜)只吸收紫外光;只吸收紫外光;2)2)光量子产率低光量子产率低(约约4%)4%),最高不超过,最高不超过10%10%;3)3)具有与太阳光谱较为匹配能隙的半导体材料具有与太阳光谱较为匹配能隙的半导体材料(如:如:CdSCdS等等)存存在光腐蚀及有毒等问题,而在光腐蚀及有毒等问题,而p-p-型型InPInP、GaInPGaInP2 2等虽具有理想的等虽具有理想的能隙,且一定程度上能抗光腐蚀,但其能级与水的氧化还原能隙,且一定程度上能抗光腐蚀,但其能级与水的氧
8、化还原能级不匹配。能级不匹配。因此,探索高效、稳定和经济的可见光响应的光催化材料是因此,探索高效、稳定和经济的可见光响应的光催化材料是光催化制氢实用化的关键课题之一。光催化制氢实用化的关键课题之一。5、影响光催化效率的主要因素、影响光催化效率的主要因素(1)催化剂的种类催化剂的种类 大多集中于大多集中于Ti4+、Zr5+、Nb5+、Ta5+基具有基具有d0电子构电子构型的化合物及型的化合物及In3+、Ga3+、Ge4+、Sn4+基具有基具有d10构型构型的的p区金属化合物。区金属化合物。常见的光催化剂:常见的光催化剂:TiO2、ZnO、过渡金属过渡金属(复合复合)氧氧(硫硫/硒硒)化物如化物如
9、ZrO2,CdS,Co3O4,WO3,Fe3O4,IrO2,RuO2,-Bi2O3等。具有层状钙钛矿结构的复合氧化等。具有层状钙钛矿结构的复合氧化物如钛酸盐、铌酸盐和钽酸盐等。如:物如钛酸盐、铌酸盐和钽酸盐等。如:NiO-K4Nb6O17,RuO2-Ba2Ti4O9(2)催化剂的晶体结构:催化剂的晶体结构:v 组成组成相同、晶相不同的催化剂的光催化活性差别较大相同、晶相不同的催化剂的光催化活性差别较大,比如锐钛矿,比如锐钛矿TiO2的光催化活性比金红石的高,可能是因为锐钛矿导带位置比水的的光催化活性比金红石的高,可能是因为锐钛矿导带位置比水的还原电位高出大约还原电位高出大约20 mV,而金红石
10、导带位置比水的还原电位低。,而金红石导带位置比水的还原电位低。v 锐钛矿与金红石相以一定比例共存锐钛矿与金红石相以一定比例共存时时(如如P25),光生电子,光生电子-空穴对的分离空穴对的分离效率更高,使得光催化效果比单一晶相更好。效率更高,使得光催化效果比单一晶相更好。v 晶格内部的缺陷同样影响催化剂的光催化活性晶格内部的缺陷同样影响催化剂的光催化活性。金红石型。金红石型TiO2(001)单单晶上的氧空位形成的缺陷是晶上的氧空位形成的缺陷是H2O氧化为氧化为H2O2的反应活性中心,但有时的反应活性中心,但有时缺陷也可能成为光生电子缺陷也可能成为光生电子-空穴的复合中心。空穴的复合中心。v 晶粒
11、尺寸对光催化性能也有较大影响晶粒尺寸对光催化性能也有较大影响。粒子越小,电子和空穴在本体。粒子越小,电子和空穴在本体的复合几率越小,量子效率也越高。此时,禁带间隙能增加,禁带边的复合几率越小,量子效率也越高。此时,禁带间隙能增加,禁带边缘移动,加强了半导体缘移动,加强了半导体TiO2的氧化还原能力,提高光催化活性;的氧化还原能力,提高光催化活性;v 粒径减小也使表面原子迅速增加粒径减小也使表面原子迅速增加,反应活性增强,比表面积增大,光,反应活性增强,比表面积增大,光吸收效率提高。较小的粒径还可减少漫反射,提高光的吸收量。吸收效率提高。较小的粒径还可减少漫反射,提高光的吸收量。(3)、受激电子
12、、受激电子-空穴对存活寿命:空穴对存活寿命:v 电子电子-空穴的复合与其分别参与水的还原和氧化反应是一对竞争反应。抑空穴的复合与其分别参与水的还原和氧化反应是一对竞争反应。抑制电子制电子-空穴的复合,提高其寿命,是目前提高效率的主要途径。包括:空穴的复合,提高其寿命,是目前提高效率的主要途径。包括:1)沉积贵金属沉积贵金属。负载。负载Pt、Ru等。等。2)掺杂金属或非金属离子掺杂金属或非金属离子。在半导体价带与导带间形成一个缺陷能量状态,。在半导体价带与导带间形成一个缺陷能量状态,为光生电子提供了一个跳板,可以利用能量较低的可见光激发电子,由为光生电子提供了一个跳板,可以利用能量较低的可见光激
13、发电子,由价带分两步传输到导带,从而减少光生电子空穴复合。价带分两步传输到导带,从而减少光生电子空穴复合。3)复合半导体复合半导体。在二元复合半导体中,两种半导体之间的能级差能使光生。在二元复合半导体中,两种半导体之间的能级差能使光生载流子由一种半导体微粒的能级注入到另一种半导体的能级上,导致了载流子由一种半导体微粒的能级注入到另一种半导体的能级上,导致了有效和长期的电荷分离。有效和长期的电荷分离。(3)、受激电子、受激电子-空穴对存活寿命:空穴对存活寿命:5)光催化剂表面结构的影响光催化剂表面结构的影响。利用对催化剂的表面修饰来增加其表面的。利用对催化剂的表面修饰来增加其表面的缺陷结构,增加
14、比表面积,以提高催化剂的光催化活性。表面修饰常缺陷结构,增加比表面积,以提高催化剂的光催化活性。表面修饰常用的方法有:表面酸化、表面孔化、表面还原等途径。用的方法有:表面酸化、表面孔化、表面还原等途径。(4)、逆反应的程度:、逆反应的程度:H2和和O2的逆反应可以通过以下途径进行:的逆反应可以通过以下途径进行:1)在半导体表面已形成的分子在半导体表面已形成的分子H2和和O2,以气泡形式留在催化剂上,当它们,以气泡形式留在催化剂上,当它们脱离时气泡相互结合产生逆反应;脱离时气泡相互结合产生逆反应;2)己进入气相的己进入气相的H2和和O2,在催化剂表面上再吸附并反应;,在催化剂表面上再吸附并反应;
15、3)如果半导体负载了某些金属如如果半导体负载了某些金属如Pt等,在该催化剂上产生的氢原子,可通等,在该催化剂上产生的氢原子,可通过过“溢流溢流”作用与表面所产生的氧原子反应。作用与表面所产生的氧原子反应。v 由于存在电子和空穴的复合和逆反应,在没有牺牲剂的情况下半导体光由于存在电子和空穴的复合和逆反应,在没有牺牲剂的情况下半导体光催化效率通常不高。因此,抑制催化效率通常不高。因此,抑制H2和和O2逆反应是光分解水领域的研究逆反应是光分解水领域的研究热点之一。热点之一。(4)、逆反应的程度:、逆反应的程度:v 抑制抑制H2和和O2逆反应方法有:逆反应方法有:v 典型的典型的Pt-TiO2体系中,
16、由于体系中,由于Pt上存在快速的逆反应,因此水溶液中难以分解水,上存在快速的逆反应,因此水溶液中难以分解水,但高浓度但高浓度CO32-溶液中能有效产氢和氧。催化剂上的溶液中能有效产氢和氧。催化剂上的CO32-阻止阻止Pt上的逆反应,上的逆反应,同时通过形成过碳酸根促进氧的释放。同时通过形成过碳酸根促进氧的释放。v 加牺牲试剂:向体系加入电子给体不可逆消耗产生的空穴加牺牲试剂:向体系加入电子给体不可逆消耗产生的空穴(或羟基自由基或羟基自由基),可,可提高放氢反应效率;或加入电子受体不可逆地结合产生的电子,促进放氧反应提高放氢反应效率;或加入电子受体不可逆地结合产生的电子,促进放氧反应等都是有效的
17、手段。在等都是有效的手段。在TiO2光催化体系中加入电子给体光催化体系中加入电子给体I-,放氢速率明显提高,放氢速率明显提高,而而Fe3+的加入则特别显著地提高了产氢、氧效率。的加入则特别显著地提高了产氢、氧效率。(5)其他因素其他因素1、溶液溶液pH值:值:2、光强:光强:低光强下光催化反应速率与光强成线性关系。中等强度的光照低光强下光催化反应速率与光强成线性关系。中等强度的光照下,速率与光强的平方成线性关系。光源与反应物质的距离越小,即下,速率与光强的平方成线性关系。光源与反应物质的距离越小,即光强越强,催化剂的催化活性越高。这是因为随着距离的缩短,照射光强越强,催化剂的催化活性越高。这是
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