半导体发光材料与器件课件.ppt
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- 半导体 发光 材料 器件 课件
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1、光电子材料光电子材料n以光子、电子为载体,处理、存储和传递信息的以光子、电子为载体,处理、存储和传递信息的 材料。材料。n已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料(主要是光光材料、发光材料、光电信息传输材料(主要是光导纤维)、光电存储材料、光电转换材料、光电显导纤维)、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料(如电致发光材料和液晶显示材料)和光电示材料(如电致发光材料和液晶显示材料)和光电集成材料。集成材料。n1.0 概述概述n1.1 半导体及半导体发光基础半导体及半导体发光基础n1.2 半导体发光材料半导体发光材料
2、n1.3 发光二极管发光二极管n1.4 半导体激光器半导体激光器第第1 1章章 半导体发光材料及器件半导体发光材料及器件1.0 概述概述应用领域:应用领域:信息显示信息显示 光纤通信光纤通信 固态照明固态照明 国防国防 元素半导体:元素半导体:Si,Ge(IV族)族)III-V族半导体:族半导体:GaAs,InP化合物半导体化合物半导体 II-VI族半导体:族半导体:ZnS IV-IV族半导体:族半导体:SiC1 1、半导体的种类、半导体的种类6固体材料的种类固体材料的种类:(根据原子、分子或分子团在三维空间中排列的有序程度的不同根据原子、分子或分子团在三维空间中排列的有序程度的不同)整个晶体
3、中整个晶体中排列有序排列有序不存在长程有序或不存在长程有序或几个尺度内有序几个尺度内有序在小区域内在小区域内完全有序完全有序无定形(非晶)无定形(非晶)多多 晶晶单单 晶晶2 2、晶体结构、晶体结构应应用用无定形硅薄膜无定形硅薄膜-加工液晶显示器加工液晶显示器多晶硅多晶硅-太阳能电池太阳能电池单晶硅单晶硅-电子器件电子器件集成电路制造集成电路制造7单晶体中的原子或分子在三维空间中有序排列,单晶体中的原子或分子在三维空间中有序排列,具有具有几何周期重复性几何周期重复性。n晶格:晶格:把单晶体中的原子或分子抽象成数学上的几把单晶体中的原子或分子抽象成数学上的几何点,这些点的集合被称为何点,这些点的
4、集合被称为晶格晶格。或晶体的原子按一定规律在空间周期性排列形成格或晶体的原子按一定规律在空间周期性排列形成格点,成为点,成为晶格。晶格。n 晶体中的原子或分子位于晶格点上。晶体中的原子或分子位于晶格点上。金刚石结构金刚石结构原子结合形式:共价键原子结合形式:共价键形成的晶体结构:形成的晶体结构:构成一个正四构成一个正四面体,具有面体,具有 金金 刚刚 石石 晶晶 体体 结结 构构半半 导导 体体 有有:元元 素素 半半 导导 体体 如如Si、Ge 金刚石结构金刚石结构3、常见晶体结构常见晶体结构化化 合合 物物 半半 导导 体体:GaAs、InP、ZnS闪锌矿结构闪锌矿结构金刚石型金刚石型 V
5、S 闪锌矿型闪锌矿型纤锌矿结构纤锌矿结构六方晶系六方晶系简单六方格子简单六方格子与纤锌矿结构同类的晶与纤锌矿结构同类的晶体:体:BeOBeO、ZnOZnO、AlNAlNS2-六方紧密堆积排列六方紧密堆积排列Zn2+填充在四面体空隙填充在四面体空隙中,只占据了中,只占据了1/2+14n=3四个电子n=28个电子n=12个电子SiH孤立原子中的电子:孤立原子中的电子:能级是量子化的。能级是量子化的。1 1、能、能 带带 1.1半导体及半导体发光基础半导体及半导体发光基础1.1.1半导体物理基础半导体物理基础 电子不仅可以围绕自身原子核旋转,而且可以转电子不仅可以围绕自身原子核旋转,而且可以转到另一
6、个原子周围,即到另一个原子周围,即同一个电子可以被多个原子共同一个电子可以被多个原子共有有,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子转到相邻原子,将可以在整个晶体中运动。原子转到相邻原子,将可以在整个晶体中运动。晶体中的电子晶体中的电子1212特点:特点:1.1.外层电子受原子束缚轻,电子壳层交叠大,共有外层电子受原子束缚轻,电子壳层交叠大,共有化运动显著化运动显著;2.2.电子只能在相同支壳层之间转移电子只能在相同支壳层之间转移l当原子之间当原子之间距离逐步接近距离逐步接近时,原子周围电子的时,原子周围电子的 能级逐步转变为能带。能级逐步转变
7、为能带。1313n允带允带:允许电子存在的能量围。允许电子存在的能量围。n禁带:不允许电子存在的能量范围。禁带:不允许电子存在的能量范围。n价带:在绝对零度,可以被电子填满的最高能带。价带:在绝对零度,可以被电子填满的最高能带。n导带:价带之上,电子可以摆脱单个原子束缚,并在整导带:价带之上,电子可以摆脱单个原子束缚,并在整个半导体材料中自由移动的能带。个半导体材料中自由移动的能带。n禁带宽度:禁带宽度:单位是能量单位:单位是能量单位:eV(电子伏特)(电子伏特)。vcgEEE金属(导体)、半导体、绝缘体能带示意图金属(导体)、半导体、绝缘体能带示意图金属金属(导体导体):导带被电子部分占满,
8、在电场作用导带被电子部分占满,在电场作用 下这些电子可以导电。下这些电子可以导电。15金属(导体)、半导体、绝缘体能带示意图金属(导体)、半导体、绝缘体能带示意图半导体:半导体:在绝对零度下,导带全空,价带全满,不导在绝对零度下,导带全空,价带全满,不导 电。禁带比较窄,常温下部分价带电子被激电。禁带比较窄,常温下部分价带电子被激 发到空的导带,形成有少数电子填充的导发到空的导带,形成有少数电子填充的导 带和留有少数空穴的价带,带和留有少数空穴的价带,都能导电。都能导电。硅硅1.12eV1.12eV锗锗0.67eV0.67eV砷化镓砷化镓1.42eV 1.42eV 16金属(导体)、半导体、绝
9、缘体能带示意图金属(导体)、半导体、绝缘体能带示意图绝缘体:绝缘体:价带全满,禁带很宽,价带电子常温下不能价带全满,禁带很宽,价带电子常温下不能 被激发到空的导带,故被激发到空的导带,故常温下不导电常温下不导电。36eV36eV172、空穴(、空穴(hole)n 价带中由于少了一些电子,在价带顶部附近出现了价带中由于少了一些电子,在价带顶部附近出现了一些一些空的量子状态空的量子状态,称之为空穴(带正电)。,称之为空穴(带正电)。19n价带电子运动可以看作空穴的运动。价带电子运动可以看作空穴的运动。n在半导体中,导带的电子和价带的空穴均参与导电在半导体中,导带的电子和价带的空穴均参与导电这与金属
10、(导体)导电有很大的区别。这与金属(导体)导电有很大的区别。n载流子:载流子:半导体中,导带中的电子和价带中的空穴半导体中,导带中的电子和价带中的空穴统称为载流子。统称为载流子。本征半导体是纯净而不含任何杂质的理想半导本征半导体是纯净而不含任何杂质的理想半导体材料。体材料。由于晶体中原子的热振动,价带中的一些电子由于晶体中原子的热振动,价带中的一些电子激发到导带,同时在价带中留下空穴,形成电子激发到导带,同时在价带中留下空穴,形成电子-空空穴对。因此,本征半导体中的穴对。因此,本征半导体中的电子浓度与空穴浓度电子浓度与空穴浓度相等相等。3 3、本征半导体和非本征半导体、本征半导体和非本征半导体
11、(1)本征半导体)本征半导体热平衡条件下的浓度定律:热平衡条件下的浓度定律:2expgicvBEpnnN Nk Tinnp 本征半导体内引入一定数量的杂质,可以有本征半导体内引入一定数量的杂质,可以有效改变半导体的导电性质,这种掺有一定数量杂效改变半导体的导电性质,这种掺有一定数量杂质的半导体称为非本征半导体。质的半导体称为非本征半导体。(2)非本征半导体)非本征半导体非本征半导体是制造各种半导体器件的基础。非本征半导体是制造各种半导体器件的基础。由于杂质和缺陷的存在,会使严格按周期排列的由于杂质和缺陷的存在,会使严格按周期排列的原子所产生的原子所产生的周期性势场受到破坏周期性势场受到破坏,有
12、可能在,有可能在禁带中禁带中引入引入允许电子存在的能量状态(即允许电子存在的能量状态(即能级能级),从而对半),从而对半导体的性质产生决定性的影响。导体的性质产生决定性的影响。22n杂质来源杂质来源1 1)制备半导体的原材料)制备半导体的原材料纯度不够高纯度不够高2 2)半导体单晶制备过程中及器件制造过程中的)半导体单晶制备过程中及器件制造过程中的沾污沾污3 3)为了半导体的性质而)为了半导体的性质而人为地掺入人为地掺入某种化学元素的原子某种化学元素的原子n根据对载流子浓度的影响的不同,杂质可分为根据对载流子浓度的影响的不同,杂质可分为:施主施主(donor)(donor)杂质(高价元素)杂质
13、(高价元素)-N-N型半导体型半导体 受主受主 (acceptor)(acceptor)杂质(低价元素)杂质(低价元素)-P-P型半导体型半导体23 硅中掺入磷硅中掺入磷(P)(P),当一个磷原子,当一个磷原子占据占据了硅原子的了硅原子的位置,一个硅原子被一个带有位置,一个硅原子被一个带有5 5 个价电子的磷原子个价电子的磷原子所取代(或替补),其中所取代(或替补),其中4 4个价电子与周围的个价电子与周围的4 4个硅个硅原子形成共价键,还剩余一个价电子。原子形成共价键,还剩余一个价电子。1 1)N N型半导体型半导体 准自由准自由电电 子子24准自准自由电由电 子子 磷原子成为磷原子成为1
14、1个带有个带有1 1个正电荷的磷离子个正电荷的磷离子(P+)(P+)称为称为正电中心磷离子,正电中心磷离子,其效果相当于形成了其效果相当于形成了一个一个正电中心和一个多余的电子。正电中心和一个多余的电子。25 准自由准自由电电 子子 原子对剩余的这个价电子的束缚能力较弱,只需原子对剩余的这个价电子的束缚能力较弱,只需获得较小的能量就可以脱离磷原子的束缚成为可以传获得较小的能量就可以脱离磷原子的束缚成为可以传导电流的导电流的准自由电子准自由电子。此电子被施给了导带,磷原子因此被称为此电子被施给了导带,磷原子因此被称为施主施主。由于带负电载流子增加,由于带负电载流子增加,硅变成硅变成N N型型。2
15、6N型半导体:掺入了施主杂质的半导体中,热平衡状态型半导体:掺入了施主杂质的半导体中,热平衡状态 下的下的准自由电子浓度大于空穴浓准自由电子浓度大于空穴浓 度度,称这,称这 样的半导体为样的半导体为N型半导体型半导体。杂质浓度杂质浓度ND本征载流子浓度本征载流子浓度ni N型半导体中型半导体中n0P0,电子为多数载流子,空穴为少数,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。载流子。200 iDDnnNpN 热平衡状态下,掺有浓度为热平衡状态下,掺有浓度为N ND D的施主杂质的的施主杂质的半导体中,空穴和准自由电子的浓度分别为半导体中,空穴和准自由电子的浓度分别为 27 硅中掺入硼(硅中掺入硼(B
16、B),当一个带有),当一个带有3 3 个价电子的硼个价电子的硼原子占据了硅原子的位置,它和周围的原子占据了硅原子的位置,它和周围的4 4个硅原子形个硅原子形成共价键时,还缺少一个电子,必须从别处的硅原子成共价键时,还缺少一个电子,必须从别处的硅原子中夺取一个价电子,于是在硅晶体的共价键中产生了中夺取一个价电子,于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。一个空穴。2 2)P P型半导体型半导体 28 硼原子成为一个带有一个负电荷的硼离子(硼原子成为一个带有一个负电荷的硼离子(B-B-),),称为称为负电中心硼离子负电中心硼离子。其效果相当于形成了一个负电中。其效果相当于形成了一个负电中心和一个多余的
17、空穴。心和一个多余的空穴。掺有受主杂质的半导体称为掺有受主杂质的半导体称为P P型半导体型半导体。价带中形成一个带正电的空穴,此即为价带中形成一个带正电的空穴,此即为P P型半导体型半导体而硼原子则被称为而硼原子则被称为受主受主。29 多余的空穴束缚在负电中心周围,但这种束缚作用多余的空穴束缚在负电中心周围,但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多,只要很小的能量就可以使比共价键的束缚作用弱得多,只要很小的能量就可以使多余空穴挣脱束缚,成为自由空穴在晶格中运动,起到多余空穴挣脱束缚,成为自由空穴在晶格中运动,起到导电的作用导电的作用。这时硼原子就成了一个多了一个价电子的。这时硼原子就成了一个多了
18、一个价电子的硼离子,它是一个不能移动的硼离子,它是一个不能移动的负电中心负电中心。30 热平衡状态下,掺有浓度为热平衡状态下,掺有浓度为N NA A的受主杂质的半导的受主杂质的半导体中,空穴和准自由电子的浓度分别为体中,空穴和准自由电子的浓度分别为 l掺入受主杂质的半导体中,热平衡状态下的掺入受主杂质的半导体中,热平衡状态下的空穴空穴 浓度大于准自由电子浓度浓度大于准自由电子浓度,称这样的半导体为,称这样的半导体为P P型型 半导体半导体。l杂质浓度杂质浓度N NA A本征载流子浓度本征载流子浓度n ni il在在P P型半导体中型半导体中p p0 0n n0 0 ,空穴为多数载流子,电子,空
19、穴为多数载流子,电子为少数载流子。为少数载流子。22000 iiAAnnpNnpN31掺杂:掺杂:引入其它原子来改变半导体电性能的方法引入其它原子来改变半导体电性能的方法施主杂质:施主杂质:在半导体中提供准在半导体中提供准自由电子自由电子的杂质的杂质对于对于 Si 而言掺入的施主杂质一般为而言掺入的施主杂质一般为V族族 元素,如元素,如 磷磷 P、As等;等;ND 施主杂质浓度施主杂质浓度 cm-3一般情况下一般情况下 ND ni (1015 1020)常温下,施主杂质完全电离常温下,施主杂质完全电离 200 iDDnnNpN3 3)掺杂与杂质半导体掺杂与杂质半导体-总总 结结 32受主杂质:
20、受主杂质:在半导体中提供空穴的杂质在半导体中提供空穴的杂质对于对于Si而言掺入的受主杂质一般为而言掺入的受主杂质一般为III族族 元素,如硼元素,如硼 B、Ga等;等;NA 受主杂质浓度受主杂质浓度 cm-3一般情况下一般情况下NA ni (NA:1015 1020 cm-3)常温下受主杂质完全电离常温下受主杂质完全电离 200 iAAnpNnN4 4、费米能级、费米能级n如果一个能带中的某一个能级的能量设为如果一个能带中的某一个能级的能量设为E,则该能级,则该能级被电子占据的概率是符合一个函数规律的即为被电子占据的概率是符合一个函数规律的即为f(E),),f(E)称为费米函数。)称为费米函数
21、。当当f(E)=1/2时,得出的时,得出的E值对应的能级为费米能级。值对应的能级为费米能级。n费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的一费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的一个标志。费米能级以下的能级都被电子所填充。个标志。费米能级以下的能级都被电子所填充。n电子从费米能级高的一侧向低费米能级一侧流动。电子从费米能级高的一侧向低费米能级一侧流动。)exp(11)(TkEEEfBF本征与非本征半导体的费米能级:本征与非本征半导体的费米能级:本征半导体本征半导体(一块没有杂质和缺陷的半导体),(一块没有杂质和缺陷的半导体),n0=p0,费米能级大致在禁带的中央;,费米能级大致在禁带
22、的中央;N型半导体型半导体 n0p0,费米能级比较靠近导带;,费米能级比较靠近导带;P型半导体型半导体 p0n0,费米能级比较靠近价带;,费米能级比较靠近价带;掺杂浓度越高,费米能级离导带或价带越近。掺杂浓度越高,费米能级离导带或价带越近。5、PN结结空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流扩散电流 PN结的形成结的形成 一块一块P型半导体和一块型半导体和一块N型半导体结合在一起,型半导体结合在一起,在其交接面处形成在其交接面处形成PN结。结。PN结是各种半导体器结是各种半导体器件,件,如结型晶体管、如结型晶体管、集成电路的心脏。集成电路的心脏。空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流扩散电流 漂移电
23、流漂移电流 内电场内电场 PN结的形成结的形成空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流扩散电流 漂移电流漂移电流 内电场内电场 PN结的形成结的形成 以上在以上在N型半导体和型半导体和P型半导体结合面上形成的型半导体结合面上形成的物理过程物理过程过程概括如下:过程概括如下:因浓度差因浓度差 多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 扩散电流扩散电流漂移电流漂移电流 PN PN结结加正向电压时的导电情况加正向电压时的导电情况IFPN结N内电场外电场
24、内电场 PN结加正向电压结加正向电压REPNPN结结加正向电压时加正向电压时导通。导通。PNPN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况PN结N内电场内电场 PN结加反向电压结加反向电压RE外电场ISPNPN结加反向电压时结加反向电压时截止截止。当两块半导体结合形成当两块半导体结合形成P-N结时,按照费米能级的意义,结时,按照费米能级的意义,电子将从费米能级高的电子将从费米能级高的N区流向费米能级低的区流向费米能级低的P区,空穴则从区,空穴则从P区流向区流向N区。因而区。因而EFn不断下移,而不断下移,而EFp不断上移,直至不断上移,直至EFn=EFp。这时,这时,P-N结中有统结中有
25、统一的费米能级一的费米能级EF,P-N结结处于平衡状态,其能带处于平衡状态,其能带图如图所示。图如图所示。能带相对移动的原能带相对移动的原因是因是P-N结空间电荷区中结空间电荷区中存在内建电场的结果。存在内建电场的结果。1.1.2 半导体发光半导体发光1、辐射跃迁:、辐射跃迁:半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,以以光子光子的形式释放多余的能量,这称为辐射跃迁,的形式释放多余的能量,这称为辐射跃迁,辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。跃迁是电子跃迁是电子-空穴对复合空穴对复合激励:激励:光致发光光致
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