材料研究分析方法XPS课件.ppt
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- 关 键 词:
- 材料 研究 分析 方法 XPS 课件
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1、P PS S-紫紫外外光光电电子子能能谱谱仪仪3.3.A AE ES S-俄俄歇歇电电子子能能谱谱仪仪4.4.S SI IM MS S-二二次次离离子子质质谱谱5.5.E EE EL LS S-电电子子能能量量损损失失谱谱6.6.A AF FM M-原原子子力力显显微微镜镜7.7.S ST TM M-扫扫描描隧隧道道显显微微镜镜能量分析器:是谱仪的核心部分,用以精确测定电子结合能。能量分析器:有半球或筒镜分析器。位置灵敏探测器:一种高效探测器,可用于小面积XPS。E k=h-E b-式中E k为光电子动能,h 为激发光能量,E b是固体中电子结合能,为逸出功 系系列列内能级内能级:XPSXPS
2、分析的大部分信息由内能级谱提供分析的大部分信息由内能级谱提供,内能级结合内能级结合能及其相对强度分别用作元素识别和原子相对浓度测定。图中能及其相对强度分别用作元素识别和原子相对浓度测定。图中各谱峰是银原子电子壳层结构的直接反映。除各谱峰是银原子电子壳层结构的直接反映。除3S3S能级外,能级外,Ag2PAg2P的结合能已大于的结合能已大于1254eV1254eV。由于自旋偶合作用结果,图中的非。由于自旋偶合作用结果,图中的非S S轨道都是双峰。内能级符号为轨道都是双峰。内能级符号为nljnlj,这里,这里n n为主量子数,为主量子数,l l为轨为轨道角动量量子数,道角动量量子数,j j为总角量子
3、数,为总角量子数,j=j=(l+sl+s),其中),其中s s为自旋为自旋角动量量子数(角动量量子数(1/21/2)。因些当)。因些当l0l0时,必存在两个可能状态时,必存在两个可能状态,见表,这两个状态的能量差反映了光发射后留下的未配对电子见表,这两个状态的能量差反映了光发射后留下的未配对电子的自旋及轨道角动量矢量的的自旋及轨道角动量矢量的“平行平行”和和“反平反平”特点,特点,这个能这个能量差值可达数电子伏特。对于量差值可达数电子伏特。对于MgKMgK和和A1KXA1KX射线源,其光子射线源,其光子能量对周期表中除能量对周期表中除H H以外以外,任一原子至少可以激发一个内能级任一原子至少可
4、以激发一个内能级。其持征结合能数值可以用作明确的元素标识。其持征结合能数值可以用作明确的元素标识。化学位移效应化学位移效应n处于不同化学环境下的同一原子,其内能级谱中会出现处于不同化学环境下的同一原子,其内能级谱中会出现分立的分峰。分立的分峰。n氟是具有最大电负性的元素,它能诱导最大的化学位移。氟是具有最大电负性的元素,它能诱导最大的化学位移。如:氟聚合物的如:氟聚合物的C1sC1s谱,见下图谱,见下图n氟起到初级取代和次级取代作用,氟起到初级取代和次级取代作用,对于用氟简单取代对于用氟简单取代一个氢,初级位移为一个氢,初级位移为2.9eV2.9eV左右,次级位移为左右,次级位移为0.7eV0
5、.7eV左右。左右。n-CH-CH2 2 285eV,-CF 288.5eV,-CF285eV,-CF 288.5eV,-CF2 2 291.6eV,-CF291.6eV,-CF3 3 293.7eV,293.7eV,nCFCF2 2-CF-CF =3.1eV=3.1eV;CFCF3 3-CF-CF2 2=2.1eV=2.1eV不同温度处理后不同温度处理后Pd-SnO2Pd-SnO2薄膜中元素组成薄膜中元素组成 不同温度下不同温度下SnO2SnO2和和Pd-SnO2Pd-SnO2膜特征峰膜特征峰SnSn3d5/23d5/2的结合能的结合能 TiO2/SnO2TiO2/SnO2复合薄膜表面化学组
6、成及相对含量复合薄膜表面化学组成及相对含量 TiO2/SnO2TiO2/SnO2复合薄膜表面复合薄膜表面3#3#样品的样品的XPSXPS高分辨图谱高分辨图谱 及及C1sC1s测试数据测试数据溅射前后薄膜表面的溅射前后薄膜表面的T2PT2P图谱图谱Ar+Ar+溅射溅射300s300s后的后的Ti2pTi2p图谱分析图谱分析n不同配比不同配比TiO2/SnO2TiO2/SnO2复合薄膜样品溅射后的复合薄膜样品溅射后的Ti2pTi2p图谱峰形和结图谱峰形和结合能位置产生了变化合能位置产生了变化;n根据表中根据表中TiTi的结合能大小,推断为的结合能大小,推断为TiTi+2+2、TiTi+3+3或或T
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