CMOS模拟集成电路设计ch3单级放大器课件.ppt
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- CMOS 模拟 集成电路设计 ch3 放大器 课件
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1、11/25/20221CMOS模拟集成电路设计单级放大器11/25/2022提纲2提纲 1、共源级放大器 2、共漏级放大器(源跟随器)3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器11/25/2022311/25/2022共源级放大器41、共源级放大器 1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析cutoffactivetriode MOS管工作在饱和区时11/25/2022共源级放大器5 小信号分析 考虑沟道长度调制时,11/0inmoutDVVg VVRvmDAg R 11/25/2022共源级放大器6 讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性11/25/2022共源级放大器7 1.2 MOS二
2、极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接二极管连接的阻抗为二极管连接的阻抗为 考虑体效应时11/25/2022共源级放大器8 增益 NMOS二极管连接做负载其中没有体效应 PMOS二极管连接做负载11/25/20229 另一种二极管连接nmos管做负载的结构 优点?缺点?11/25/202210 另一种二极管连接nmos管做负载的结构 电流镜只采用nmos 没有体效应 增益精确 好的PSRR 两倍功耗11022(/)(/)mvmgWLAgWL21/outmRg11/25/2022共源级放大器11 讨论 增益与输入信号无关,是器件尺寸的弱函数。高增益要求会造成晶体管的尺寸不均衡。例:为了达到10
3、倍增益,则(W/L)1=50(W/L)2在这个例子中,在这个例子中,M2的过驱动电压应该是的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的的过驱动电压的10倍。倍。若若VGS1-VTH1=200mV,|VTH2|=0.7V,|VGS2|=2.7V,严重制约输出电,严重制约输出电压摆幅。压摆幅。允许的输出电压摆幅减小。11/25/2022共源级放大器12 1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱,因此对输出摆幅的限制较小。长沟器件可以产生高的电压增益。同时增加W、L将引入更大的节点电容。ID AV 考虑沟道长度调制,DDDVIIIA1)
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