高中物理竞赛课件:磁场.ppt
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- 高中物理 竞赛 课件 磁场
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1、磁场磁场 基本知识介绍 磁场部分在奥赛考刚中的考点很少,和高考要求的区别不是很大,只是在两处有深化:a、电流的磁场引进定量计算;b、对带电粒子在复合场中的运动进行了更深入的分析。一、磁场与安培力一、磁场与安培力 毕奥毕奥-萨伐尔定律:对于电流强度为萨伐尔定律:对于电流强度为I、长度为长度为dI的导体元段,在距离为的导体元段,在距离为r的点激发的的点激发的“元磁感应强度元磁感应强度”为为dB。矢量式:。矢量式:3rKrlIdBdrr 表示导体元段的方向沿电流的方向、表示导体元段的方向沿电流的方向、为导体元段到考为导体元段到考查点的方向矢量);查点的方向矢量);ld04k 702410N/A =1
2、.0107N/A2 r 常用常用电流元引起的磁场的毕萨定律大小关系式:04k 702410N/A 2sinIlBkr 应用毕萨定律再结合矢量叠加原理,可以求解任何形状导线在任何位置激发的磁感应强度。02IaB 或或 032222ISax 或或 B2 2、安培力、安培力=Ia a、对直导体,、对直导体,F=BILsinF=BILsin再结合再结合“左手定则左手定则”解决方向问题(解决方向问题(为为B B与与L L的夹角)。的夹角)。b b、弯曲导体的安培力、弯曲导体的安培力折线导体所受安培力的合力等于连接始末折线导体所受安培力的合力等于连接始末端连线导体(电流不变)的的安培力。端连线导体(电流不
3、变)的的安培力。导体的内张力导体的内张力弯曲导体在平衡或加速的情形下,均会出现内张力,具弯曲导体在平衡或加速的情形下,均会出现内张力,具体分析时,可将导体在被考查点切断,再将被切断的某体分析时,可将导体在被考查点切断,再将被切断的某一部分隔离,列平衡方程或动力学一部分隔离,列平衡方程或动力学方程求解。方程求解。如何证明?如何证明?证明:参照图,令证明:参照图,令MNMN段导体的安培力段导体的安培力F F1 1与与NONO段导体的安培力段导体的安培力F F2 2的合力为的合力为F F,则,则F F的大小的大小为:为:关于关于F F的方向,由于的方向,由于FFFF2 2PMNOPMNO,可以证明,
4、可以证明图中的两个灰色三角形相图中的两个灰色三角形相似,这也就证明了似,这也就证明了F F是垂直是垂直MOMO的,再由于的,再由于PMOPMO是等腰是等腰三角形故三角形故F F在在MOMO上的垂足就上的垂足就是是MOMO的中点了。的中点了。证毕。证毕。由于连续弯曲的导体可由于连续弯曲的导体可以看成是无穷多元段直线导以看成是无穷多元段直线导体的折合,所以,关于折线体的折合,所以,关于折线导体整体合力的结论也适用导体整体合力的结论也适用于弯曲导体。(说明:这个于弯曲导体。(说明:这个结论只适用于匀强磁场。)结论只适用于匀强磁场。)c c、匀强磁场对线圈的转矩、匀强磁场对线圈的转矩如如图图9-29-
5、2所示,当一个矩形线圈(线圈面积为所示,当一个矩形线圈(线圈面积为S S、通以恒定电流通以恒定电流I I)放入匀强磁场中,且磁场)放入匀强磁场中,且磁场B B的方的方向平行线圈平面时,线圈受安培力将转动(并自向平行线圈平面时,线圈受安培力将转动(并自动选择垂直动选择垂直B B的中心轴的中心轴OOOO,因为质心无加速度),因为质心无加速度),此瞬时的力矩为此瞬时的力矩为M=BISM=BIS。几种情形的讨论几种情形的讨论增加匝数至增加匝数至N N,则,则 M=NBIS M=NBIS;转轴平移,结论不变;转轴平移,结论不变;线圈形状改变,结论不变;线圈形状改变,结论不变;磁场平行线圈平面相对原磁场方
6、向旋转角,则M=NBIScos,如图9-3;磁场B垂直OO轴相对线圈平面旋转角,则M=NBIScos,如图9-4。说明:在默认的情况下,讨论线圈的转矩时,认为线圈的转轴垂直磁场。如果没有人为设定,而是让安培力自行选定转轴,这时的力矩称为力偶矩。qEam Bq,mv0匀变速直线运动匀变速直线运动速度为速度为vo的匀速直线运动的匀速直线运动0a 匀变速曲线运动匀变速曲线运动(类平抛类平抛)(轨迹为半支抛物线轨迹为半支抛物线)匀速圆周运动匀速圆周运动(轨道圆平面与磁场垂直轨道圆平面与磁场垂直)002;mvqv BmaRTmqBqB 匀变速曲线运动匀变速曲线运动(类斜抛类斜抛)匀速圆运动与匀速直线运动
7、合成匀速圆运动与匀速直线运动合成(轨迹为等距螺旋线轨迹为等距螺旋线)000sinsin;2cosqv BmvaRmqBmhvqB v0 0方向与场方向与场方向成方向成角角v0 0方向与场方向与场的方向垂直的方向垂直v0方向与场方向与场的方向平行的方向平行匀强磁场中匀强磁场中匀强电场中匀强电场中比较比较qEam v0q,mEqEam 磁场对运动电荷及电流的力磁场对运动电荷及电流的力第二讲第二讲 典型例题解析典型例题解析【例题例题1 1】两根无限长的平行直导线】两根无限长的平行直导线a a、b b相相距距40cm40cm,通过电流的大小都是,通过电流的大小都是3.0A3.0A,方向,方向相反。试求
8、位于两根导线之间且在两导线相反。试求位于两根导线之间且在两导线所在平面内的、与所在平面内的、与a a导线相距导线相距10cm10cm的的P P点的点的磁感强度。磁感强度。这是一个关于毕萨定律的简单应用。【答案】大小为8.0106T,方向在图9-9中垂直纸面向外。解解:OA解题方向解题方向:两电流在两电流在O点引起的磁场叠加点引起的磁场叠加I1AB的的优弧与劣弧段电流与电优弧与劣弧段电流与电阻成反比阻成反比,即即1221ILIL 由毕萨拉定律知由毕萨拉定律知,两弧上电流在两弧上电流在O点引起的磁场磁感应点引起的磁场磁感应强度大小关系为强度大小关系为:BI2111222BI LBI L 12BB
9、0OB 两根长直导线沿半径方向引到铁环上两根长直导线沿半径方向引到铁环上A、B两点,两点,并与很远的电源相连,如图所示并与很远的电源相连,如图所示,求环中心的磁感应强度求环中心的磁感应强度 解解:解题方向解题方向:利用对称利用对称性及磁场叠加性及磁场叠加!AB123456789111210I3I3I6I6I3I3I3I3I6I6I6I6I0OB O 由相同导线构成的立方形框架如图所示,让电流由相同导线构成的立方形框架如图所示,让电流I从顶从顶点点A流入、流入、B流出,求立方形框架的几何中心流出,求立方形框架的几何中心O处的磁感应强度处的磁感应强度【例题】半径为【例题】半径为R R,通有电流,通
10、有电流I I的圆形线的圆形线圈,放在磁感强度大小为圈,放在磁感强度大小为B B、方向垂直线、方向垂直线圈平面的匀强磁场中,求由于安培力而引圈平面的匀强磁场中,求由于安培力而引起的线圈内张力。起的线圈内张力。本题有两种解法。本题有两种解法。方法一:隔离一小段弧,对应圆心角方法一:隔离一小段弧,对应圆心角 ,则弧长,则弧长L=R L=R。因为。因为 0 0(在图(在图9-109-10中,为了说明中,为了说明问题,问题,被夸大了),弧形导体可视为直导体,被夸大了),弧形导体可视为直导体,其受到的安培力其受到的安培力F=BIL F=BIL,其两端受到的张力其两端受到的张力设为设为T T,则,则T T的
11、合力:的合力:方法二:隔离线圈的一半,根据弯曲导体求安培力的定式和平衡方程即可求解。再根据平衡方程和 即可求解T。sin0?【答 案】BIR 思考如果圆环的电流是由于环上的带正电物质顺时针旋转而成(磁场仍然是进去的),且已知单位长度的电量为、环的角速度、环的总质量为M,其它条件不变,再求环的内张力。此时环的张力由两部分引起:安培力,离心力。前者的计算上面已经得出:如图所示,如图所示,S S是粒子源,只能在纸面上的是粒子源,只能在纸面上的360360范围内发射速率相同、质量为范围内发射速率相同、质量为m m、电、电量为量为q q的电子。的电子。MNMN是一块足够大的挡板,与是一块足够大的挡板,与
12、S S相距相距OSOS=L=L。它们处在磁感强度为。它们处在磁感强度为B B、方、方向垂直纸面向里的匀强磁场中,试求:向垂直纸面向里的匀强磁场中,试求:S(1 1)要电子能到达挡板,)要电子能到达挡板,其发射速度至少应为多大?其发射速度至少应为多大?(2 2)若发射速率为)若发射速率为 ,则,则电子击打在挡板上的范围怎电子击打在挡板上的范围怎样?样?解】第一问,电子能击打到挡板的临界情形是轨迹与挡板相切,此时 rmin=2L在第二问中,先求得在第二问中,先求得r=r=L L,在考查各种方向的初,在考查各种方向的初速所对应的轨迹与挡板相速所对应的轨迹与挡板相交的交的“最远最远”点。值得注点。值得
13、注意的意的是,是,O O点上方的最远点点上方的最远点和下方的最远点并不是相和下方的最远点并不是相对对O O点对称的。点对称的。在相互垂直的匀强电、磁场中,在相互垂直的匀强电、磁场中,E E、B B值已值已知,一个质量为知,一个质量为m m、电量为、电量为+q+q的带电微粒的带电微粒(重力不计)无初速地释放,试求该粒子(重力不计)无初速地释放,试求该粒子的的:(1(1)轨迹顶点)轨迹顶点P P的曲率半径的曲率半径r r(4)粒子从O到P做经历的时间t(2)到P点速度(3 3)电场方向的最大位移)电场方向的最大位移Y Y在相互垂直的电、磁场中,粒子受力的情形非常复杂,用运动的分解与合成的手段也有相
14、当的困难,必须用到一些特殊的处理方法。鉴于粒子只能在垂直B的平面内运动,可以在该平面内建立如图9-16所示的直角坐标。摆线亦称旋轮线,是由轮子在水平面无滑滚动时轮子边摆线亦称旋轮线,是由轮子在水平面无滑滚动时轮子边缘形成的轨迹(如图缘形成的轨迹(如图9-179-17所示)。在本题中可以认为所示)。在本题中可以认为“轮子轮子”的旋转是由洛仑兹力独立形成的。而从的旋转是由洛仑兹力独立形成的。而从O O到到P P的的过程,轮子转动的圆心角应为过程,轮子转动的圆心角应为,故对应时间为:,故对应时间为:【例题】单摆的摆长为【例题】单摆的摆长为L L,摆球带电,摆球带电+q+q,放在匀强磁场中,球的摆动平
15、面跟磁场垂直,放在匀强磁场中,球的摆动平面跟磁场垂直,最大摆角为最大摆角为 。为使其能正常摆动,磁场。为使其能正常摆动,磁场的磁感强度的磁感强度B B值有何限制?值有何限制?【解】解题的关键所在是要分析清楚:小球“最有可能脱离圆弧”的点是否一定在最低点?下面的定量讨论完成之后,我们将会发现:这个答案是否定的。针对某个一般位置针对某个一般位置P P,设方位角,设方位角(如图(如图9-189-18所示),所示),如果小球没有离开圆弧,可以列出如果小球没有离开圆弧,可以列出 如图所示,如图所示,S为一离子源,它能机会均等地向各个方向持续发射大量质量为为一离子源,它能机会均等地向各个方向持续发射大量质
16、量为m、电、电量为量为q、速率为、速率为v的正离子,在离子源的右侧有一半径为的正离子,在离子源的右侧有一半径为R的圆屏,离子源在其轴线的圆屏,离子源在其轴线上在离子源与圆屏之间的空间有范围足够大的方向水平向右并垂直于圆屏的匀上在离子源与圆屏之间的空间有范围足够大的方向水平向右并垂直于圆屏的匀强磁场,磁感应强度为强磁场,磁感应强度为B,在发射的离子中有的离子不管,在发射的离子中有的离子不管SO距离如何改变,总能距离如何改变,总能打在圆屏上求这样的离子数目与总发射离子数目之比打在圆屏上求这样的离子数目与总发射离子数目之比 S解解:离子的运动是一系列等螺距的螺旋运动,若离子的初速度离子的运动是一系列
17、等螺距的螺旋运动,若离子的初速度v与与SO成成角,则其轨迹的螺距为角,则其轨迹的螺距为2c o smhvq B sinmvrqB 螺旋截面圆的半径为螺旋截面圆的半径为 只要向屏方向只要向屏方向 sin2mvRqB Bq,mv1sin2qBRmv 离子源附近射出离子各向均匀离子源附近射出离子各向均匀 总能打在屏上的离子占总数的比为总能打在屏上的离子占总数的比为 a21221cossin24qBRamvka 21122qBRmv SO在正交的匀强电场与匀强磁场中,电荷以垂直于两场在正交的匀强电场与匀强磁场中,电荷以垂直于两场 方向进入,可能做匀速直线运动:方向进入,可能做匀速直线运动:0EvB F
18、eEBv0fB在正交的匀强电场与匀强磁场中,电荷以垂直于两场在正交的匀强电场与匀强磁场中,电荷以垂直于两场 方向进入,可能做轨迹为摆线的运动:方向进入,可能做轨迹为摆线的运动:示例示例规律规律 如图如图(a)所示,两块水平放置的平行金属板所示,两块水平放置的平行金属板A、B,板长,板长L=18.5cm,两板间距两板间距d=3 cm,两板之间有垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感在,两板之间有垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感在强度强度B=6.010-2 T,两板间加上如图,两板间加上如图(b)所示的周期性电压,带电时所示的周期性电压,带电时A板带正电,当板带正电,当t=0时,有一个质量时,有一个质量m=
19、1.010-12 kg,带电荷量,带电荷量q=1.010-6 C的粒子,以速度的粒子,以速度v=600 m/s,从距,从距A板板2.5 cm处沿垂直处沿垂直于磁场、平行于两板的方向射入两板之间,若不计粒子重力,求于磁场、平行于两板的方向射入两板之间,若不计粒子重力,求粒子在粒子在0110-4 s内做怎样的运动?位移多大?内做怎样的运动?位移多大?带电粒子从射入带电粒子从射入到射出极板间所用时间?到射出极板间所用时间?BA53.6 10 NeUFqd 53.6 10 NBfBqv 有电场时:有电场时:粒子做匀速直线运动!粒子做匀速直线运动!6cmSvT 无电场时,粒子做匀速圆周运动:无电场时,粒
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