微波抛物面天线的辐射原理课件.ppt
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- 微波 抛物面天线 辐射 原理 课件
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1、1解放军理工大学通信工程学院23本次课主要内容:本次课主要内容:一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场三、抛物面天线的辐射场三、抛物面天线的辐射场四、抛物面天线的增益四、抛物面天线的增益五、抛物面天线的馈源五、抛物面天线的馈源4两类常见的反射面天线抛物面天线抛物面天线卡塞格伦天线卡塞格伦天线5反射面天线的应用单射抛物面天线单射抛物面天线双反射面天线双反射面天线6反射面天线反射面天线 反射面天线的结构有一个反射面天线的结构有一个共同的特点:都是由馈源和共同的特点:都是由馈源和反射面两部分组成,馈源产反射面两部分组成,馈源产
2、生方向性较差的初级辐射,生方向性较差的初级辐射,并把能量投射到尺寸比它大并把能量投射到尺寸比它大得多的金属反射面上,经反得多的金属反射面上,经反射后形成方向性较好的次级射后形成方向性较好的次级辐射。辐射。1、旋转抛物面、旋转抛物面 2、切割抛、切割抛物面物面3、抛物柱面、抛物柱面 7 焦距:焦距:fOF 口径:口径:D,y的最大值的两倍的最大值的两倍 深度:深度:L,z的最大值的最大值 半张角:半张角:,的最大值的最大值zzOyxDFL000 抛物面的几何关系抛物面的几何关系 OyFflQzr rf一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性 一、抛物面的几何特性和光学
3、特性一、抛物面的几何特性和光学特性 抛物线上动点抛物线上动点 所满足的极坐标方程为:所满足的极坐标方程为:22sec1cos2ffr Q(y,z)所满足的直角坐标方程为所满足的直角坐标方程为24yfzsinyrcoszfr在直角坐标系中,旋转抛物面的方程为在直角坐标系中,旋转抛物面的方程为224xyfz,Qr fzr020012 sincos()2mDfrr024DtanfOyFflQzr rfzmr0D9 在抛物面边缘处有在抛物面边缘处有 ,此时,此时 ,称抛物面深度。将这些关系代入式,得:称抛物面深度。将这些关系代入式,得:222()2DxyzL22224()2416xyfzDDLff抛物
4、面的几何参数主要有:焦距抛物面的几何参数主要有:焦距 ,抛物面的口径,抛物面的口径 ,抛物面的张角,抛物面的张角 和抛物面的深度。这四个参数只有和抛物面的深度。这四个参数只有两个是独立的,其它两个可以推导得出。两个是独立的,其它两个可以推导得出。fD02一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性DOyFflQ Lr rf10抛物面有两个重要的几何特性:抛物面有两个重要的几何特性:(1 1)由焦点发出的射线经抛物面反射后到达焦平面的总长度)由焦点发出的射线经抛物面反射后到达焦平面的总长度相等。相等。(2 2)由焦点)由焦点F F发出的射线及其在抛物面上的反射线与反射点的
5、发出的射线及其在抛物面上的反射线与反射点的法线之间的夹角相等,即法线之间的夹角相等,即 2ir(1 1)所有的反射线都与抛物)所有的反射线都与抛物面的对称轴平行。面的对称轴平行。(2 2)口径上的场处处同相。)口径上的场处处同相。OzyFQQ r iY Y一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性221cos/2cos/2cos/2 sin/2SSNSfeeeerrrrr cos/2sin/2neer coscos/2sin/2cos/2eneeerrr coscos/2sin/2cos/2cossinzzzeneeeeeerr /2一、抛物面天线的几何结构及光学特性
6、一、抛物面天线的几何结构及光学特性tenOzyFQQY Y证明:证明:120,490oDffLY 抛物面天线分类抛物面天线分类OzyFfY Y0 0OzyFfY Y0 0OzyFfY Y0 02()42DfL0,490oDffLY 0,490oDffLY 长焦距长焦距中焦距中焦距短焦距短焦距一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性13000012arc4/53.1373.790tgfD一、抛物面天线的几何结构及光学特性一、抛物面天线的几何结构及光学特性14抛物面天线的分析方法:抛物面天线的分析方法:1 1、感应面电流法、感应面电流法2 2、口径场法、口径场法3 3、
7、几何绕射理论、几何绕射理论GDTGDT 条件:条件:两种方法都只有在反射面的曲率半径和口径半径远大于两种方法都只有在反射面的曲率半径和口径半径远大于波长时才近似成立,这两种方法都是建立在几何光学基础上的波长时才近似成立,这两种方法都是建立在几何光学基础上的近似程度:近似程度:计算结果在方向图的主瓣和近轴副瓣区域是比较精计算结果在方向图的主瓣和近轴副瓣区域是比较精确的,但在远副瓣和后瓣区域内误差相当大,这些区域场的计确的,但在远副瓣和后瓣区域内误差相当大,这些区域场的计算只有采用几何绕射理论近似。算只有采用几何绕射理论近似。二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场15应用口径场法和面电流分布
8、法计算抛物面应用口径场法和面电流分布法计算抛物面天线的辐射场时,还必须作如下假设:天线的辐射场时,还必须作如下假设:1 1、反射面位于馈源的远区反射面位于馈源的远区2 2、反射面背向没有高频电流;反射面背向没有高频电流;3 3、反射面对馈源的影响可以忽略不计;反射面对馈源的影响可以忽略不计;4 4、忽略发射面边缘处电流的不连续性的影响;、忽略发射面边缘处电流的不连续性的影响;5 5、不考虑馈源的直接辐射以及其支撑物的影响;、不考虑馈源的直接辐射以及其支撑物的影响;6 6、照射器的方向图也是旋转对称的、照射器的方向图也是旋转对称的二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场
9、二、抛物面天线的口径场入射波采用球坐标系(入射波采用球坐标系(),反射波采用圆柱坐),反射波采用圆柱坐标系(标系()。设馈源的方向性函数为:)。设馈源的方向性函数为:,r ,szr 02(,)(,)fffDD F 影响方向性的四个因数是:形状、尺寸、口径场振幅分影响方向性的四个因数是:形状、尺寸、口径场振幅分布、相位分布。抛物面天线的口径场振幅分布取决于抛物布、相位分布。抛物面天线的口径场振幅分布取决于抛物面天线的焦径比和馈源方向性。面天线的焦径比和馈源方向性。OzFr rY Yy yxr rsxQ已知馈源辐射功率是已知馈源辐射功率是 ,则,则它在抛物面上入射的电场是它在抛物面上入射的电场是:
10、rfP201cos60(,)2afrffED P Ff 1|60(,)aifrfEEDP r0fD馈源最大辐射方向的方向性系数馈源最大辐射方向的方向性系数(,)fF 馈源的归一化方向性函数。馈源的归一化方向性函数。OzFr rY Yy二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场Q60(,)rffjkiiP DEeer r入射的电场入射的电场60(,)rffjkrrP DEeer r反射的电场反射的电场X18影响口径场分布的因素 空间衰减因子As 馈源方向图 Ff(Y,)01(,)60(,)fffEP DF rOzyFQQY Yr r二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场19(1 1)空间
11、衰减因子)空间衰减因子AsAs 2001()cos()1(0)2smssEAEfr(2)馈源方向图)馈源方向图 用一个单一线极化的电流元作馈源时,电流元的轴用一个单一线极化的电流元作馈源时,电流元的轴与与y y轴平行,馈源的主极化方向就是轴平行,馈源的主极化方向就是y y方向方向 投射到抛物面上任意一点投射到抛物面上任意一点Q的场,都比投射到抛物面顶点的场,都比投射到抛物面顶点O的场幅值小,这是因为的场幅值小,这是因为 fr(,)fF 二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场2222cossincos1cossincosjkfaxjkfayKEeKEerrOzFr rY Yxy 用一个单一
12、线极化的电流元作馈源时,电流元的轴用一个单一线极化的电流元作馈源时,电流元的轴与与y y轴平行,馈源的主极化方向就是轴平行,馈源的主极化方向就是y y方向方向二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场2222cossincos1cossincosjkfaxjkfayKEeKEerr90,0axEE E平面交叉极化分量零平面交叉极化分量零2cosjkfayKEer0,0axEH H平面交叉极化分量零平面交叉极化分量零2jkfayKEerYX长焦距抛物面口径场分布长焦距抛物面口径场分布 ayEE面面a.交叉极化分量对两个交叉极化分量对两个主平面是反对称的主平面是反对称的,所以在两所以在两个主平面
13、上:个主平面上:,说明,说明交叉极化分量对两个主平面交叉极化分量对两个主平面没有贡献;没有贡献;b.b.交叉极化分量的最大交叉极化分量的最大值出现在两个平面内,值出现在两个平面内,它们的辐射构成交叉极化旁它们的辐射构成交叉极化旁瓣,它降低了抛物面天线的瓣,它降低了抛物面天线的增益。增益。沿沿x x方向分布要比沿方向分布要比沿y y方向分方向分布更均匀些。布更均匀些。axEaxE0045,135s0axEayExH面面线极化的电流元作馈源时,若电流元的轴与线极化的电流元作馈源时,若电流元的轴与y y轴平行轴平行二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场yx100,/0.5DF D主极化方向图主
14、极化方向图二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场长焦距抛物面口径场分布长焦距抛物面口径场分布 y沿沿y y轴放一电流元轴放一电流元沿沿x x轴放一磁流元轴放一磁流元合成的反射面天线口合成的反射面天线口径场径场主交叉极化分量方向图主交叉极化分量方向图二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场电流元电流元磁流元磁流元合成场合成场1 1、方向图的主瓣宽度与口径、方向图的主瓣宽度与口径的电尺寸成反比。的电尺寸成反比。2 2、愈大,口径场分布愈大,口径场分布愈均匀,主瓣宽度的愈小,旁愈均匀,主瓣宽度的愈小,旁瓣电平愈高。瓣电平愈高。/fD24有害区的出现yxOyzY Y0 0=90=90,出现极
15、点出现极点yxOyzY Y0 09090,出现有害区出现有害区二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场25不同,馈源方向图相同时口径场分布不同,馈源方向图相同时口径场分布/fD相同,馈源方向图不同时口径场分布相同,馈源方向图不同时口径场分布/fD1、馈源方向图、馈源方向图相同,抛物面天相同,抛物面天线的几何结构参线的几何结构参数数 不同不同/fD2 2、馈源方向图不同、馈源方向图不同,但抛物面天线的几何结但抛物面天线的几何结构参数相同构参数相同/fD二、抛物面天线的口径场二、抛物面天线的口径场26抛物柱面天线抛物柱面天线设线元的功率方向函数为设线元的功率方向函数为:,fffGxGGx 12
16、0rffjkfPGGxEeLrr抛物柱面口径场为同相场抛物柱面口径场为同相场 120,rffjk fLsPGGxExeLr21 cosfr 抛物面增益因子为抛物面增益因子为 2/200/21/2sec82LffLGgctgGdLzyMNOzfLY Y0 0QDrP-1-0.50.510.20.40.60.811)渐削分布的圆形口径)渐削分布的圆形口径 口径场振幅分布可近似为自口径中心向边缘渐削的分口径场振幅分布可近似为自口径中心向边缘渐削的分布,且口径场分布接近于轴向对称,只是布,且口径场分布接近于轴向对称,只是 或或r r的函的函数而不是数而不是 的函数的函数 口径场的分布是口径场的分布是2
17、1 ()naEaarrrn=0n=1n=2-1-0.500.51u-1-0.500.51v00.250.50.751f-1-0.500.51un=1n=31 1、抛物面递减分布、抛物面递减分布三三.抛物面天线的辐射场抛物面天线的辐射场1、求圆口径场的一种有效方法、求圆口径场的一种有效方法渐削圆口径分布的特性渐削圆口径分布的特性 nBW0.5 rad副瓣电平副瓣电平dB 口径渐消口径渐消效率效率e e1 归一化方向函数归一化方向函数分布分布0-17.61.00均匀均匀1-24.60.75渐消渐消2-30.60.55平方渐消平方渐消1.022a1.272a1.472a 12sinsinJaFa 2
18、28sin(sin)JaFa 3348sin(sin)JaFa21 ()naEaarrr11121!sin,sinnnnnJaFna2124uDae-1-0.50.510.20.40.60.81n=0n=1n=22 2)台阶渐削的圆形口径)台阶渐削的圆形口径 前面的分析口径场在口径边缘是前面的分析口径场在口径边缘是0如果口径边缘场不到如果口径边缘场不到0,而是在,而是在01之间的之间的C,那那么会是什么结果呢?么会是什么结果呢?2(1)1naECCarr 1,0,1,11CCFnFnnFn CCCn-1-0.50.510.20.40.60.81n=0n=1n=2C=0.2三三.抛物面天线的辐射
19、场抛物面天线的辐射场 台阶渐削的圆形口径性能对比台阶渐削的圆形口径性能对比边缘边缘电平电平n=1n=1n=2n=2C(dB)CBW0.5 rad 副瓣电副瓣电平平dB 效率效率BW0.5 rad 副瓣电副瓣电平平dB 效率效率-8-80.3980.398-21.5-21.50.9420.942-24.7-24.70.9180.918-10-100.3160.316-22.3-22.30.9170.917-27-270.8770.877-12-120.2510.251-22.9-22.90.8930.893-29.5-29.5 0.834 0.834-14-140.20.2-23.4-23.40
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