传感器原理-速度传感器磁电霍尔课件.ppt
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- 关 键 词:
- 传感器 原理 速度 磁电 霍尔 课件
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1、速度测量概述1、转速测量中主要考虑的问题1)被测物体运动的速度范围超低速(0.102.00r/min)低速(0.5500r/min)(2020000r/min)高速(500200000r/min)超高速(500600000r/min)全速(0.10600000r/min)适用的测速传感器较多2)被测物体可测点几何形状例:光轴、齿轮、叶片、带孔、带槽、带销、微型电机3)环境条件4)动态/静态时的显示、记录、控制5)误差、响应时间、输出控制形式2、转速测量的分类及实现方案根据传感器安装方式:1接触式2非接触式根据传感器不同:1磁电2光电3霍尔4磁敏传感器测量范围(kHz)感应对象检测距离(mm)应
2、用场合磁敏传感器010铁、电工钢0.51.5速度、位移磁电传感器505000电工钢0.51速度霍尔传感器010磁铁15速度、位移光电传感器010自然光、红外光115速度、位移接近开关0200Hz金属15速度、位移3、转速测量电路1)转速测量仪的基本组成:2)转速测量基本方法定数采样定数采样:这种方法其实是测量单个脉冲的周期或指定个数脉冲的总周期。这种测量脉冲的方法又叫做测周法测周法。定时采样定时采样。这种方法其实是测量单位时间的脉冲个数。这种测量脉冲的方法又叫做测频法测频法。频率电压转换(f/V)频率转速N=f/分频数4、转速传感器的选择原则测量环境 价格测量范围 可靠性系统功耗单位r/min
3、 r/s 一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理一、霍尔效应和霍尔元件的工作原理 在半导体薄片中通在半导体薄片中通以电流以电流I,I,在与薄片垂直在与薄片垂直方向加磁场方向加磁场B B,则在半,则在半导体薄片的另外两端,导体薄片的另外两端,产生一个大小与控制电产生一个大小与控制电流流I I和和B B乘积成正比的电乘积成正比的电动势,这种现象称为霍动势,这种现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势,该薄片称为霍尔电势,该薄片称为霍尔元件。尔元件。1 1、霍尔效应、霍尔效应2 2、霍尔电势、霍尔电势UH KH I B 单位磁感应强度和单位控制电流作用时,所单位磁感应强度和单位控制电流作用
4、时,所能输出的霍尔电势的大小。单位是能输出的霍尔电势的大小。单位是mV/mV/(mAmAT T)意义:意义:与材料的物理性质和几何尺寸有关,决与材料的物理性质和几何尺寸有关,决定霍尔电势的强弱。定霍尔电势的强弱。若磁感应强度若磁感应强度B B的方向与霍尔元件的平面法线夹的方向与霍尔元件的平面法线夹角为角为时,霍耳电势应为:时,霍耳电势应为:VH KH I B cos 霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。霍尔电压霍尔电压UH为:为:IBKnedIBUHH式中式中 n 半导体单位体半导体单位体积中的载流子数积中的载流子数 e 电子电量电子电量 KH霍尔元件灵
5、敏度霍尔元件灵敏度,KH1/ned 霍尔器件符号霍尔器件符号HABCDABCDBACDC、D:霍耳输出端,称为:霍耳输出端,称为霍尔端霍尔端或输出端。或输出端。A、B:电极端,称为元件:电极端,称为元件电流端电流端、控制电流端或、控制电流端或 输入电流端。输入电流端。红色红色导线导线红色红色导线导线绿色绿色导线导线绿色绿色导线导线一般为一般为4mm4mm2mm2mm0.1mm0.1mm二材料及结构特点二材料及结构特点 霍尔元件一般采用具有霍尔元件一般采用具有N型的锗、锑化铟和砷化型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。铟等半导体单晶材料制成。1.锑化铟元件的输出较大,但受温度的影响也较大。
6、锑化铟元件的输出较大,但受温度的影响也较大。2.锗元件的输出虽小,但它的温度性能和线性度却比较好。锗元件的输出虽小,但它的温度性能和线性度却比较好。3.砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大,但是受温砷化铟元件的输出信号没有锑化铟元件大,但是受温度的影响却比锑化铟的要小,而且线性度也较好。度的影响却比锑化铟的要小,而且线性度也较好。采用砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用采用砷化铟为霍尔元件的材料得到普遍应用。特点小结输入1输入2输出1输出2磁性顶端引线衬底霍尔元件霍尔元件的主要特性参数:(1)输入电阻和输出电阻 输入电阻:控制电极间的电阻 输出电阻:霍尔电极之间的电阻(2)额定控制电流和最大允许
7、控制电流 额定控制电流:当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10温升时,对应的控制电流值 最大允许控制电流:以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值(3)不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势:当霍尔元件的控制电流为额定值时,若元件所处位置的磁感应强度为零,测得的空载霍尔电势。不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的,r 0称不等位电阻 型型号号 材材料料 控控制制 电电流流(mA)霍霍尔尔 电电压压(mV,0.1T)输输入入 电电阻阻()输输出出 电电阻阻()灵灵敏敏度度(mV/mA.T)不不等等位位电电势势(mV)VH温温度度 系系数数(%/)EA218 InAs 100
8、8 8.5 5 3 3 1 1.5 5 0 0.3 35 5 1 13 3 6 6.5 5 2 2.4 4 0 0.7 75 5 1 1 0 0.0 07 7 VHG-110 GaAs 5 5 5 -1 10 0 2 20 00 0-8 80 00 0 2 20 00 0-8 80 00 0 3 30 0-2 22 20 0 5 5 4 40 0 3 30 0 2 2.5 5 _ _ -0 0.0 02 2 MF07FZZ InSb 10 4 40 0-2 29 90 0 8 8-6 60 0 8 8-6 65 5 _ _ 1 10 0 -2 2 MF19FZZ InSb 10 8 80 0-
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