传感器第四章-光电式传感器原理与应用-课件.ppt
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- 传感器 第四 光电 原理 应用 课件
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1、第第4 4章章 光电式传感器原理与应用光电式传感器原理与应用4.1 光电效应和光电器件4.2 光电码盘4.3 电荷耦合器件4.4 光纤传感器4.5 光栅传感器光电式传感器2x工作原理:把被测量的变化转换成光信号的变化,然后 通过光电转换元件变换成电信号。辐射源光学通路光电元件1x12I光电效应?物理学中认为光是由分离的能团光子组成波粒子能量:Ehf所谓光电效应是物体吸收能量为E的光后所产生电效应根据爱因斯坦的假设,一个光子的能量只能给一个电子,因此,要使一个电子从物质的表面逸出,光子的能量E必须大于该物质表面的逸出功A0,即20012kEmvhfA4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管光
2、电管4.1.2 光电倍增管4.1.3 光敏电阻4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池4.1.6 光电式传感器的应用4.1.1 外光电效应(光电发射型)在光线作用下使电子逸出物体表面的现象。如光电管、光电倍增管光电管当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子,当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子,电子被带正电位的阳极所吸引,在光电管内就有电电子被带正电位的阳极所吸引,在光电管内就有电子流,在外电路中便产生了电流。子流,在外电路中便产生了电流。真空光电管的伏安特性真空光电管的伏安特性 充气光电管的伏安特性充气光电管的伏安特性充气光电管充气光电管:构造和真空光电管基本相同,优点是灵敏
3、度高构造和真空光电管基本相同,优点是灵敏度高.所不同的仅仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体所不同的仅仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体其灵敏度随电压变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差其灵敏度随电压变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差 4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管4.1.2 光电倍增管光电倍增管4.1.3 光敏电阻4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池4.1.6 光电式传感器的应用4.1.2 光电倍增管 在入射光极为微弱时,光电管能产生的光电流就很小,在入射光极为微弱时,光电管能产生的光电流就很小,光电倍增管:放大光电流光电倍增管:放大光电流组成:光电阴极组成
4、:光电阴极+若干倍增极若干倍增极+阳极阳极 光电倍增管的结构 与工作原理光电阴极光电倍增极阳极倍增极上涂有Sb-Cs或Ag-Mg等光敏材料,并且电位逐级升高 阴极发射的光电子以高速射到倍增极上,引起二次电子发射 二次电子发射系数 =二次发射电子数入射电子数若倍增极有n,则倍增率为n4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管4.1.2 光电倍增管4.1.3 光敏电阻光敏电阻4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池4.1.6 光电式传感器的应用内光电效应(光电导型)在光线作用下能使物体电阻率改变的现象,如光敏电阻等1.光敏电阻的工作原理及结构当无光照时,光敏电阻值当无光照时,光敏电阻
5、值(暗电阻暗电阻)很大,电路中电流很小很大,电路中电流很小 当有光照时,光敏电阻值当有光照时,光敏电阻值(亮电阻亮电阻)急剧减少,电流迅速增加急剧减少,电流迅速增加光敏电阻的结构 1.玻璃玻璃 2.光电导层光电导层 3.电极电极 4.绝缘衬底绝缘衬底 5.金属壳金属壳 6.黑色绝缘玻璃黑色绝缘玻璃 7.引线引线光敏电阻的灵敏度易受潮湿的影响,因此要将光电导体严密封装光敏电阻的灵敏度易受潮湿的影响,因此要将光电导体严密封装在带有玻璃的壳体中。在带有玻璃的壳体中。半导体吸收光子而产生的光电效应,只限于光照的表面薄层。半导体吸收光子而产生的光电效应,只限于光照的表面薄层。光敏电阻的电极一般采用梳状,
6、可提高光敏电阻的灵敏度。光敏电阻的电极一般采用梳状,可提高光敏电阻的灵敏度。2光敏电阻的基本特性(1)伏安特性(2)光照特性(3)光谱特性(4)响应时间和频率特性(5)温度特性(1)伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系 在给定的偏压情况下,光照度越大,光电流也就越大;在给定的偏压情况下,光照度越大,光电流也就越大;在一定光照度下,加的电压越大,光电流越大,没有饱和现在一定光照度下,加的电压越大,光电流越大,没有饱和现象。光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的,耗散功象。光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的,
7、耗散功率又和面积以及散热条件等因素有关。率又和面积以及散热条件等因素有关。(2)光照特性 光敏电阻的光电流与光强之间的关系 由于光敏电阻的光照特性呈非线性,因此不宜作为测量元由于光敏电阻的光照特性呈非线性,因此不宜作为测量元件,一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。件,一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。(3)光谱特性 光敏电阻对不同波长的光,灵敏度是不同的 (4)响应时间光电导的弛豫现象:光电流的变化对于光的变化,在时间上有一个滞后。通常用响应时间t表示。光敏电阻的频率特性 不同材料的光敏电阻具有不同的响应时间,所以它们的频率特性也就不尽相同。(5)温度特性 光敏电
8、阻受温度的影响较大。当温度升高时,它的暗电阻和灵敏度都下降。硫化镉光敏电阻的温度特性硫化镉光敏电阻的温度特性 121212%100)(CRTTRR温度系数温度系数:在一定光照下,温度每变化在一定光照下,温度每变化1,光敏电阻阻值的平均变化率光敏电阻阻值的平均变化率 温度对光谱特性影响 随着温度升高,光谱响应峰值向短波方向移动。因此,采取降温措施,可以提高光敏电阻对长波光的响应。硫化铅光敏电阻的光谱温度特性硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管4.1.2 光电倍增管4.1.3 光敏电阻4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池4
9、.1.6 光电式传感器的应用4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管 1 工作原理2 基本特性1 工作原理结构与一般二极管相似,装在透明玻璃外壳中在电路中一般是处于反向工作状态的 光敏二极管光敏二极管光敏晶体管 与一般晶体管很相似,具有两个pn结。把光信号转换为电信号同时,又将信号电流加以放大。2 基本特性(1)光谱特性(2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特性(5)频率响应(1)光谱特性入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降 硅和锗光敏二极(晶体)管的光谱特性硅和锗光敏二极(晶体)管的光谱特性 可见光或探测赤热状态物体时,一般都用硅管。可见光或探测赤热状态物体时,一般都用硅管。在红外光进行探测时,则
10、锗管较为适宜。在红外光进行探测时,则锗管较为适宜。(2)伏安特性硅光敏管的伏安特性硅光敏管的伏安特性 (3)光照特性 硅光敏管的光照特性硅光敏管的光照特性 光敏二极管的光照特性曲线的线性较好光敏二极管的光照特性曲线的线性较好 (4)温度特性其暗电流及光电流与温度的关系温度变化对光电流影响很小,而对暗电流影响很大。温度变化对光电流影响很小,而对暗电流影响很大。(5)频率响应具有一定频率的调制光照射时,光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系 硅光敏晶体管的频率响应硅光敏晶体管的频率响应 4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管4.1.2 光电倍增管4.1.3 光敏电阻4.1.4
11、光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池光电池4.1.6 光电式传感器的应用阻挡层光电效应(光生伏特效应)在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池、光敏晶体管等光电池有光线作用下实质上就是电源,电路中有了这种器件就不再需要外加电源。1.工作原理2基本特性1.工作原理直接将光能转换为电能的光电器件,是一个大面积的pn结。当光照射到pn结上时,便在pn结的两端产生电动势(p区为正,n区为负)。用导线将pn结两端用导线连接起来,就有电流流过,电流的方向由P区流经外电路至n区。若将电路断开,就可以测出光生电动势。2 基本特性(1)光谱特性(2)光照特性(3)频率响应(4)温度特性(5)
12、稳定性(1)光谱特性光电池对不同波长的光,灵敏度是不同的(2)光照特性 不同光照度下,光电流和光生电动势是不同的。短路电流与光照度成线性关系;开路电压与光照度是非线性的短路电流与光照度成线性关系;开路电压与光照度是非线性的光电池作为测量元件使用时,应把它当作电流源的形式来使用光电池作为测量元件使用时,应把它当作电流源的形式来使用 负载越小,光电流与照度之间的线性关系越好,而且线性范围越宽负载越小,光电流与照度之间的线性关系越好,而且线性范围越宽(3)频率响应 指输出电流随调制光频率变化的关系 硅光电池具有较高的频率响应硅光电池具有较高的频率响应,用于高速计数的光电转换用于高速计数的光电转换 (
13、4)温度特性开路电压和短路电流随温度变化的关系。关系到应用光电池的仪器的温度漂移,影响到测量精度或控制精度等重要指标 硅光电池的温度特性硅光电池的温度特性(照度照度1000lx)(5)稳定性当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时,光电池的性能是相当稳定的 硅光电池的性能比硒光电池更稳定 影响性能和寿命因素:光电池的材料及制造工艺使用环境条件 4.1 光电效应和光电器件4.1.1 光电管4.1.2 光电倍增管4.1.3 光敏电阻4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管4.1.5 光电池4.1.6 光电式传感器的应用光电式传感器的应用4.1.6 光电式传感器的应用模拟式传感器脉冲式传感器1.模拟式光
14、电传感器基于光电器件的光电流随光通量而发生变化,是光通量的函数。对于光通量的任意一个选定值,对应的光电流就有一个确定的值,而光通量又随被测非电量的变化而变化,这样光电流就成为被测非电量的函数。光电比色高温计 1物镜;物镜;2平面玻璃;平面玻璃;3光阑;光阑;4光导棒;光导棒;5分光镜;分光镜;6滤光片;滤光片;7硅光电池;硅光电池;8滤光片;滤光片;9硅光电池;硅光电池;10瞄准反射镜;瞄准反射镜;11圆柱反射镜;圆柱反射镜;12目镜;目镜;13多夫棱镜多夫棱镜14、15硅光电池负载电阻;硅光电池负载电阻;16可逆电机;可逆电机;17电子电位差计电子电位差计2.脉冲式光电传感器 光电器件的输出
15、仅有两个稳定状态,也就是“通”与“断”的开关状态。光电器件受光照时,有电信号输出,光电器件不受光照时,无电信号输出。属于这一类的大多是作继电器和脉冲发生器应用的光电传感器,如测量线位移、线速度、角位移、角速度(转速)的光电脉冲传感器等等。光电式数字转速表 60ZTNc End the 4.14.2 光电码盘 数字式传感器:把输入量转换成数字量输出 优点:测量精度和分辨力高,抗干扰能力强,能避免在读标尺和曲线图时产生的人为误差,便于用 计算机处理。最简单的数字式传感器是编码器(ADE)角度数字编码器(码盘)或直线位移编码器(码尺)原理分类:电触式、电容式、感应式和光电式等 4.2 光电码盘4.2
16、.1 工作原理工作原理4.2.2 码盘和码制4.2.3 二进制码与循环码的转换4.2.4 应用4.2.1 工作原理用光电方法把被测角位移转换成以数字代码形式表示的电信号的转换部件。1光源光源 2柱面镜柱面镜 3码盘码盘 4狭缝狭缝 5元件元件 4.2 光电码盘4.2.1 工作原理4.2.2 码盘和码制码盘和码制4.2.3 二进制码与循环码的转换4.2.4 应用4.2.2 码盘和码制6位二进制码盘位二进制码盘根据码盘的起始和终止位置就可确定转角,与转动的中间过程无关。根据码盘的起始和终止位置就可确定转角,与转动的中间过程无关。二进制码盘主要特点:(1)n位(n个码道)的二进制码盘具有2n种不同编
17、码,称其容量为2n,其最小分辨力136002n,它的最外圈角节距为21;(2)二进制码为有权码,编码Cn,Cn-1,C1对应于由零位算起的转角为:(3)码盘转动中,Ci变化时,所有Cj(ji)应同时变化。1112iniiC二进制码盘的粗大误差及消除 要求各个码道刻划精确,彼此对准,这给码盘制作造成很大困难。由于微小的制作误差,只要有个码道提前或延后改变,就可能造成输出的粗大误差。消除粗大误差方法:双读数头法,循环码代替二进制码双读数头的缺点是读数头的个数增加了一倍。当编码器位数很多时,光电元件安装位置也有困难。(a)四位二进制码盘展开图四位二进制码盘展开图(b)采用双读数头消除粗大误差的示意图
18、采用双读数头消除粗大误差的示意图(1)n位循环码码盘具有位循环码码盘具有2n种不同编码;种不同编码;(2)循环码码盘具有轴对称性,其最高位相反,其余各位相同;循环码码盘具有轴对称性,其最高位相反,其余各位相同;(3)循环码为无权码;循环码为无权码;(4)循环码码盘转到相邻区域时,编码中只有一位发生变化,循环码码盘转到相邻区域时,编码中只有一位发生变化,不会产生粗误差。不会产生粗误差。4.2 光电码盘4.2.1 工作原理4.2.2 码盘和码制4.2.3 二进制码与循环码的转换二进制码与循环码的转换4.2.4 应用4.2.3 二进制码与循环码的转换11nniiiiiiCRCCRRCC4位二进制码与
19、循环码的对照表位二进制码与循环码的对照表二进制码转换为循环码的电路(a)并行变换电路并行变换电路 (b)串行变换电路串行变换电路 1iiiRCC循环码转变为二进制码的电路(a)并行变换电路并行变换电路 (b)串行变换电路串行变换电路 循环码是无权码,直接译码有困难,一般先转换为二进制码后再译码。循环码是无权码,直接译码有困难,一般先转换为二进制码后再译码。1iiiCCR单盘与多盘编码器:单盘编码器:全部码道在一个圆盘上,结构简单,使用方便。但当位数要求增多的情况下,若要求具有很高的分辨力,则制造困难,圆盘直径也要大。采用几个码盘通过机械传动装置连成一起的码盘组,则可大大提高分辨率,而且可以用来
20、测定转速。4.2 光电码盘4.2.1 工作原理4.2.2 码盘和码制4.2.3 二进制码与循环码的转换4.2.4 应用应用4.2.4 应用 光学码盘测角仪的原理图光学码盘测角仪的原理图1光源光源 2大孔径非球面聚光镜大孔径非球面聚光镜 3码盘码盘 4狭缝狭缝 5光电元件光电元件脉冲当量变换 编码器的分辨力所代表的角度不是整齐的数,显示器总是希望以度、分、秒来表示,为此需要使用脉冲当量变换电路。End the 4.24.3 电荷耦合器件 在MOS(Metal Oxide Semiconductor)电容金属电极上,加以脉冲电压,排斥掉半导体衬底内的多数载流子,形成“势阱”的运动,进而达到信号电荷
21、(少数载流子)的转移。图像传感器:转移的信号电荷是由光像照射产生;若所转移的电荷通过外界诸多方式得到,则其可以具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。4.3 电荷耦合器件4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的结构和工作原理4.3.2 CCD图像传感器4.3.3 图像传感器的应用4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理CCD是一种半导体器件 MOS电容的结构电容的结构1金属金属 2绝缘层绝缘层SiO2平带条件下的能带 Ec导带底能量导带底能量Ei禁带中央能级禁带中央能级Ef费米能级费米能级Ev价带顶能量价带顶能量 平带条件:平带条件:当当MOS电容的极板上无外加电压时,在
22、理想情况下,半导体从电容的极板上无外加电压时,在理想情况下,半导体从体内到表面处是电中性的,因而能带体内到表面处是电中性的,因而能带(代表电子的能量代表电子的能量)从表面到从表面到内部是平的。内部是平的。加上正电压MOS电容的能带 (a)栅压栅压UG较小时,较小时,MOS电容器处于耗尽状态。电容器处于耗尽状态。(b)栅压栅压UG增大到开启电压增大到开启电压 Uth时时,半导体表面的费米能级半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极高于禁带中央能极,半导体表面上的电子层称为反型层。半导体表面上的电子层称为反型层。有信号电荷的势阱当MOS电容器栅压大于开启电压UG,周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表
23、面处,形成对于电子的势阱。势阱:深耗尽条件下的表面势。势阱:深耗尽条件下的表面势。势阱填满:电子在半导体表面堆积后使平面势下降。势阱填满:电子在半导体表面堆积后使平面势下降。信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电荷为实现信号电荷的转换:1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密,以致相邻MOS电容的势阱相互沟通,即相互耦合。2、控制相邻MOC电容栅极电压高低来调节势阱深浅,使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。定向转移的实现在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的无限循环结构。每一单元称为一位,将每位中对应位置上的电容栅极分别
24、连到各自共同电极上,此共同电极称相线。一位CCD中含的电容个数即为CCD的相数。每相电极连接的电容个数一般来说即为CCD的位数。通常CCD有二相、三相、四相等几种结构,它们所施加的时钟脉冲也分别为二相、三相、四相。当这种时序脉冲加到CCD的无限循环结构上时,将实现信号电荷的定向转移。三相三相CCD信息电荷传输原理图信息电荷传输原理图 CCD电荷的产生方式 CCD在用作信号处理或存储器件时,电荷输入采用电注入。CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样,将信号电压或电流转换为信号电荷。CCD在用作图像传感时,信号电荷由光生载流子得到,即光注入。电极下收集的电荷大小取决于照射光的强度和照射时间。(
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