IGBT在电焊机中的应用课件.ppt

1、IGBT在逆变焊机中的应用和RT4的推广u电焊机简介电焊机简介u逆变焊机中逆变焊机中 IGBT 应用特点应用特点uIGBT的主要参数选择的主要参数选择uRT4模块介绍及优势模块介绍及优势内容简介内容简介电焊机简介电焊机简介-分类分类按焊接机理分类：按焊接机理分类：弧焊机手工电弧焊机气体保护焊机氩弧焊机CO2气体保护焊机埋弧焊机压力焊机电阻点焊机摩擦焊机切割机电焊机简介电焊机简介-发展历程发展历程电焊机发展历程：电焊机发展历程：逆变直流电焊机发展历程：逆变直流电焊机发展历程：晶闸管式逆变焊机晶体管式逆变焊机场效应管式逆变焊机IGBT逆变焊机变压器型电源晶闸管整流电源逆变直流电源电焊机简介电焊机简

2、介-IGBT逆变焊机种类、型号和输出特性逆变焊机种类、型号和输出特性种种类类CO2气体保护气体保护焊机（焊机（NBC系列）系列）手工电弧手工电弧焊（焊（ZX7系列）系列）钨极氩弧钨极氩弧焊（焊（WS系列）系列）脉冲钨极氩弧脉冲钨极氩弧焊（焊（WSM系系列）列）等离子切割等离子切割机（机（LGK系列）系列）埋弧焊（埋弧焊（MZ系列系列）型型号号20025035050063016020025031540050063014016020031540050020025031540040608010063080010001250种类和型号：种类和型号：IGBT 应用特点应用特点逆变焊机80A-250A中大

3、功率逆变焊机380V input小功率逆变焊机220V input600VDiscrete IGBTMOSFET250A-630A正激正激半桥半桥600V34mm600VDiscrete IGBTMOSFET1200V IGBT34mm62mm半桥半桥全桥全桥全桥全桥IGBT的应用特点的应用特点-在焊机中的应用在焊机中的应用IGBT的应用特点的应用特点-焊机拓扑结构焊机拓扑结构焊机拓扑结构：焊机拓扑结构：3P 380VGND输入输入 一次整流一次整流 逆变逆变 隔离降压隔离降压 二次整流二次整流 输出输出 从图中可以看出，从图中可以看出，IGBT主要应用在逆变单元主要应用在逆变单元IGBT的应

4、用特点的应用特点-逆变拓扑结构逆变拓扑结构半桥拓扑半桥拓扑全桥拓扑全桥拓扑硬开关全桥拓扑硬开关全桥拓扑软开关全桥拓扑软开关全桥拓扑零电压软开关全桥拓扑零电压软开关全桥拓扑零电流软开关全桥拓扑零电流软开关全桥拓扑焊机中常用的逆变拓扑结构：焊机中常用的逆变拓扑结构：IGBT的应用特点的应用特点-硬开关、软开关硬开关、软开关1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:20-Dec-2007Sheet of File:C:Documents and Settingsye桌面新建文件夹MyDesign.ddbDrawn By:ttttupip硬开关开通过程硬

5、开关开通过程硬开关关断过程硬开关关断过程软开关开通过程软开关开通过程软开关关断过程软开关关断过程 从图中可以看出，在硬开关时，从图中可以看出，在硬开关时，IGBT开关时电流与电压有交点，开关时电流与电压有交点，IGBT损耗交大，软开关时，损耗交大，软开关时，IGBT的电流与电压没有交点，损耗为零。的电流与电压没有交点，损耗为零。零电流（零电流（ZCS)：指：指IGBT开关时电流为零。开关时电流为零。零电压（零电压（ZVS)：指：指IGBT开关时电压为零开关时电压为零UitUitttIGBT的应用特点的应用特点-半桥型电路半桥型电路C3C4Q1Q2D2D1R1R2C1C2VDCR3R4C5C6L

6、1R5拓扑特点拓扑特点：IGBT 开关损耗大；IGBT上承受的电流为全桥时的两倍。建议：建议：选用关断损耗小的 IGBT。推荐：推荐：采用采用 INFINEON 开关损耗小的开关损耗小的KS4 芯片封装的芯片封装的100 300A/1200V 的的IGBT模块模块。123Q1123Q2123Q3123Q4VDCLpLs1Ls2TX1D1D212LRC1R5C3C2C4R6R1R3C5R2C6R4拓扑特点拓扑特点：IGBT 开关时电压、电流不为零，开关损耗大。建议：建议：选用关断损耗小的 IGBT。推荐：推荐：采用采用 INFINEON开关损耗小开关损耗小S4 芯片封装的的芯片封装的的IGBT模

7、块模块。IGBT的应用特点的应用特点-硬开关全桥电路硬开关全桥电路123Q1123Q2123Q3123Q4VDCLpLs1Ls2TXD1D212LRC1C3R1C2C4R2C5C612Lr电路特点电路特点：u IGBT 导通时间长，损耗主要为通态损耗建议：建议：选择通态损耗小的 IGBT。推荐：推荐：采用采用 INFINEON 导通损耗小的导通损耗小的 DN2、T4芯片封装的芯片封装的 IGBT 模块。模块。IGBT的应用特点的应用特点-软开关软开关ZVS全桥型电路全桥型电路电路特点：电路特点：u超前臂实现ZVS，IGBT开关损耗小，导通损耗占总损耗比重大。u滞后臂实现ZCS，IGBT导通时间

8、长，通态损耗大。u建议：建议：选择IGBT通态损耗小的IGBT，即低通态型IGBT模块。推荐：推荐：采用采用 INFINEON 导通损耗小的导通损耗小的DN2、T4芯片封装的芯片封装的 IGBT 模块。模块。IGBT的应用特点的应用特点-软开关软开关ZVZCS全桥型电路全桥型电路IGBT 主要参数选择主要参数选择主要参数选择主要参数选择-电焊机主要参数电焊机主要参数电压：电压：三相交流输入经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：三相交流输入经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：VDC=，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，可以选额定电压值的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍

9、，可以选额定电压值1200V。V51338023 电焊机主要参数：以一台电焊机主要参数：以一台500A的电焊机为例，输入电压：的电焊机为例，输入电压：380V AC,输出输出电流为：电流为：500A,频率为频率为20KHz，空载电压为，空载电压为70V。500A焊机在满负荷工作条件下，输出滤波电感的电流的平均值为焊机在满负荷工作条件下，输出滤波电感的电流的平均值为500A，主变压器变比，主变压器变比K=513V/70V=7.3。变压器原边平均电流为变压器原边平均电流为500A/7.3=68.5A，在选用耗散功率足够的，在选用耗散功率足够的散热器和良好的风道设计的条件，选在散热器和良好的风道设计

10、的条件，选在 IGBT 的的IC=100A。电流：电流：17u 通通 态态 压压 降：低通态损耗，适用于软开关。降：低通态损耗，适用于软开关。u 开开 关关 损损 耗：低开关损耗，高频或硬开关。耗：低开关损耗，高频或硬开关。u 温温 度度 系系 数：正温度系数适合于多管芯并联。数：正温度系数适合于多管芯并联。u 热热 阻：决定了阻：决定了IGBT的温升。的温升。u 功率循环周次：决定功率循环周次：决定IGBT的寿命。的寿命。u 热热 循循 环环 周周 次：决定次：决定IGBT的寿命。的寿命。17主要参数选择主要参数选择-选型时应注意的问题选型时应注意的问题选型时应该主要的问题：选型时应该主要的

11、问题：主要参数选择主要参数选择-推荐表推荐表裕能达推荐表裕能达推荐表焊机规格焊机规格全桥电路全桥电路半桥电路半桥电路315A软开关软开关FF50R12RT4硬开关硬开关F4-50R12MS4/F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A软开关软开关FF75R12RT4硬开关硬开关F4-75R12MS4/F4-75R12KS4FF150R12KS4500A软开关软开关FF100R12RT4硬开关硬开关FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A软开关软开关FF150R12RT4硬开关硬开关FF150R12KS4FF300R12KS4

12、RT4芯片介绍及优势芯片介绍及优势IGBT4模块：Tvjop,max=！n概念概念：在开关工作条件下，IGBT4模块的最高允许结温规格为，比IGBT3/IGBT2模块（1200V和1700V）的规格提高！n出发点出发点：适应芯片小型化n实现实现：IGBT4模块内部焊线工艺的改进n可靠性因素可靠性因素：焊线工艺决定了模块的可靠性指标之一-功率循环（PC）次数。PC次数与结温有关，在相同的结温摆幅下，结温越高，PC次数越低。要提高结温规格，必须改进焊线工艺，才能保证模块用于更高的结温时，其PC次数（使用寿命）不减。n结果结果：1）IGBT4模块的可靠性（PC次数）大幅增加 2）IGBT4模块的电流

13、输出能力增大（应用功率）3）以较小的封装尺寸实现相同的电流规格（功率密度）RT4模块模块-优点优点50A的的RT4和和DN2模块的性能比较模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号BSM50GB120DN2FF50R12RT4结论封装34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容，Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,导通损耗小Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off2215驱动电阻推荐值差别不是很大，驱动电路更改不大。Eon7mJ6.5mJRT4的性能稍好，

14、开关损耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT)0.3K/W0.53K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.6K/W0.84K/W并联二极管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：用结论：用RT4代替代替DN2只需更改驱动电路，替代容易！只需更改驱动电路，替代容易！RT4模块模块-与与INFINEON DN2系列模块的比较系列模块的比较75A的的RT4和和DN2模块的性能比较模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号BSM75GB120DN2FF75R12RT4结论封装34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。

15、Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好，导通损耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大。Rgon/off152.2驱动电阻推荐值差别较大，驱动电路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，开关损耗小。Eoff8mJ6.5mjRjc(IGBT)0.2K/W0.38K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量。Rjc(Diode)0.5K/W0.58K/W并联二极管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好。结论：用结论：用RT

16、4代替代替DN2只需对驱动电路进行修改，代替起来比较容易。只需对驱动电路进行修改，代替起来比较容易。RT4模块模块-与与INFINEON DN2系列模块的比较系列模块的比较100A的的RT4和和DN2模块的性能比较模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4结论封装34mm62mm34mmDN2K与RT4散热器安装尺寸完全兼容，DN2与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1

17、V3.1V2.05VRT4性能更好,导通损耗小Tj(度）150150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off6.86.81.6驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，开关损耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT)0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.36K/W0.3K/W0.48K/W并联二极管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4代替代替DN2K只需对驱动电路进行修改，但代替只需对驱动电

18、路进行修改，但代替DN2还需对散热器进行修改。还需对散热器进行修改。RT4模块模块-与与INFINEON DN2系列模块的比较系列模块的比较150A的的RT4和和DN2模块的性能比较模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号BSM150GB120DN2FF150R12RT4结论封装62mm34mmDN2与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,导通损耗小Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off9.11.1驱动电阻推荐值有差

19、别，驱动电路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的关断损耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT)0.1K/W0.19K/WRT4的热阻比较大！Rjc(Diode)0.25K/W0.31K/W并联二极管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：150A的的RT4代替代替150A的的DN2比较困难！比较困难！RT4模块模块-与与INFINEON DN2系列模块的比较系列模块的比较150A的的RT4和和100A的的KS4 的模块的性能比较的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号FF100R12KS4FF150R12RT4结论封装62m

20、m34mmKS4与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,导通损耗小Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off9.11.1驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon9.5mJ9.5mJRT4的关断损耗略高于KS4Eoff7.7mJ11 mJRjc(IGBT)0.16K/W0.19K/WRT4的热阻稍大！Rjc(Diode)0.3K/W0.31K/W并联二极管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：用结

21、论：用150A的的RT4代替代替100A的的KS4,要根据实际电路来确定能否替代。要根据实际电路来确定能否替代。RT4模块模块-与与INFINEON KS4系列模块的比较系列模块的比较 总的来说，总的来说，RT4系列产品的饱和压降有大幅的系列产品的饱和压降有大幅的降低，开关损耗也有所降低，特别适合软开关拓扑降低，开关损耗也有所降低，特别适合软开关拓扑结构的焊机。但是结构的焊机。但是RT4系列产品的热阻相当于系列产品的热阻相当于DN2系列来说都要大一些。还有就是系列来说都要大一些。还有就是RT4系列的推荐驱系列的推荐驱动电阻值都比较小，替换时要注意对驱动电路进行动电阻值都比较小，替换时要注意对驱

22、动电路进行修改。修改。RT4模块模块-与与INFINEON 模块的比较模块的比较RT4模块模块-与与SEMIKRON 模块的比较模块的比较SEMIKRON 在焊机应用上主要有以下几款：在焊机应用上主要有以下几款：123系列：SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB123D SKM200GB123D128系列：SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列：SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T

23、4 SKM300GB12T4（正在推广）RT4模块模块-与与SEMIKRON的比较的比较50的的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12T4SKM75GB128D结论封装34mm34mm34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)50A49A52A59A电流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V25V2.2V2.1V128D的导通损耗最小。Tj(度）175150175150T4芯片结温较高。Rgon/off15228.26驱动电

24、阻推荐值有差别，驱动电路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的开关损耗较大。Eoff4mJ5mJ4.5mJ8mJRjc(IGBT)0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的热阻小。Rjc(Diode)0.84K/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二极管管压降最低。结论：结论：RT4与与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻较大。与较大。与128D相比开关损耗较低。与西门康最新的相比开关损耗较低。与西门康最新的T4系列性能相

25、差不大。系列性能相差不大。75的的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4SKM100GB128D结论封装34mm34mm34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)75A81A75A85A128D的电流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能较好,导通损耗小。Tj(度）175150175150T4芯片结温高。Rgon/off2.21514.7驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改

26、！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的开关损耗较小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(IGBT)0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的热阻小！Rjc(Diode)0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并联二极管通态性能更好。RT4模块模块-与与SEMIKRON的比较的比较结论：结论：RT4与与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与交大。与128D和西门康最新的和西门康最新的T4系列性能相差不大。系列

27、性能相差不大。RT4模块模块-与与SEMIKRON 模块的比较模块的比较100的的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4SKM150GB128D结论封装34mm62mm62mm62mmRT4尺寸较小。Ic(Tc=100)100A100A100A108A电流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,导通损耗小。Tj(度）175150175150T4芯片结温高Rgon/off1.66.88.28驱动

28、电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ123D的开关损耗较大！Eoff9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT)0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的热阻小！Rjc(Diode)0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并联二极管通态性能更好。结论：结论：RT4与与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与大。与128D相比，热阻较大。和西门康最新的相比，热阻较大。和西门康最新的T4系

29、列相比，开关损耗较小。系列相比，开关损耗较小。RT4模块模块-与与SEMIKRON 模块的比较模块的比较150的的RT4和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明和西门康的模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号FF150R12RT4SKM200GB123DSKM150GB12T4SKM200GB128D结论封装34mm62mm62mm62mmRT4尺寸较小。Ic(Tc=100)150A145A150A180A电流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,导通损耗小。Tj(度）175150175150T4芯片结温高Rgon

30、/off1.15.617驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18mJ123D的开关损耗较大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT)0.19K/W0.09K/W0.19K/W0.095K/W123D的热阻小！Rjc(Diode)0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并联二极管通态性能更好。结论：结论：RT4与与123D相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻相比，在开关损耗和导通损耗上都在有优势，只是热阻交大。与交大。与128D相比，热阻较大。和西

31、门康最新的相比，热阻较大。和西门康最新的T4系列相比，开关损耗较系列相比，开关损耗较小。小。RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较斯达在焊机应用上主要有以下几款：斯达在焊机应用上主要有以下几款：HFL系列(低损耗快速）：GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S50A的的RT4和斯达模块的性能比较和斯达模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号GD50HFL120C1SFF50R12RT4结论封装34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100

32、)RT4性能更好，电流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯达模块的导通损耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大。Rgon/off1815驱动电阻推荐值差别不是很大，驱动电路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯达模块的性能更好，导通损耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT)0.38K/W0.53K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.65K/W0.84K/W并联二极管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较结论：斯达模块

33、的饱和压降和开关损耗都比较低。结论：斯达模块的饱和压降和开关损耗都比较低。RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较75A的的RT4和斯达模块的性能比较和斯达模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号GD75HFL120C1SFF75R12RT4结论封装34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯达模块的导通损耗略小。Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大。Rgon/off152.2驱动电阻推荐值差别不是很大，驱动电路更改不大。Eon9.

34、0mJ9.5mJ开关损耗相差不大。Eoff7.4mJ6.5mjRjc(IGBT)0.19K/W0.38K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.48K/W0.58K/W并联二极管Vf(V)2.0V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4模块的热阻较高，其他性能相差不大。模块的热阻较高，其他性能相差不大。RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较100A的的RT4和斯达模块的性能比较和斯达模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号GD100HFL120C1SGD75HFL120C2SFF100R12RT4结论封装34mm62

35、mm34mmRT4与C1尺寸兼容，与C2尺寸不兼容，需要修改散热器。Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05V斯达模块的性能略好。Tj(度）150150175RT4性能更好，热余量更大。Rgon/off381.6驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon9.8mJ8.4mJ9.5mJ开关损耗相差不大。Eoff8.7mJ5.8mJ9mjRjc(IGBT)0.16K/W0.15K/W0.27K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Di

36、ode)0.34K/W0.29K/W0.48K/W并联二极管Vf(V)2.2V2.2V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4与斯达模块的饱和压降和导通损耗相差不大，但是热阻较大。与斯达模块的饱和压降和导通损耗相差不大，但是热阻较大。RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较150A的的RT4和斯达模块的性能比较和斯达模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号GD150HFL120C2SFF150R12RT4结论封装62mm34mmDN2与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=15

37、0A,Vge=15v,)2.1V2.05VRT4性能更好,导通损耗略小Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off6.81.1驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon16.7mJ13.5mJRT4的性能更好，开关损耗小。Eoff15.3mJ13.5mjRjc(IGBT)0.09K/W0.19K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.24K/W0.31K/W并联二极管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4的导通损耗要比斯达的小，热阻稍大。的导通损耗要比斯达的小，热阻稍大。RT4模块模块-与

38、斯达模块的比较与斯达模块的比较 斯达斯达50、75、100A的模块从饱和压降和开关损耗、的模块从饱和压降和开关损耗、热阻等方面来说要高于我们的热阻等方面来说要高于我们的RT4芯片，但是在市场上芯片，但是在市场上客户对他们的模块的反应并不是很好！这主要是因为他客户对他们的模块的反应并不是很好！这主要是因为他们的模块稳定性不好！这就涉及到了们的模块稳定性不好！这就涉及到了IGBT的另外一个性的另外一个性能能热循环周次和功率循环周次。热循环周次和功率循环周次。热循环周次：在每次传热时，DCB和铜基板也会产生热胀冷缩，因为膨胀率不同，长时间后，就会使DCB与铜基板接触不良，使IGBT失效。功率循环周次

39、：绑定线，通过电流发热后，会热胀冷缩发生变形。在一定次数后就会出现裂纹，导致IGBT失效。RT4模块模块-与斯达模块的比较与斯达模块的比较RT4模块模块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较宏微在焊机应用上主要有以下几款：宏微在焊机应用上主要有以下几款：B系列(ABB芯片）：MMG50S120B MMG75S120B MMG100S120B MMG100D120B MMG150D120BRT4模块模块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较50A的的RT4和宏微模块的性能比较（如无特殊说明和宏微模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号MMG50S120BFF50R12RT4结论封装34mm34mm

40、散热器安装尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的导通损耗略高于宏微模块。Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off1815驱动电阻推荐值差别不是很大，驱动电路更改不大。Eon8.4mJ6.5mJRT4的性能好，开关损耗低。Eoff5.8mJ4mjRjc(IGBT)0.3K/W0.53K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量.Rjc(Diode)0.6K/W0.84K/W并联二极管Vf(V)1.9V1.65VRT4反并联二极管通态性

41、能更好结论：结论：RT4的各项性能几乎都优于宏微的模块，用的各项性能几乎都优于宏微的模块，用RT4代替宏微的模块只需更改驱代替宏微的模块只需更改驱动电路，替代容易！动电路，替代容易！RT4模块模块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较75A的的RT4和宏微模块的性能比较（如无特殊说明和宏微模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号MMG75S120BFF75R12RT4结论封装34mm34mm散热器安装尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的导通损耗略高于宏微模块。Tj(度

42、）150175RT4性能更好，热余量更大。Rgon/off152.2驱动电阻推荐值差别较大，驱动电路要做更改。Eon10.3mJ9.5mJRT4的性能更好，开关损耗小。Eoff7.8mJ6.5mjRjc(IGBT)0.2K/W0.38K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量。Rjc(Diode)0.5K/W0.58K/W并联二极管Vf(V)1.7V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好。结论：结论：RT4的各项性能几乎都优于宏微的模块，用的各项性能几乎都优于宏微的模块，用RT4代替宏微的模块只需代替宏微的模块只需更改驱动电路，替代容易！更改驱动电路，替代容易！RT4模块模

43、块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较100A的的RT4和宏微模块的性能比较和宏微模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号MMG100S120BMMG100D120BFF100R12RT4结论封装34mm62mm34mm100S与RT4散热器安装尺寸完全兼容，100D与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05VRT4的导通损耗略高于宏微模块。Tj(度）150150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off10101.6驱动电阻推

44、荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon12.4mJ16.8mJ9.5mJRT4的性能更好，开关损耗小Eoff10.8mJ11.6mJ9mjRjc(IGBT)0.18K/W0.15K/W0.27K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量。Rjc(Diode)0.45K/W0.3K/W0.48K/W并联二极管Vf(V)1.7V1.7V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4代替代替100S只需对驱动电路进行修改，但代替只需对驱动电路进行修改，但代替100D还需对散热器进行修还需对散热器进行修改。改。RT4模块模块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较150A的的RT4

45、和宏微模块的性能比较（如无特殊说明和宏微模块的性能比较（如无特殊说明Tj=125）型号MMG150D120BFF150R12RT4结论封装62mm34mm宏微模块与RT4的安装尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，电流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2V2.05VRT4的导通损耗略高于宏微模块。Tj(度）150175RT4性能更好，热余量更大Rgon/off7.51.1驱动电阻推荐值有差别，驱动电路需要更改！Eon20.6mJ13.5mJRT4的性能更好，开关损耗小Eoff15.6mJ13.5mjRjc(IGBT)0.11K/W0.19K/WRT4的热阻稍微大些，但其175度的结温可以保证热余量。Rjc(Diode)0.27K/W0.31K/W并联二极管Vf(V)1.7V1.65VRT4反并联二极管通态性能更好结论：结论：RT4代替宏微代替宏微150A的模块需对驱动电路和散热器进行修改。的模块需对驱动电路和散热器进行修改。RT4模块模块-与宏微模块的比较与宏微模块的比较 总的来说，宏微的总的来说，宏微的IGBT模块的饱和压降比较低，模块的饱和压降比较低，但是开关损耗比较大，与但是开关损耗比较大，与RT4相比他的热阻较低，但相比他的热阻较低，但是是RT4能工作在能工作在175的结温，热余量大。的结温，热余量大。