2章-基本放大电路课件1.ppt
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- 基本 放大 电路 课件
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1、电子技术*1、晶体管工作在放大状态的晶体管工作在放大状态的外部外部条件条件:发射结正向偏置;发射结正向偏置;集电结反向偏置。集电结反向偏置。BCEIII*2、晶体管三个极电流关系:、晶体管三个极电流关系:BCII)(忽略微小量BECIII BEI)(I1IBICIEIBICIE【】内容内容回顾回顾输入特性输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8【】内容内容回顾回顾输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A【】内容内容回顾回顾放大区放大区截止区截止区饱和区饱和区输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1
2、)放大区:放大区:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。(2)即:即:IC=IB,且且 IC=IBbPNPcebNPNceUCUB UEUCUB IC,UCE 0.3V (3)截止区:截止区:UBEIC,UCE 0.3V(3)截止区截止区:发射结反偏,集电结反偏。:发射结反偏,集电结反偏。UBE0时,时,饱和饱和1)2)利用晶体管三个极电位)利用晶体管三个极电位判断两个判断两个PN结的结的工作情况,工作情况,确定晶体管的工作状态:确定晶体管的工作状态:两个两个PN结均正向偏置,晶体管处于饱和状态;结均正向偏置,晶体管处于饱和状态;两个两个PN结均反向偏置,晶体管处于截止状态;结均反向
3、偏置,晶体管处于截止状态;发射结正向偏置,集电结反向偏置,晶体管处发射结正向偏置,集电结反向偏置,晶体管处于放大状态。于放大状态。3)晶体管工作在)晶体管工作在放大状态放大状态时,三个极电时,三个极电位的关系基本满足位的关系基本满足:NPN型晶体管型晶体管Vc、VB、VE电位由高电位由高到低到低,PNP型晶体管型晶体管Vc、VB、VE电位由低到电位由低到高高;且硅管且硅管UBE=0.7V,锗管锗管 UBE=0.3V。【例例1】现已测得某电路中几只晶体管三个极现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如下,各晶体管开启电压均为的直流电位如下,各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。试
4、判断各管的工作状态。晶体管晶体管T1T2T3T4基极直流电位基极直流电位UB/V0.71-10发射极电位发射极电位UE/V00.3-1.70集电极直流电位集电极直流电位UC/V50.7015工作状态工作状态放大放大放大放大饱和饱和截止截止【例例2】判断各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。判断各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。2-1-13 四、晶体管的主要参数四、晶体管的主要参数正确使用、选择晶体正确使用、选择晶体管的主要依据。管的主要依据。(P34)1、电流放大倍数电流放大倍数 体现晶体管的放大能力。体现晶体管的放大能力。=IC/IB 或或 =IC/IB2、极限参数极限参数体现晶体管
5、的使用范围。体现晶体管的使用范围。1)最大集电极耗散功率)最大集电极耗散功率PCM 当晶体管正常工作时,允许的最大功耗当晶体管正常工作时,允许的最大功耗是一个确定值。是一个确定值。PCM=ICM UCEM 在晶体管输出特性曲在晶体管输出特性曲线上画出过耗曲线确定晶体管的工作范围。线上画出过耗曲线确定晶体管的工作范围。2-1-14iC(mA )1234uCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 APCM=ICM UCEM晶体管晶体管过耗曲线过耗曲线晶晶体体管管正正常常工工作作区区晶体管过晶体管过耗区,为耗区,为晶体管非晶体管非工作区。工作区。2-1-152)最大集电极电
6、流)最大集电极电流 ICM 在一定条件下,晶体管允许通过的最大在一定条件下,晶体管允许通过的最大电流。电流。3)极间反向击穿电压)极间反向击穿电压UCBO、UCEO 晶体管的某一电极开路时,另外两个电晶体管的某一电极开路时,另外两个电极间允许加的最高反向电压。极间允许加的最高反向电压。2-1-16五、温度对晶体管参数的影响(五、温度对晶体管参数的影响(P36):温度温度升高:升高:ICBO(集电极集电极-基极反向饱和电流)基极反向饱和电流)增大增大,导致,导致ICEO(穿透电流)穿透电流)增大增大;IB增大增大,导致,导致IC增大增大 UBE减小减小(负温度系数)。(负温度系数)。2-1-17
7、【例例3】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。是锗管。解题思路解题思路(1)三极管处于放大状态(2)确定三个电极(3)确定三极管为硅管还是锗管(4)确定为何种类型2-1-18【例例3】测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示。测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。cccccc硅硅PNP锗锗PNP锗锗PNP硅硅NPN锗锗NPN硅硅NPNbbbbbbeeeeee2-
8、1-19 场效应管与三极管的区别与联系场效应管与三极管的区别与联系1、区别:场效应管是电压控制元件,、区别:场效应管是电压控制元件,即即栅源极电压栅源极电压(uGS)控制漏极电流控制漏极电流(iD););而三极管是电流控制元件,而三极管是电流控制元件,即即基极电流基极电流(iB)控制集电极电流控制集电极电流(iC)。)。2、联系:两种元件在电路中起的作用类似、联系:两种元件在电路中起的作用类似 在模拟电路中具有在模拟电路中具有放大作用放大作用;在数字电路中起在数字电路中起开关作用开关作用。2-1-20结型场效应管结型场效应管(JEFT)绝缘栅绝缘栅场效应管场效应管 (MOS)P沟道沟道N沟道沟
9、道正常工作时正常工作时PN结结加反向电压,加反向电压,P沟道沟道N沟道沟道耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型均有夹断电压均有夹断电压uGS(off)且且uGS=0时时iD 0。有开启电压有开启电压uon,且且uGS=0时时iD=0。基本要求:基本要求:1.掌握半导体的基本知识;半导体的独有掌握半导体的基本知识;半导体的独有特性、特性、半导体的导电特性半导体的导电特性,P、N型半导型半导体的载流子数量特点、体的载流子数量特点、PN的单向导电的单向导电性性等。等。2.掌握二极管、三极管的结构、特性,会掌握二极管、三极管的结构、特性,会进行状态判断进行状态判断;3.了解二极管、三极管的主要参数。了
10、解二极管、三极管的主要参数。第第2章章 基本放大电路的主要内容基本放大电路的主要内容 2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标放大的概念和放大电路的主要性能指标2.2 基本共射放大电路的基本工作原理基本共射放大电路的基本工作原理2.4 放大电路静态工作点的稳定放大电路静态工作点的稳定2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法晶体管单管放大电路的三种基本接法2.6 晶体管基本放大电路的派生电路晶体管基本放大电路的派生电路2.1.1 放大的概念放大的概念简单说就是将小的变成大的简单说就是将小的变成大的2、放大的、放大的本质本质是能量的控制和转换;是能量的控制和转换;对于电子技术而言:对于电子技术而
11、言:1、放大是对变化量而言的,、放大是对变化量而言的,即即放大的对象是变化量放大的对象是变化量;3、放大的、放大的前提前提是信号不失真。是信号不失真。2.1.2 放大电路的性能指标放大电路的性能指标放大电路常以正弦波作为测试信号。放大电路常以正弦波作为测试信号。1.有代表性:任何稳态信号都可分解为若干频率正有代表性:任何稳态信号都可分解为若干频率正弦信号(谐波)的叠加;弦信号(谐波)的叠加;2.实验室容易获得;实验室容易获得;3.容易测量;容易测量;4.4.幅度、频率容易调节。幅度、频率容易调节。放大电路测试示意图放大电路测试示意图一、放大倍数一、放大倍数*电压放大倍数电压放大倍数iouuuU
12、UAA-衡量放大电路放大能力的指标。衡量放大电路放大能力的指标。定义为输出量(电压或电流)和输入量(电压或定义为输出量(电压或电流)和输入量(电压或电流)的比值。电流)的比值。电流放大倍数电流放大倍数ioiiiIIAAiouiIUA电压对电流的放大倍数电压对电流的放大倍数电流对电压的放大倍数电流对电压的放大倍数ioiuUIA二、输入电阻二、输入电阻iiiIUR-体现了放大电路对信号源的影响程体现了放大电路对信号源的影响程度度(或向信号源索取电流的能力或向信号源索取电流的能力)。从放大电路输入端看进去的等从放大电路输入端看进去的等效内阻,定义为效内阻,定义为输入电压有效值与输入电压有效值与输入电
13、流有效值之比输入电流有效值之比。Ri越大,越大,Ii 就越小,就越小,ui就越接近就越接近uS三、输出电阻三、输出电阻 断开负载后,断开负载后,向放大电路输出端看进去的等效内向放大电路输出端看进去的等效内阻阻,定义为,定义为输出电压有效值与输出电流有效值之比输出电压有效值与输出电流有效值之比。oooIUR-表征放大电路带负载能力的。表征放大电路带负载能力的。AuUS 放大电路对其放大电路对其负载负载而言,相当于而言,相当于信号源,我们利用信号源,我们利用戴维南定理得到其戴维南定理得到其等效电路,这个等效电路,这个等等效电路效电路的的内阻内阻就是就是输出电阻输出电阻。roUS如何确定电路的输出电
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