导电高分子材料课件.pptx
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- 导电 高分子材料 课件
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1、一、导体1、良导体(金属)是那些最高能带未被完全填满的固体1s2s2p3s钠(1s2 2s2 2p6 3s1)晶体能带3p背 景 知 识满带:各能级都被两个自旋相反电子填满的能带02/72电子填充能带的情况a、满带:各能级都被两个自旋相反电子填满的能带满带E 当电子从原来状态转移到另一状态时,另一电子必作相反的转移。没有额外的定向运动。满带中电子不能形成电流。03/72导带E电子可在外场作用下跃迁到高一级的能级形成电流。故称为导带。b、导带:能级没有被电子填满的能带c、空带:各能级都没有被电子填充的能带d、价带:价电子所处的带称为价带04/722、导体 最上面满带和一个空带重叠1s2s2p3s
2、镁(1s2 2s2 2p6 3s2)晶体能带3s 电子可分布在 3s 和 3p 能带中3p05/72二、绝缘体 最上面的价带是满的,同时和下一个空带之间有几个电子伏特(eV)能隙的固体。1s2s2p3s3p绝缘体能带06/72三、半导体 价带和导带之间的能隙小于约1 eV左右半导体能带绝缘体 金钢石 氧化锌 氯化银 硫化钙 eV 5.33 3.2 3.2 2.42 半导体 硅 锗 碲 锑化锢 eV 1.14 0.67 0.33 0.23 能 隙(eV)07/72空带满带禁带-e-e-e-eEIeIP 本征激发空穴电流导电机制:本征导电中的载流子是电子和空穴(本征导电)08/72价带、导带、金属
3、导电价带、导带、金属导电EnergyMetalbondingantibondingBand gapConduction band (antibonding)Valence band (bonding)insulatorsemiconductor背 景 知 识09/72 电子导电高分子电子导电高分子:具有共轭共轭键键,其本身或经,其本身或经过过“掺杂掺杂”后具有导电性的一类高分子材料。后具有导电性的一类高分子材料。电子导电高分子的特点电子导电高分子的特点:高分子链上有高分子链上有共轭共轭键键 3.3.1 电子导电高分子的定义与特点电子导电高分子的定义与特点10/72n聚乙炔Nn聚吡咯Sn聚噻吩n
4、聚对苯nCH CH 聚苯乙炔nNH聚苯胺 11/723.3.2 电子导电高分子的导电原理电子导电高分子的导电原理以以聚乙炔聚乙炔为例:为例:由于分子中双键的由于分子中双键的电子的非定域性,这类聚合物大都表电子的非定域性,这类聚合物大都表现出一定的导电性。现出一定的导电性。uC的四个价电子:三个成的四个价电子:三个成sp2杂化轨道,分别与一个杂化轨道,分别与一个H原原子和相邻的两个子和相邻的两个C原子形成原子形成键,一个键,一个p电子成电子成键键12/72(CH)x的价电子轨道的价电子轨道13/72聚乙炔导电机理(P71-72)CHCHCHCHCHCHCHCH空轨道(导带)占有轨道(价带)P电子
5、轨道n14/72聚乙炔导电性聚乙炔导电性 聚乙炔导电率:聚乙炔导电率:顺式:顺式:10-9 scm-1 反式:反式:10-5 scm-1电子在一维方向自由移动,可共轭电子在一维方向自由移动,可共轭体系中有能级差,体系中有能级差,p电子离域运动需电子离域运动需克服能级差,所以电子运动受阻,电克服能级差,所以电子运动受阻,电导率低导率低 掺杂后:掺杂后:103 scm-115/72纯净的电子导电聚合物本身导电率并不高,必须经过掺杂才具备高的导电性。掺杂是向空轨道注入电子,或是从充满轨道拉出电子,改变电子能带的能级,出现半充满能带,减小能量差,减小电子或空穴迁移的阻力。16/72导电高分子的掺杂途径
6、导电高分子的掺杂途径正掺杂与负掺杂正掺杂与负掺杂氧化(正掺杂)(p-doping):CHn+3x/2 I2 CHnx+x I3-CHn+x Na CHnx-+x Na+电子受体,氧化剂还原(负掺杂)(n-doping):从价带中拉出一个电子通过氧化还原反应完成电子转移过程17/72 掺杂后的聚合物形成盐类,产生电流的原因并不是碘离子或钠离子而是共轭双键上的电子移动。正(p)-掺杂:碘、溴、三氯化铁等 负(n)-掺杂:碱金属、奈基钠等18/72正掺杂的聚乙炔导电示意图:+A-氧化.聚乙炔极化子19/72掺杂原理掺杂原理 实际上是一个氧化实际上是一个氧化-还原过程,向空轨道注入电子,还原过程,向空
7、轨道注入电子,或是从充满轨道拉出电子,改变或是从充满轨道拉出电子,改变电子能带的能级,电子能带的能级,出现半充满能带,减小能量差,减小电子或空穴迁出现半充满能带,减小能量差,减小电子或空穴迁移的阻力。移的阻力。掺杂聚乙炔价带和导带的能量差掺杂聚乙炔价带和导带的能量差Eg值随共轭程度增值随共轭程度增加而逐渐降低,最终加而逐渐降低,最终Eg值约为值约为1.4 eV。其它共轭高分子之其它共轭高分子之Eg值则在值则在1.0 3.5eV之间,这正是之间,这正是半导体材料的主要特征。半导体材料的主要特征。金属之金属之Eg值约为值约为0.5 eV,而绝缘体之,而绝缘体之Eg值则远大于值则远大于3.5eV。2
8、0/723.3.3 电导率的影响因素电导率的影响因素 掺杂剂掺杂剂 掺杂量掺杂量 温度温度 共轭链长度共轭链长度21/72掺杂量对电导率的影响掺杂率对导电高分子材料导电能力的影响 掺杂率小时,电导率随着掺杂率的增加而迅速增加;当达到一定值后,随掺杂率增加的变化电导率变化很小,此时为饱和掺杂率。22/721.00E-091.00E-071.00E-051.00E-031.00E-011.00E+011.00E+03020406080100120聚乙炔的共轭度(掺碘率3.5,室温测试)电导率,S/m共轭链长度对导电高分子材料导电能力的影响23/72价带和导带的能量差价带和导带的能量差Eg值与共轭程
9、度的关系值与共轭程度的关系EGEgA2A4A8A16AnAnAn*24/72温度对导电高分子材料导电能力的影响 对金属晶体,温度升高引起的晶格振动阻碍其在晶体中的自由运动;而对于聚乙炔,温度的升高有利于电子从分子热振动中获得能量,克服其能带间隙,实现导电过程。25/72温度的影响(温度的影响(NTC效应效应,P74)温度温度T 电导率电导率 。因为因为T 电子能量电子能量 易转移易转移 不同掺杂量下,掺杂量越小,温度影响越大。不同掺杂量下,掺杂量越小,温度影响越大。(掺杂量足够大时?)(掺杂量足够大时?)26/72名称名称结构结构聚乙炔聚乙炔聚噻吩聚噻吩聚吡咯聚吡咯聚苯胺聚苯胺聚聚 苯苯S()
10、nNH()n()NHn()n3.3.4 典型电子导电高分子27/723.3.5 电子导电高分子的制备电子导电高分子的制备P 75-8028/721.电导率范围宽3.3.6 导电高分子的特性29/72导电高分子不仅可以掺杂,而且还可以脱掺杂,并且掺杂-脱掺杂的过程完全可逆。2.掺杂-脱掺杂过程可逆30/723.具有电致变色性(P81)31/72NN()NHN()NN()NHNH()H全氧 化态PNB+e-e中 间 氧 化态EBn+e-e全还原态LEB+nn紫色蓝 色淡黄 色绿色-0.2V0.8V0.5V+32/72 在外加电场作用下,从正极注入的空穴和从负 极注入的电子在材料分子内部复合成高能态
11、的 激子;处在高能态的激子回到低能态时将能量 以光能形式释放。可以通过在高分子材料中添加小分子燃料来进 行发光颜色的调控。4.电致发光性(电致发光性(Electroluminescent)(P82)33/72掺杂接受或给出电子功能氧化还原催化功能化学分析、催化、化学传感等。5.催化活性(催化活性(Catalytic activity)(P83)34/723.3.7 电子导电高分子的应用电子导电高分子的应用 导电性能的应用导电性能的应用(P80)1.电力输送材料?(稳定性、可加工性、成本)2.电极!3.隐形材料!(吸收率高、频带宽、质轻)电致变色性能的应用电致变色性能的应用(P81)电致发光性能
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