三极管及其放大电路学习教案课件.pptx
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- 三极管 及其 放大 电路 学习 教案 课件
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1、会计学1三极管及其放大电路三极管及其放大电路什么是放大?电信号放大:窃听器?第1页/共117页2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管第2页/共117页 按频率分按频率分高频管高频管低频管低频管 按功率分按功率分大功率管大功率管中功率管中功率管小功率管小功率管 按半导按半导 体材料分体材料分硅硅管管锗锗管管 按结构按结构 不同分不同分NPN型型PNP型型第3页/共117页(a)小功率管小功率管 (b)小功率管小功率管 (c)大功率管大功率管 (d)中功率管中功率管图形符号图形符号第4页/共117页发射结发射结(Je)基极基极,用B或b表示(Base)集电结集电结(Jc)发射极发射极,用E或e表
2、示(Emitter);集电极集电极,用C或c表示(Collector)。发射区发射区集电区集电区基区基区三极管符号三极管符号箭头代表发射极电流的实际方向箭头代表发射极电流的实际方向第5页/共117页 发射区:高杂质掺杂浓度;发射区:高杂质掺杂浓度;(芝麻芝麻)基区:很薄(通常为几微米几十微米),低基区:很薄(通常为几微米几十微米),低掺杂浓度;掺杂浓度;(薄牛肉薄牛肉)集电区:集电区:掺杂浓度要比掺杂浓度要比发射区低;发射区低;面积比发射区大;面积比发射区大;bNNPec第6页/共117页bNNPec为实现放大,必须满足三极管的内部结构和外为实现放大,必须满足三极管的内部结构和外部条件两方面的
3、要求。部条件两方面的要求。从外部条件来看:发射结正向偏置发射结正向偏置UBE0UBE0集电结反向偏置集电结反向偏置UBC0UBCVBB保证保证VCB=VCE-VBE 0 发射结正偏发射结正偏:第8页/共117页VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IENIEP(1 1)发射区向基区注入)发射区向基区注入电子,从而形成电子,从而形成发射极电流发射极电流I IE E。IE=IEN+IEPIEN第9页/共117页(1 1)发射区向基区注入电子,从)发射区向基区注入电子,从而形成发射极电流而形成发射极电流I IE E。VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射
4、极接法例:共发射极接法IE(2 2)在基区中)在基区中电子继续向集电电子继续向集电结扩散;结扩散;少数电子与基区少数电子与基区空穴相复合,形成空穴相复合,形成I IB B电流。电流。IB复合IBEIBE第10页/共117页(1 1)发射区向基区注入电子,从)发射区向基区注入电子,从而形成发射极电流而形成发射极电流I IE E。VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IE(2 2)在基区中)在基区中电子继续向集电结扩散;电子继续向集电结扩散;少数电子与基区空穴相少数电子与基区空穴相复合,形成复合,形成I IB B电流。电流。IB(3 3)集电区收集大部)集电区收集
5、大部分的电子,形分的电子,形成成I IC C电流。电流。ICICNICNIBE第11页/共117页VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IEIBICICBOICIBIE可简化为第12页/共117页ICIBIEIE=IC+IB故集电极与基极电流的关系为:故集电极与基极电流的关系为:BCII共射电流放大倍数共射电流放大倍数ECII 共基极电流放大系数共基极电流放大系数第13页/共117页ICIBIEIE=IC+IBICIEIB=IE-IC=IE-IE=(1-)IE故集电极与基极电流的关系为:故集电极与基极电流的关系为:11EEBCIIII=共射电流放大倍数共射电流
6、放大倍数共基极电流放大系数共基极电流放大系数第14页/共117页工程上最常用的是工程上最常用的是BJT的的输入特性输入特性和和输出特输出特性性曲线。曲线。第15页/共117页RL+-vObcevIiB=IB+iBiC=IC+iCiE=IE+iEvBE+-+-vCE输入回路输入回路输出回路输出回路输入特性:输入特性:常数常数CEvBEBvfi输出特性:输出特性:常数常数BiCECvfi第16页/共117页分三部分:分三部分:死区死区 非线性区非线性区 线性区线性区iB/AvBE/VvCE=1VvCE 1VvCE=0V记住:当vCE1时,各条特性曲线基本重合。当vCE增大时特性曲线相应的右移。25
7、1.输入特性曲线第17页/共117页它是以它是以iB为参变量的一族特性曲线。为参变量的一族特性曲线。vCE/ViC/mA25BJTBJT共射接法的输出特性曲线共射接法的输出特性曲线=20A=40A=60A=80A第18页/共117页vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A饱和区iC受受vCE控制的区域,该区域内控制的区域,该区域内vCE的的数值较小。此时数值较小。此时Je正偏,正偏,Jc正偏正偏第19页/共117页vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A饱和区iC受受vCE显著控制的区域,该区域内显著控制的区域,该区域内vCE的数值较的数值较小。此时小。此时
8、Je正偏,正偏,Jc正偏正偏。截止区iC接近零的区域,相当接近零的区域,相当iB=0=0的曲线的的曲线的下方。此时下方。此时J Je e反偏,反偏,J Jc c反偏反偏。第20页/共117页vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A饱和区iC受受vCE显著控制的区域,该区域内显著控制的区域,该区域内vCE的数值较的数值较小,一般小,一般vCE0.7V(硅管)。此时(硅管)。此时Je正偏,正偏,Jc正偏正偏或反偏电或反偏电压很小。压很小。截止区i iC C接近零的区域,相当接近零的区域,相当i iB B=0=0的曲线的下方。此时的曲线的下方。此时J Je e反偏,反偏,J Jc
9、c反偏反偏。放大区iC平行于平行于vCE轴的区域,轴的区域,曲线曲线基本平行等距。基本平行等距。此此时时J Je e正偏,正偏,J Jc c反偏反偏。电压大于电压大于0.7V0.7V左右左右(硅管)。(硅管)。模电着重讨论的就是该放大区!第21页/共117页状状态态发发射射结结集集电电结结IC截止反偏或零偏反偏0放大正偏反偏 IB饱和正偏正偏VbVe放大放大VcVb0UBE0集电结反向偏置集电结反向偏置UBC0UBCUBE电压放大电压放大(电流放大电流放大)放大原理放大原理放大的本质放大的本质功率(能量)的放大功率(能量)的放大第40页/共117页C1、C2称为隔直电容或称为隔直电容或 耦合电
10、容耦合电容,该电路又称为该电路又称为阻容耦合阻容耦合放大电路放大电路。2.3.2 共射基本放大电路实际电路第41页/共117页基本共射放大电路的简化基本共射放大电路的简化第42页/共117页+CTb1CCRbVL+uoR-u+-ib2CcRvivo交直交直交需要使RbRc(一般为几十倍)改成唯一的直流电源第43页/共117页三极管三极管 T 起放大作用。起放大作用。偏置电路偏置电路VCC、Rb提供电源,并使三极管工作在线性区。耦合电容耦合电容C1、C2输入耦合电容C1保证信号加到发射结,不影响发射结偏置。输出耦合电容C2保证信号输送到负载,不影响集电结偏置。负载电阻负载电阻RC、RL将变化的集
11、电极电流转换为电压输出。阻容耦合共射放大电路第44页/共117页 输入信号通过耦合电容加在三极管输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程:的发射结于是有下列过程:o2cccbbbe1ivCvRiiiivCvc三极管放大作用 变化的 通过 转变为变化的输出cicR第45页/共117页首先交代各物理量表示方法及其含义:首先交代各物理量表示方法及其含义:VBE,VCE,VI,VO IB,IC,IE,II vi,vo,vbe,ib,ic,ie,ii表示“直流量”:大写字母大写下标表示“交流量”的瞬时值:小写字母小写下标 vBE,vCE,vI,vO iB,iC,iE,iI,iO表示“直流量交
12、流量”:小写字母大写下标2.3.3 放大电路静态分析第46页/共117页 Vc,Vb,Ve,Vi Ib,Ic,Ie,Ii表示“交流量的向量形式”:大写字母小写下标头上点表示“交流量”的有效值:大写字母小写下标,iebciebcIIIIVVVV请详细参阅教材P21表述。第47页/共117页 静态静态:时,放大电路的工作状态,时,放大电路的工作状态,也称也称直流工作状态直流工作状态。(Q点点)0iv 放大电路建立正确的静态,是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态,正确地区分直流通路和交流通路。动态动态:时,放大电路的工作状时,放大电路的工作状 态,也称态,也称交流工作状态交流
13、工作状态。0iv第48页/共117页vivoCb1Cb2断开断开直流通路直流通路 能通过直流的通路。提供Q点bBECCBQRVVIBQCQII CCQCCCEQRIVV 固定偏置例.2.2直流通路直流通路IB偏置电阻偏置电流第49页/共117页1.放大电路在接入正弦信号时的工作情况设输入电压设输入电压vi=0.02=0.02sint(V)(V)vBE=VBE+vbe iB=IB+ibvCE=VCE+vce iC=IC+ic各分量都在原来静态直流量的基础上叠加了一各分量都在原来静态直流量的基础上叠加了一个交流量,如下:个交流量,如下:第50页/共117页 共射极放大电路中的电压、共射极放大电路中
14、的电压、电流波形电流波形uCE=VCC-iC RCuBE=UBE+ui uo=uCE-UCE反相反相第51页/共117页vivoCb1Cb2vivo交流通路交流通路ibieic非线性部分线性部分短路短路V=0 直流电源相当于对地短路分析性能指标第52页/共117页 在输出特性曲线上,作出直流负载线在输出特性曲线上,作出直流负载线 VCE=VCCiCRc,与,与IBQ曲曲线的交点即为线的交点即为Q点,从而得到点,从而得到VCEQ 和和ICQ。在直流通路中估算在直流通路中估算IBQ。2.3.5 图解分析法CcCCCERiVv 为一直线为一直线ic0 0时,时,vCE=VCC M点点vCE0 0时,
15、时,CCCcRVi 且斜率为且斜率为-1/RCN点点1.确定静态工作点直流负载线静态工作点第53页/共117页交流负载线交流负载线其斜率为其斜率为-1/RL RL=RLRc,是交流负载电阻。是交流负载电阻。交流负载线与直流负载线交流负载线与直流负载线相交相交Q点。点。交流通路-交流负载线-波形LCcCECERIiUv)(第54页/共117页 根据根据vI的波形,在的波形,在BJT的输入特性曲线图上画出的输入特性曲线图上画出vBE、iB 的的波形波形3.3.根据根据vIvI的波形求的波形求iBiB (不要求不要求)tsinimVi viBEBEvvV第55页/共117页4.根据根据iB的变化范围
16、在输出特性曲线图上画出的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和和vCE 的波形的波形cCCCCERiV v反相反相动态工作范围第56页/共117页AiCuCEvo可输出的最大不失真信号合适的静态工作点5.Q5.Q点对波形影响点对波形影响将Q点选在交流负载线AB的中央中央,可以获得最大的不失真输出,即可以得到最大的动态工作范围即:BQ=AQBQibVCESVCEA第57页/共117页截止失真的波形截止失真的波形 NPN管顶部削平管顶部削平Q Q点过低点过低信号进入截止区信号进入截止区第58页/共117页饱和失真的波形饱和失真的波形NPN底部削底部削平平Q Q点过高点过高信号进入饱和区信号进入饱和区
17、例2.32.152.14第59页/共117页思路:思路:将非线性的将非线性的BJT等等效成一个线性电路效成一个线性电路 适用范围:适用范围:放大电路的输入放大电路的输入信号是变化量且电压很小时信号是变化量且电压很小时适用适用第60页/共117页BJT双口网络双口网络)mA()mV(26)1(100EQbeIr1.三极管的小信号等效电路rbb第61页/共117页(1)利用直流通路求)利用直流通路求Q点点 共射极放大电路共射极放大电路bBEQBBBQRVVI一般硅管一般硅管VBEQ=0.7V,锗管,锗管VBEQ=0.2V,已知已知。BQCQIILCQcCEQCCCEQ)(RIRVVV2.放大电路的
18、小信号等效电路及其分析vivoCb1Cb2第62页/共117页vivoCb1Cb2vivo交流通路交流通路ibieic(1 1)画出放大电路)画出放大电路的交流通路的交流通路(2)画小信号等效电路)画小信号等效电路第63页/共117页vbeibicvceibbecvivo交流通路交流通路ibieic(2 2)将交流通路中的三极管用等效电路代替)将交流通路中的三极管用等效电路代替第64页/共117页vbeibicvceibbecvivo交流通路交流通路ibieicRb+vi第65页/共117页vbeibicvceibbecvivo交流通路交流通路ibieicRb+viRc+voRL第66页/共1
19、17页)(bebbirRi vbcii 则电压增益为则电压增益为beLcbebLcbbebLccio)/()/()/(rRRriRRiriRRiAvvv(可作为公式)(可作为公式)电压增益电压增益(3)求放大电路动态指标)求放大电路动态指标负号表示输出电压与输入电压反相SViVoVcI第67页/共117页SViVoVRiiiiIVRbRIbRiIIIbbeibirVRVbebebirrRR/输入电阻输入电阻第68页/共117页cibbeRricbibRiioRcoooRIVR所以:所以:根据定义:根据定义:oI0,ooosL=VRIVRoV+-iIbI0cI输出电阻输出电阻第69页/共117页
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