4-5-机电传动控制-8章-电力电子学-5为1课时左右的习题课解析课件.ppt
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- 机电 传动 控制 电力 电子学 课时 左右 习题 解析 课件
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1、前节回顾 直流电动机的机械特性(固有特性公式、人为特性:电枢回路串电阻、改变电枢电压、改变励磁磁通)直流他励电动机的启动特性:为何不能直接启动 直流他励电动机的调速特性:调速与速度变化。串电阻调速、调压调速、改变磁通调速。计算例题 直流他励电动机的制动特性:计算例题nnTKKRKUnteae02第第8章章 电力电子学基础电力电子学基础 8.1 半导体器件半导体器件 8.2 单相可控整流电路单相可控整流电路 8.3 逆变器 8.4 斩波电路与PWM控制电路 8.5 电力半导体器件的驱动电路本次课内容本次课内容第第8章章 电力电子学基础电力电子学基础 8.1 半导体器件 8.2 单相可控整流电路
2、8.3 逆变器 8.4 斩波电路与PWM控制电路 8.5 电力半导体器件的驱动电路 第第8章章 电力电子学基础电力电子学基础学习要求学习要求:掌握电力半导体器件的基本工作原理、特性和掌握电力半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数主要参数的含义的含义;掌握几种掌握几种单相和三相基本可控整流电路单相和三相基本可控整流电路的工作原理及特点的工作原理及特点;熟悉熟悉逆变器逆变器的基本工作原理、用途和控制的基本工作原理、用途和控制;了解了解晶闸管晶闸管工作时对触发电路的要求和触发电路的基本工作原理。工作时对触发电路的要求和触发电路的基本工作原理。前前 言言 电力(强)电子学电力(强)电子学电力半导体器
3、件电力半导体器件微(弱)电子学微(弱)电子学集成电路集成电路半导体器件半导体器件电力电子学的任务:利用电力半导体器件和线路来利用电力半导体器件和线路来实现电功率的变换和控制。实现电功率的变换和控制。电力半导体器件电力半导体器件弱电弱电强电强电 全全控控型型器器件件半半控控型型器器件件不不可可控控器器件件电电力力半半导导体体器器件件 电力半导体器件根据其电力半导体器件根据其导通和管断导通和管断的的可控性可分为可控性可分为 由电力半导体器件和相应电路所组成的电力变换电路按功能可以分为:由电力半导体器件和相应电路所组成的电力变换电路按功能可以分为:可控整流电路可控整流电路将将固定频率、电压的交流电固
4、定频率、电压的交流电变为变为固定或可调的直流电固定或可调的直流电;交流调压电路交流调压电路将将固定频率、电压的交流电固定频率、电压的交流电变为变为可调电压的交流电可调电压的交流电;逆变电路逆变电路把把直流电直流电变为变为频率固定或可调的交流电频率固定或可调的交流电;变频电路变频电路把把固定频率的交流电固定频率的交流电变为变为频率可调的交流电频率可调的交流电;斩波电路斩波电路把把固定的直流电压固定的直流电压变为变为可调直流电压可调直流电压;电子开关电子开关功率半导体工作在开关状态,可以代替继电器、接触器用于频繁开合操作的场合。功率半导体工作在开关状态,可以代替继电器、接触器用于频繁开合操作的场合
5、。8.1半导体器件半导体器件 一、不可控型开关器件一、不可控型开关器件 大功率二极管大功率二极管属于不可控开关器件属于不可控开关器件二、半控型开关器件二、半控型开关器件 晶闸管晶闸管(Silicon Controlled Rectifier 简称简称SCR)是在)是在60年代发展起来的年代发展起来的一种新型电力半导体器件,晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的一种新型电力半导体器件,晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用。桥梁作用。优点优点:(1)功率放大倍数可以达到几十万倍,功率放大倍数可以达到几十万倍,即用即用很小的功率很小的功率(电流约电流约几十毫安几十毫安一百多毫安一百
6、多毫安,电,电压约压约24V)可以控制较大的功率可以控制较大的功率(电流自电流自几十几十安几千安安几千安,电压自几百伏几千伏,电压自几百伏几千伏),(2)控制灵敏、反应快,控制灵敏、反应快,晶闸管的导通和截晶闸管的导通和截止时间都在止时间都在微秒级微秒级;(3)损耗小、效率高损耗小、效率高,晶闸管本身的,晶闸管本身的压降很小压降很小(仅仅1V左右左右),总效率可达,总效率可达97.5%,而一般机组效率,而一般机组效率仅为仅为85%左右;左右;(4)体积小、重量轻体积小、重量轻。缺点:缺点:(1)过载能力弱过载能力弱,在过电流、过电压情况下,在过电流、过电压情况下很容易损杯,要保证其可靠工作,在
7、控制电路中很容易损杯,要保证其可靠工作,在控制电路中要采取保护措施,在选用时,其电压、电流应适要采取保护措施,在选用时,其电压、电流应适当留有余量;当留有余量;(2)抗干扰能力差抗干扰能力差,易受冲击电压的影响,当,易受冲击电压的影响,当外界干扰较强时,容易产生误动作;外界干扰较强时,容易产生误动作;(3)导致电网电压波形畸变导致电网电压波形畸变,高次,高次谐波分量增加,干扰周围的电气设备;谐波分量增加,干扰周围的电气设备;(4)控制电路比较复杂控制电路比较复杂,对维修人员,对维修人员的技术水平要求高。的技术水平要求高。晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的晶闸管是在半导体二极管、
8、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件大功率半导体器件,它是一,它是一种可控制的硅整流元件,亦称种可控制的硅整流元件,亦称可控硅可控硅。其中:其中:A阳极,阳极,K阴极,阴极,G控制极。控制极。4层半导体层半导体(P1、N1、P2、N2),3个个PN结结1.晶闸管的结构和符号晶闸管的结构和符号 A(阳极)(阳极)P1P2N1三三 个个 PN结结N2四四 层层 半半 导导 体体K(阴极)(阴极)G(控制极)(控制极)晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三个个PNPN结,并在对应的半导体材料上引出了结,并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为:
9、三个电极。这三个电极分别称为:AA阳极,阳极,GG控制极,控制极,KK阴极。阴极。符号符号AKG晶闸管试验晶闸管试验0-t10-t1:开开关未合关未合上,控制极对上,控制极对阴极的电压为阴极的电压为0 0,尽管阳极,尽管阳极对阴极的电压对阴极的电压为正,晶闸管为正,晶闸管未导通未导通.t2-t3:t2-t3:阳极对阴极的电压为阳极对阴极的电压为负负,尽管控制极对阴极的电压也为尽管控制极对阴极的电压也为正,晶闸管正,晶闸管关断关断 t4-t5:t4-t5:由于这时晶闸管处于由于这时晶闸管处于导导通通状态,则状态,则维持导通维持导通;当;当t=tt=t5 5时,由于,晶闸管关断,晶闸时,由于,晶闸
10、管关断,晶闸管处于阻断状态。管处于阻断状态。t3-t4:t3-t4:晶闸管的阳极对阴极又开始承受晶闸管的阳极对阴极又开始承受正正向向电压,这时,控制极对阴极有电压,这时,控制极对阴极有正正电压,所电压,所以,晶闸管又以,晶闸管又导通导通,电源电压再次加于上,电源电压再次加于上t1-t2:t1-t2:阳极对阴极的电压为阳极对阴极的电压为正正,由于开关合上,由于开关合上,使得控制极对阴极的电压也为使得控制极对阴极的电压也为正正,即晶闸,即晶闸管管导通导通,晶闸管压降很小,电源电压加于,晶闸管压降很小,电源电压加于电阻上电阻上 综上所述可得出以下结论:综上所述可得出以下结论:(1)起始时)起始时若控
11、制极不加电压若控制极不加电压,则不论阳极加正向电压还是反向电压,晶闸管均不,则不论阳极加正向电压还是反向电压,晶闸管均不导通,这说明晶闸管导通,这说明晶闸管具有正、反向阻断能力具有正、反向阻断能力;(2)晶闸管的)晶闸管的阳极阳极和和控制极同时正向电压控制极同时正向电压时晶闸管才能导通,这是晶闸管导通时晶闸管才能导通,这是晶闸管导通必须必须同时具备同时具备的两个条件;的两个条件;(3)在晶闸管导通之后,其控制极就失去控制作用在晶闸管导通之后,其控制极就失去控制作用,欲使晶闸管恢复阻断状态,欲使晶闸管恢复阻断状态,必必须把阳极正向电压降低到一定值须把阳极正向电压降低到一定值(或断开,或反向)。(
12、或断开,或反向)。3.晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性 晶闸管晶闸管阳极阳极对对阴极阴极的的电压电压和和流过晶闸管的电流流过晶闸管的电流之间的关系称为晶闸管的伏安特性。之间的关系称为晶闸管的伏安特性。晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性(1 1)正向阻断状态正向阻断状态:晶闸管的:晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压,阳极与阴极间加上正向电压,而晶闸管控制极开路(而晶闸管控制极开路(I Ig g=0=0)情况下,开始元件中有很小的情况下,开始元件中有很小的电流(称为电流(称为正向漏电流正向漏电流)流过)流过,晶闸管阳极与阴极间表现出,晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻,处于截止状态很大的电阻,处于截止
13、状态(称为正向阻断状态),简称断称为正向阻断状态),简称断态态。图中第一象限红色段曲线图中第一象限红色段曲线。(2 2)正向击穿正向击穿:在控制极开路的情况下,当阳极电压上升到某一数值时,:在控制极开路的情况下,当阳极电压上升到某一数值时,晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态。阳极这时的电压称为晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态。阳极这时的电压称为断态不重断态不重复峰值电压(复峰值电压(U UDSMDSM),),或称或称正向转折电压(正向转折电压(U UBOBO)。导通后,元件中流导通后,元件中流过较大的电流,其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。过较大的电流,其值主要由限流电阻(使用时由负载
14、)决定。图中第一图中第一象限绿色段曲线。象限绿色段曲线。AKG晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性(5)(5)反向击穿:反向击穿:当反向电压增大到某一数值时,当反向电压增大到某一数值时,反向漏电流急剧增大,这时,所对应的电压反向漏电流急剧增大,这时,所对应的电压称为称为反向不重复峰值电压(反向不重复峰值电压(U URSMRSM),),或称或称反反向转折(击穿)电压(向转折(击穿)电压(U URRRR)。图中第三象限图中第三象限绿色段曲线。绿色段曲线。(3 3)正向导通状态:正向导通状态:晶闸管的阳极与阴晶闸管的阳极与阴极间加上极间加上正向电压正向电压,晶闸管控制极,晶闸管控制极加上加上正向电压正向
15、电压的情况下,晶闸管导的情况下,晶闸管导通,通,阳极电流的大小由负载决定阳极电流的大小由负载决定,阳极和阴极间的管压降很小阳极和阴极间的管压降很小。图中图中第一象限蓝色段曲线。第一象限蓝色段曲线。(4 4)反向截止状态:反向截止状态:在晶闸管阳极与阴极间在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时,开始晶闸管处于加上反向电压时,开始晶闸管处于反向阻反向阻断状态断状态,只有很小的反向漏电流流过。,只有很小的反向漏电流流过。图图中第三象限黄色段曲线。中第三象限黄色段曲线。4.晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 1)断态重复峰值电压断态重复峰值电压UDRM 晶闸管正向阻断状态下,可以重复加在晶闸管阳极和阴极两晶
16、闸管正向阻断状态下,可以重复加在晶闸管阳极和阴极两端的正向峰值电压端的正向峰值电压。UDRM=UDSM -100 在选择晶闸管时还要考虑留有足够的余量,一般:在选择晶闸管时还要考虑留有足够的余量,一般:晶闸管的晶闸管的UDRM、UDRM应等于所承受的正、反向电压的(应等于所承受的正、反向电压的(23)倍。)倍。2)反向重复峰值电压)反向重复峰值电压URRM 晶闸管反向截止状态下,可以重复加在晶闸管阳极和阴极两端晶闸管反向截止状态下,可以重复加在晶闸管阳极和阴极两端的反向峰值电压的反向峰值电压。URRM=URSM -100 3)额定通态平均电流(额定电流)额定通态平均电流(额定电流)IT 在环境
17、温度不大于在环境温度不大于40度的度的标准散热标准散热及全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)平均值,称为及全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)平均值,称为额定通态平均电流,简称为额定通态平均电流,简称为额定电流额定电流。4)维持电流)维持电流 IH 在规定的环境温度和控制极断路时,维持元件继续导通的在规定的环境温度和控制极断路时,维持元件继续导通的最小电流最小电流称维持电流。一般为几称维持电流。一般为几mA一百多一百多mA 三、全控型开关器件三、全控型开关器件1.门极门极可关断可关断晶闸管(晶闸管(GTO)工作特点:工作特
18、点:1)当门极当门极G上加上加正电压正电压或正脉冲信号时,或正脉冲信号时,GTO导通并保持导通并保持;2)当门极上加上当门极上加上反向电压反向电压或反向脉冲或反向脉冲时,时,GTO关断并保持关断并保持。2.电力晶体管(电力晶体管(GTR)、大功率晶体管、)、大功率晶体管、达林顿管达林顿管(复合管复合管)内部结构内部结构基本电路基本电路开关时间开关时间主要特性主要特性 1)开路关断电压开路关断电压基极开路时另两个极之间能承受的最高电压;基极开路时另两个极之间能承受的最高电压;2)集电极最大持续电流集电极最大持续电流基极偏置时,集电极能流过的最大电流。基极偏置时,集电极能流过的最大电流。2.电力晶
19、体管(电力晶体管(GTR)、大功率晶体管、)、大功率晶体管、达林顿管达林顿管(复合管)(复合管)3.电力场效应晶体管电力场效应晶体管(P-MOSFET)主要参数:主要参数:1)开启电压开启电压UT当当uGS上升到开启电压上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流时,开始出现漏极电流;2)漏极电压漏极电压3)漏极漏极直流电流直流电流和脉冲直流峰值和脉冲直流峰值4)删源电压删源电压5)极间电容极间电容4.绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管(IGBT)简化等效电路简化等效电路图形符号图形符号基本电路基本电路第第8章章 电力电子学基础电力电子学基础 8.1 半导体器件 8.2 单相可控整流电路 8.3 逆变
20、器 8.4 斩波电路与PWM控制电路 8.5 电力半导体器件的驱动电路 8.2 单相可控整流电路单相可控整流电路 整流整流将交流电变为直流电的过程;将交流电变为直流电的过程;整流电路整流电路将交流电变为直流电的电路;将交流电变为直流电的电路;整流整流单相单相 三相三相 不不可可控控可可控控 不不可可控控可可控控1.1.电阻负载电阻负载为导通角:为导通角:晶闸管在一个周期时间晶闸管在一个周期时间内导通的电角度内导通的电角度范围:范围:,0为控制角为控制角:晶闸管从承受:晶闸管从承受正向电压起始点到触发脉冲正向电压起始点到触发脉冲的作用点之间的电角度的作用点之间的电角度范围:范围:0,+=+=8.
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