书签 分享 收藏 举报 版权申诉 / 29
上传文档赚钱

类型MOCVD原理及设备简介课件.ppt

  • 上传人(卖家):晟晟文业
  • 文档编号:4188851
  • 上传时间:2022-11-18
  • 格式:PPT
  • 页数:29
  • 大小:4.90MB
  • 【下载声明】
    1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
    2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
    3. 本页资料《MOCVD原理及设备简介课件.ppt》由用户(晟晟文业)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
    4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
    5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
    配套讲稿:

    如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。

    特殊限制:

    部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。

    关 键  词:
    MOCVD 原理 设备 简介 课件
    资源描述:

    1、2022/11/181光伏制造工艺和设备介绍MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)金属有机化学气相沉积 2022/11/1821.什么是MOCVD?一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。膜的化学气相沉积技术。优点:沉积温度低、不采用卤化物原料,因此优点:沉积温度低、不采用卤化物原料,因此 在沉积中不存在刻蚀反应在沉积中不存在刻蚀反应;适合大批量生产。适合大批量生产。可直接生长出绒面结构的可直接生长出绒面结构的ZnO薄膜,能有效增加入射薄膜,能有效增加入射光的光程,对太阳

    2、光谱起到良好的陷光作用。光的光程,对太阳光谱起到良好的陷光作用。缺点缺点:许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃;反应温度反应温度低,因此有时在气相中就发生反应。低,因此有时在气相中就发生反应。2022/11/1832.太阳能电池的制备工艺以玻璃为基底以玻璃为基底pin 型太阳能电池型太阳能电池 i layer(350nm)玻璃玻璃SnO2(900nm)P layer(10nm)n layer(30nm)ZnO(80nm)Metal(250 nm)封装玻璃封装玻璃引线盒引线盒ZnO2022/11/184ZnO的作用 增加反射光在太阳电池中的光增加反射光在太阳电池中的光

    3、程程,提高太阳光的收集效率。,提高太阳光的收集效率。2.减薄本征吸收层,抑制光致衰退,减薄本征吸收层,抑制光致衰退,改善电池的稳定性;改善电池的稳定性;3.阻挡金属背电极元素如阻挡金属背电极元素如Ag或或Al 向向n层的扩散,改善界面及电层的扩散,改善界面及电池性能。池性能。2022/11/185ZnO性能结构:六方晶体,每个结构:六方晶体,每个Zn(锌锌)原子与四个原子与四个O(氧氧)原原子按四面体排布,子按四面体排布,ZnO薄膜是由不规则晶粒组成的薄膜是由不规则晶粒组成的多晶薄膜。多晶薄膜。半导体特性:半导体特性:N型宽带隙半导体,型宽带隙半导体,Eg=3.36eV导带导带禁带禁带价带价带

    4、电子能量电子能量导带底导带底 Ec价带顶价带顶 EvEg(禁带宽度禁带宽度)2022/11/186ZnO性能 方块电阻:35%2022/11/187MOCVD原理将金属有机物气化后,利用载气通入反应室,在反应室内发生化学反应,生成物沉积到衬底上形成薄膜。金属有机物:DEZ载气:ArZnO的制备的制备2022/11/188ZnO的制备DEZH2O ZnO (C2H5)2Zn+2H2OZn(OH)+2C2H6基 底 Zn(OH)2ZnO H2O 基底温度:基底温度:180 200 2022/11/189气源泵组热阱沉积室MOCVD系统温度:2503002022/11/1810MOCVD系统原理图反

    5、应气体反应气体:1.DEZ(Ar载气)载气)2.H2O(Ar载气)载气)3.B2H6尾气:尾气:Ar、H2O、C2H6、B2H6、H2、(C2H5)2Zn2022/11/1811沉积室沉积室参数:参数:温度:室温温度:室温300压力:压力:0.55Torr传输腔:传输腔:1个个沉积室:沉积室:3个个进进/出样室:出样室:2个个2022/11/18122022/11/1813DEZ和H2O气路管布局图2022/11/1814MOCVD设备外观图2022/11/18152022/11/18162022/11/1817DEZ 性质无色液体、与水、空气可发生剧烈反应,易燃易爆,无色液体、与水、空气可发

    6、生剧烈反应,易燃易爆,对皮肤及眼睛有伤害。对皮肤及眼睛有伤害。2022/11/18182022/11/1819对厂房设计、安全要放在首位。一般厂房分为两层,对厂房设计、安全要放在首位。一般厂房分为两层,2楼主要放氮气管、氨气管、空调、排风。楼主要放氮气管、氨气管、空调、排风。1楼放楼放DEZ2022/11/1820DEZ房2022/11/1821漏液燃烧室漏液燃烧室2022/11/18222022/11/18232022/11/18242022/11/1825DEZ房要求:1.防爆2.房间内有空调口、排风口、氮气口3.房间内有火警检测器、烟雾检测器4.自动充填系统下面有通孔及下水道,可以使泄漏的化学品流到漏液燃烧装置5.燃烧装置不能有水6.燃烧装置配备排气管、氮气输出管7.DEZ放配避雷针2022/11/18262022/11/1827DEZ气罐更换卸气罐卸气罐1.确认罐内残余确认罐内残余DEZ量量2.关闭气罐所有阀门关闭气罐所有阀门3.管道清洗管道清洗4.拆除分离气罐与管路拆除分离气罐与管路确认所有阀门处于关闭状态确认所有阀门处于关闭状态将气罐放入柜内,连接管路将气罐放入柜内,连接管路检漏检漏4.清洗光路清洗光路打开气罐阀打开气罐阀装气罐装气罐2022/11/18282022/11/1829

    展开阅读全文
    提示  163文库所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    关于本文
    本文标题:MOCVD原理及设备简介课件.ppt
    链接地址:https://www.163wenku.com/p-4188851.html

    Copyright@ 2017-2037 Www.163WenKu.Com  网站版权所有  |  资源地图   
    IPC备案号:蜀ICP备2021032737号  | 川公网安备 51099002000191号


    侵权投诉QQ:3464097650  资料上传QQ:3464097650
       


    【声明】本站为“文档C2C交易模式”,即用户上传的文档直接卖给(下载)用户,本站只是网络空间服务平台,本站所有原创文档下载所得归上传人所有,如您发现上传作品侵犯了您的版权,请立刻联系我们并提供证据,我们将在3个工作日内予以改正。

    163文库