模电-二极管及其基本电路课件.ppt
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- 二极管 及其 基本 电路 课件
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1、电子技术基础 A(模拟部分)2/105半导体基本知识半导体基本知识3.1PN结形成及特性结形成及特性3.2半导体二极管特性半导体二极管特性3.3二极管电路分析方法二极管电路分析方法3.4特殊二极管特殊二极管3.53/1053.1.1.半导体材料半导体材料3.1.2.半导体的共价键结构半导体的共价键结构3.1.3.本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用3.1.4.杂质半导体杂质半导体4/1053.1.1 半导体材料半导体材料导体:导体:自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体,金属,金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体:绝缘体:有的物质几乎不导电,称为
2、有的物质几乎不导电,称为绝缘体绝缘体,如橡,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为体之间,称为半导体半导体,如锗、硅、砷化镓,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。5/1053.1.1 半导体材料半导体材料半导体半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:不同于其它物质的特点。例如:当受外界热和光的作用时,它的导电能当受外界热和光的作用时,它的导电能 力明显变化。力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些
3、杂质,会使往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。6/1053.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构通过一定的工艺过程,可以将半导体制成通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体晶体。现代电子学中,用得最多的半导体是硅和锗,它现代电子学中,用得最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。们的最外层电子(价电子)都是四个。本征半导体:本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。GeSi7/1053.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,硅和锗晶体中,原
4、子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间形成于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间形成共价键共价键,共用一对价电子。,共用一对价电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体体3D结构:结构:8/1053.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构+4+4+4+4共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子9/1053.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,
5、称为束束缚电子缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电自由电子子,因此本征半导体中的自由电子很少,故本征半导,因此本征半导体中的自由电子很少,故本征半导体的导电能力很弱。体的导电能力很弱。形成共价键后,每个原子的形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定最外层电子是八个,构成稳定结构。结构。共价键有很强的结合力,使共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。原子规则排列,形成晶体。+4+4+4+410/105在绝对在绝对0 度度(T=0K)和没有外界激发时和没有外界激发时,价电子价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动完全被共价键束
6、缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即的带电粒子(即载流子载流子),它的导电能力为),它的导电能力为 0,相,相当于绝缘体。当于绝缘体。3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子自由电子,同时共,同时共价键上留下一个空位,称为价键上留下一个空位,称为空穴空穴。1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴11/1053.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用1.载流子、自由电子和空穴载流子
7、、自由电子和空穴自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子+4+4+4+412/105+4+4+4+43.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 在其它力的作用下,在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来空穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当填补,这样的结果相当于空穴的迁移,而空穴于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空移动,因此可以认为空穴是载流子。穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子自由电子和和空穴空穴。13/1053.
8、1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理温度越高,载流子浓度越高,本征半导体的导温度越高,载流子浓度越高,本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要外部因素,这是半导体的一大特点。要外部因素,这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成:本征半导体中电流由两部分组成:1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。14/105在本征半导体中掺
9、入某些微量杂质,就会使半导在本征半导体中掺入某些微量杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。的某种载流子浓度大大增加。3.1.4 杂质半导体杂质半导体P 型半导体:型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为称为“空穴半导体空穴半导体”。N 型半导体:型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为也称为“电子半导体电子半导体”。15/1053.1.4 杂质半导体杂质半导体1.N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中,掺入少量五价元素磷或锑,
10、晶在硅或锗晶体中,掺入少量五价元素磷或锑,晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必多出一个电子,该电子几乎不受子形成共价键,必多出一个电子,该电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为一个电子,称为施主原子施主原子。16/1053.1.4 杂质半导体杂质半导体1.N 型半导体型半导体多
11、余电子多余电子磷原子磷原子A.A.由施主原子提供电子,由施主原子提供电子,浓度与施主原子相同浓度与施主原子相同B.B.本征半导体中成对产本征半导体中成对产生的电子和空穴。生的电子和空穴。掺杂浓度掺杂浓度本征半导体中载流子浓度,故自由电本征半导体中载流子浓度,故自由电子浓度子浓度空穴浓度。自由电子称空穴浓度。自由电子称多数载流子多数载流子(多多子子),空穴称),空穴称少数载流子少数载流子(少子少子)。)。N-SC多子、少子是?多子、少子是?+4+4+5+417/1053.1.4 杂质半导体杂质半导体2.P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量三价元素,如硼或铟,在硅或锗晶体中掺入少量三价元素,
12、如硼或铟,晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的半导体原子形成的最外层有三个价电子,与相邻的半导体原子形成共价键时,产生一个空穴。该空穴可能吸引束缚电共价键时,产生一个空穴。该空穴可能吸引束缚电子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子,故称子。由于硼原子接受电子,故称受主原子受主原子。18/1053.1.4 杂质半导体杂质半导体2.P 型半导体型半导体空穴空穴硼原子硼原子A.A.由受主原子提供空穴,由受主原子提供空穴,浓度与受主原子相同浓度与受主
13、原子相同B.B.本征半导体中成对产本征半导体中成对产生的电子和空穴。生的电子和空穴。掺杂浓度掺杂浓度本征半导体中载流子浓度,故空穴浓本征半导体中载流子浓度,故空穴浓度度自由电子浓度。空穴称自由电子浓度。空穴称多数载流子多数载流子(多子多子),),自由电子称自由电子称少数载流子少数载流子(少子少子)。)。P-SC多子、少子是?多子、少子是?+4+4+3+419/1053.1.4 杂质半导体杂质半导体杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是于数量的关系,起导电作用的主要是多子多子。近似认为。近似认为多子与杂质浓度相
14、等。多子与杂质浓度相等。3.杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体N 型半导体型半导体20/1053.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散 3.2.2 PN结的形成结的形成3.2.3 PN结结的单向导电性的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应结的电容效应21/105 3.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散1.漂移漂移 由于热能激发,半导体(由于热能激发,半导体(SC)内的载流子将做随)内的载流子将做随机的无定向运动,但任意方向的平均速度为机的无定向运动,但任意方向的平均速度为0,故无,故无电流存在。电流存
15、在。当当SC外加电场,电子则逆电场移动,空穴则顺电外加电场,电子则逆电场移动,空穴则顺电场移动,形成电流。场移动,形成电流。电场作用下导致载流子运动称为电场作用下导致载流子运动称为“漂移漂移”。Si 材料中,电子运动的速度约为空穴运动速度的材料中,电子运动的速度约为空穴运动速度的3倍,倍,电子导电器件优于空穴导电器件电子导电器件优于空穴导电器件。22/105 3.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散2.扩散扩散 基于载流子浓度差异和随机热运动的速度,载流基于载流子浓度差异和随机热运动的速度,载流子由高浓度区域向低浓度区域运动,称为子由高浓度区域向低浓度区域运动,称为“扩散扩散”,从而形
16、成扩散电流。若无外来超量载流子的注入或从而形成扩散电流。若无外来超量载流子的注入或电场的作用,载流子浓度最终趋于均匀直至扩散电电场的作用,载流子浓度最终趋于均匀直至扩散电流为流为0。23/105 3.2.2 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上,分别制造在同一片半导体基片上,分别制造 P 型半导体型半导体和和 N 型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了界面处就形成了PN 结。结。24/105 3.2.2 PN 结的形成结的形成P型半导体型半导体N型半导体型半导体扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间扩散的结果是
17、使空间电荷区逐渐加宽,空电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。间电荷区越宽。内电场越强,就使漂内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。使空间电荷区变薄。空间电荷区,空间电荷区,也称耗尽层。也称耗尽层。25/105 3.2.2 PN 结的形成结的形成P型半导体型半导体N型半导体型半导体扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散扩散和和漂移漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变两个区之间没电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变26/105 3.2.2 PN 结的形成结的形成空间电荷区空
18、间电荷区N型区型区P型区型区电位电位VV027/105 3.2.2 PN 结的形成结的形成1.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍 P 中的空穴、中的空穴、N 区区中中的电子(的电子(都是多子都是多子)向对方运动()向对方运动(扩散运动扩散运动)3.3.P 区中的电子和区中的电子和 N 区中的空穴(区中的空穴(都是少子都是少子),),数量有限,因此由它们形成的电流很小。数量有限,因此由它们形成的电流很小。注意注意:28/1050.偏置的概念偏置的概念 3.2.3 PN 结的单向导电性结的单向导电性PN 结结加上正向电压加上正向
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