第三章双极结型三极管及放大电路基础教材课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《第三章双极结型三极管及放大电路基础教材课件.ppt》由用户(晟晟文业)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第三 章双极结型 三极管 放大 电路 基础 教材 课件
- 资源描述:
-
1、模拟电子技术模拟电子技术主讲教师:张立权主讲教师:张立权第三章第三章 双极结型三极管及放大双极结型三极管及放大电路基础电路基础123半导体三极管半导体三极管基本共射极放大电路基本共射极放大电路图解分析法图解分析法4小信号模型分析法小信号模型分析法2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院5放大电路的静态工作点稳定问题放大电路的静态工作点稳定问题67共集电极放大电路共集电极放大电路放大电路的频率响应放大电路的频率响应第一节第一节 半导体三极管半导体三极管1.1 BJT的基本结构的基本结构bNPNce集电区集电区基区基区发射区发射区集电结集电结发射结发射结PNPceb集电结集电结发射结发射
2、结bcebcev BJT的结构特点的结构特点bNPNce集电区集电区基区基区发射区发射区集电结集电结发射结发射结 集电区集电区面积大于发 射区,而掺杂浓度 小于发射区;基区基区很薄,掺杂浓 度很低;发射区发射区掺杂浓度很 高;bce 发射极上的箭头发射极上的箭头表 示发射结正偏时,发射极的实际电流 方向。发射结和集电结的发射结和集电结的耗尽层相对而言耗尽层相对而言那个较宽那个较宽?或者说那个阻抗或者说那个阻抗较大?较大?思考题:思考题:2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院发射区掺杂浓度较高,基区和集电区掺杂浓度较低,因此,发射结的电荷密度较大,容易形成较强的电场,使载流子的扩散和
3、漂移运动快速达到平衡。所以发射结较窄,集电结较宽。即发射结阻发射结较窄,集电结较宽。即发射结阻抗较小,集电结阻抗较大。抗较小,集电结阻抗较大。答案答案1.2 放大状态下放大状态下BJT的工作原理的工作原理1.BJT放大作用的外部条件:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。信号放大作用载流子运动ec条件条件1到达集电极的电流必须是由发射极越过基区的电子流条件条件2发射结正发射结正向偏置向偏置集电结反集电结反向偏置向偏置BBVbRPNNbceCCVEIPNNbcebRBBVCCV2.BJT内部载流子的运动:ENIEPI 电流方向 空穴方向 电子方向发射区向基区扩散载流子形成发射极电流IE
4、(多子电子多子电子)OneEIPNNbcebRBBVCCVENIEPICNI载流子在基区扩散和复合,形成复合电流IBN(多子电子多子电子)Twou基区电子浓度差 形成扩散运动;u基区薄、掺杂浓 度低,因此复合 机会少。BNI集电区收集载流子,形成集电极电流IC(多子电子多子电子)ThreeCIEIPNNbcebRBBVCCVENIEPIBNICNICBOI2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v BJT实现放大的条件实现放大的条件 外部条件:外部条件:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。内部条件:内部条件:发射区杂质浓度远大于基区发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度,且基
5、区很薄。杂质浓度,且基区很薄。3.BJT电流分配关系:BICIEIPNNbcebRBBVCCVENIEPIBNICNICBOI(1)BETEENEPvVESIIIIeBEPBNCBOBCBOIIIIIICCNCBOIIIEBCIIIv 内部关系:v 外部关系:4.BJT放大电路三种组态bceBICICEecbEICICBbecBIEI共射极共基极CC共集极u三种组态的内部载流子传输过程相同;u三种组态有放大作用,必须发射结正偏,集电结反 偏。v 注意:注意:5.BJT共射电流放大系数v 共射直流电流放大系数:电流 与 之比。CNIBICNCCBOBBCBOIIIIIIPNNbceENIEPIB
6、NICNICBOI(1)CBCBOBCEOIIIIICEOI是穿透电流穿透电流,很小CBII (1)EBII 2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v 共射交流电流放大系数IuBBVcRbRCCVouBBBiIi CCCiIiCBiiu一般认为:一般认为:1u取值范围:201001.3 BJT的伏安特性的伏安特性(共射极组态共射极组态)v 输入特性曲线:const()|CEBBEvif vv 输出特性曲线:const()|BCCEiif v共发射极接法实验线路共发射极接法实验线路mACiSCVCRVCEvECBiBBEvASBVVBR1.输入特性曲线:const()|CEBBEvi
7、f v/ABiVBEvvCE=0V1V10Vo0.40.8u 时,输入特性相当于二极管的正向特性曲 线;0VCEvu 时,集电结进入反偏,开 始收集电子,内电场增强,集电结变宽,则基区变 窄,载流子复合机会减少,即iB减小,曲线右移。1VCEv0CBCEBEvvvu存在基区宽度调制效应基区宽度调制效应2.输出特性曲线:const()|BCCEiif v/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi CEvCEE收集电子收集电子Ci收集电子不明显提高收集电子不明显提高曲线平行横轴曲线平行横轴CEvu放大区放大区u饱和区饱和区u截止区截止区2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v
8、 截止区特征:/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi u发射结电压小于死发射结电压小于死 区电压且集电结反区电压且集电结反 偏。偏。0,BCCEOIIIon,BECEBEvUvv2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi v 放大区特征:u发射结正偏,集电发射结正偏,集电 结反偏。结反偏。iC只于iB 有关,也称为线性线性 放大区,放大区,即,CBCBIIiiu基区宽度调制效应 使曲线略微上翘。on,BECEBEvUvv2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi
9、 v 饱和区特征:on,BECEBEvUvvu发射结和集电结均发射结和集电结均 正偏。正偏。IC不再服从 。BI/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi CEBEvvCEBEvvCEBEvv临界饱和线临界饱和线v 小结一:小结一:v 小结二:小结二:截止区截止区放大区放大区饱和区饱和区0,BCCEOIII CBII CBII on,BECEBEvUvv on,BECEBEvUvv on,BECEBEvUvv 发、集均反偏发、集均反偏发正偏,集反偏发正偏,集反偏发、集均正偏发、集均正偏例:例:=50,VSC=12V,RB=70k,RC=6k,当VSB=-2V,2V,5V时,晶体管的静
10、态工作点Q位于哪个区?SBVCRBRSCVBICICBEBEVCEVVSB=-2V,IB=0,IC=0,Q位于截止区。解:解:120.95 66.3CESCCCVVI RVSBVCRBRSCVBICICBEBEVCEV当VSB=2V时:20.70.019mA70SBBEBBVVIR则50 0.0190.95mAICM 时,BJT不一定烧坏,但放大能力太差。5.5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压:当基极开路,集电极-发射极之间的电压VCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压V(BR)CEO。6.集集电极最大允许耗散功率电极最大允许耗散功率PC
11、M:集电结消耗的功率PCicvCE必然要大于发射结消耗的功率,导致集电结温上升。因此,必须限制其值不能超过最大允许耗散功率。安全工作区CMcCEPi v/mACi/VCEv0o20A40A60A80ABi CMI()BR CEOV2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院作业作业n4.1.1n4.1.2n4.1.3n4.2.1n4.2.2n4.2.3第二节第二节 基本共射极放大电路基本共射极放大电路v 放大的基本概念放大的基本概念放大电路放大电路V 放大的对象是微弱的变化量微弱的变化量,其基本特征是功率放功率放 大大;放大电路放大的本质是能量的控制和转换能量的控制和转换;放大的前提是保
12、证信号不失真。保证信号不失真。2.1 共射放大电路的组成共射放大电路的组成BBVCRBRCCVT2C1CivLRov三极管三极管T:放大器件,iC=iB参考点参考点BBVCRBRCCVT2C1CivLRov基极电源基极电源使发射结正偏,并提供适当的静态工作点IB和VBE集电极电源集电极电源使集电结反偏,并为输出提供能量BBVCRBRCCVT2C1CivLRov集电极电阻集电极电阻将变化的电流转变为变化的电压。BBVCRBRCCVT2C1CivLRov耦合电容耦合电容隔离输入输出与电路直流的联系,同时能使交变信号顺利通过。电解电容,电解电容,有极性,有极性,大小一般大小一般为为10 F50 FB
13、BVCRBRCCVT2C1CivLRov可由单电源单电源VCC供电,供电,因此VBB可省去2.2 共射放大电路的工作原理共射放大电路的工作原理1.静态和动态:静态和动态:CRBRCCVT2C1CLRoviv 静态静态(直流工作状态):时,放大电路的工作状 态;0iv 动态动态(交流工作状态):时,放大电路的工作状 态;0iv CIEBCIII2.静态静态:CRBRCCVT2C1CLRoviv无输入信号时BI由于单电源的存在 IB0IC0CEVBEV2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v 静态工作点:静态工作点:(IB,VBE)和(IC,VCE)分别对应于输入、输 出特性曲线上一个
14、确定的点。/ABIVBEVo0.40.8/mACI/VCEV0o20A40A60A80ABI40QQ为什么一定要设置为什么一定要设置合适的静态工作点?合适的静态工作点?思考题:思考题:2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院答案答案保证发射结正偏,集电结反偏。保证放大信号不失真,有较大的线性工作范围3.放大电路的直流通道放大电路的直流通道:CRBRCCVT2C1CLRoviv开路开路直流通道直流通道CRCCVTBR4.估算法分析放大器的静态工作点估算法分析放大器的静态工作点:a.估算IB(VBE=0.7V):0.7CCBECCBBBCCBVVVIRRVR提供偏置电流偏置电流IB的电路
15、称为偏置电路偏置电路,RB为偏置电阻偏置电阻。BRCRCCVTBEVBIu输入回路方程:2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院u输出回路方程:b.估算IC 和VCE:CRCCVTBRCEVCICBIICECCCCVVI R例:例:用估算法计算静态工作点。已知解:解:37.5 0.041.5mACBII12 1.5 46 VCECCCCVVI R 请注意电路中请注意电路中I IB B和和I IC C的数量级。的数量级。12V,4kCCCVR300k,37.5BR12=0.04mA300CCBBVIR0.7VBEV则根据直流通路有放大电路放大电路分析方法分析方法静态工作静态工作情况分析
16、情况分析动态工作动态工作情况分析情况分析估算法估算法图解法图解法图解法图解法小信号模小信号模型法型法第三节第三节 图解分析法图解分析法cRbRCCVT2C1CLRoviv3.1 静态工作情况分析静态工作情况分析BECCBbvVi R1.输入输出回路方程:CECCCcvVi Rv 目的:目的:确定静态工作点确定静态工作点u注意:注意:,12CBEQCCEQVVVVBiBEvoBQIBEQVCQICEQV输入直流负载线输出直流负载线CCVCCbVRQCiCEvoBBQIICCVCCcVRQ2.确定静态工作点:3.2 动态工作情况分析动态工作情况分析v 目的:目的:解释放大原理解释放大原理BEBEQ
17、ivVv1.输入输出回路方程:CECEQovVvivcRbRCCVT2C1CLRovBiBEvoQQQBEQVBEvtoivBQIBiot2Bi1BibiCiotciCQICiCEvoBQI2Bi1BiQvCE如何如何变化变化?2.确定vCE思路:a.画交流通路原则:ivcRbRCCVT2C1CLRov内阻很小的直流电压源短路;内阻很大的电流源或 恒流源开路。容量较大的电容短路。ivcRbRTLRovcicevbiivcRbRTLRovcicevbib.由交流通路确定vCE:/oceccLcLvviRRi R CECEQoCEQcLCEQCCQLCEQCQLCLvVvVi RViIRVIRi
18、Rc.画交流负载线交流负载线 确定vCE:CECEQCQLCLvVIRi R CiotciCQICiCEvoBQI2Bi1BiQCEQVQQtCEvocev交流负载线直流负载线3.各点波形分析:cRbRCCVT2C1CLRovivtoBEvtoivBiotbiciCiotcevCEvotovot2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v 结论:结论:vo比vi幅度放大且相位相反,因而又叫反相电压放 大器。电路中的电压和电流包含直流和交流分量:BEBEQbevVvp发射结电压:BBQbiIip基极电流:CCQciIip集电极电流:CECEQcevVvp集电结电压:晶体管必须工作在线性放
19、大区,即发射结正偏,晶体管必须工作在线性放大区,即发射结正偏,集电结反偏。集电结反偏。正确设置静态工作点,保证在交流信号的整个周正确设置静态工作点,保证在交流信号的整个周 期内,期内,BJTBJT都处于放大区。都处于放大区。输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电 极电压,经电容滤波输出交流信号。极电压,经电容滤波输出交流信号。v 实现放大条件小结:实现放大条件小结:2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院3.3 静态工作点对波形失真的影响静态工作点对波形失
20、真的影响v 失真失真:输出波形与输入波形比较,发生畸变。截止失真:截止失真:由于放大电路的工作点达到了三极管的 截止区而引起的非线性失真。对NPN管 ,输出电压表现为顶部失真。饱和失真:饱和失真:由于放大电路的工作点达到了三极管的 饱和区而引起的非线性失真。对NPN管 ,输出电压表现为底部失真。2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v 放大电路要获得最大不失真输出幅度,要求:放大电路要获得最大不失真输出幅度,要求:静态工作点要设置在输出特性曲线放大区的中间部 位;要有合适的交流负载线。2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院作业作业n4.3.2n4.3.3n4.3.4n4
21、.3.5第四节第四节 小信号模型分析法小信号模型分析法v 建立小信号模型的意义:建立小信号模型的意义:由于三极管是非线性器件,这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型,就是将非线性器件做线性化处理,从而简化放大电路的分析和设计。bceBiCi如何线性如何线性化化?2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院4.1 三极管的小信号模型导出三极管的小信号模型导出BiBEvvCE=0V1V10VoCiCEvo1.函数关系:(,)(,)BEBCECBCEvf ivif iv vCE1V时,输入特性基本重合,故在iB恒定情况 下,vCE对vBE影响很小。在放大区,各输出特性几乎与横轴平行,
22、故在iB 恒定情况下,vCE对iC影响很小。BiBEvvCE=0V1V10VoCiCEvov 注意问题:注意问题:(,)(,)BEBCECBCEvf ivif iv CEQBQCEQBQBEBEBEBCEBCEVICCCBCEBCEVIvvdvdidviviidididviv 考虑动态工作情况CEQBQCEQBQBEBEbebceBCEVICCcbceBCEVIvvviviviiiiviv dvBE代表vBE中的变化部分CEQBQBEBEbebceBCEVIvvviviv 电阻比例系数2.输入回路等效电路:bcebicibevcevbevbebicekvber可忽略bevbebiberv 动态
23、电阻rbe的意义:CEQBEbeBVvriBiBEvoCECEQvVBiBEv 26 mV2001mAbeEQrI p对于小功率三极管:rbe的量级从几百欧到几千欧。3.输出回路等效电路:CEQBQCCcbceBCEVIiiiiviv 比例系数电导bcebicibevcevbevbebibercibicercevc2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院v 动态电阻rce的意义:1BQCceCEIirvCiCEvoBQICEvCip动态电阻rce非常大,其量级在几百千欧以上,故 该支路可视为开路。4.三极管的小信号模型等效电路:三极管的小信号模型等效电路:bcebicibevcevb
24、evbebibercibicevcv 注意:注意:小信号模型用于分析三极管的动态工作情况;没考虑结电容作用,故只适用低频小信号情况;受控源电流方向与ib是关联的。4.2 用小信号模型分析共射极放大电路用小信号模型分析共射极放大电路1.画小信号等效电路 将交流通道交流通道中的三极管用小信号模型来代替;只有在放大电路输入信号为交流小信号时,上述等效才成立。ivcRbRCCVT2C1CLRovivcRbRTLRovcicevbiivcRbRTLRovcibi交流通道交流通道ivcRbRLRovcibiberiibi交流等效电路交流等效电路2008-2-26北京建筑工程学院北京建筑工程学院2.放大电路
25、的性能指标a.电压放大倍数电压放大倍数ivovvAoviVAAV 其中,A=Vo/Vi,Vo和Vi分别是输出和输入电压的有效值。iVcRbRLRoVcIbIberiIbI例:例:用小信号等效电路求基本共射放大电路的电压放大倍 数。解:解:根据ib beVI r/obcLbLVIRRI R 则电压放大倍数为:obLLvib bebeVI RRAVI rr 可见,负载电阻小,则放大倍数小。b.输入电阻输入电阻是从放大电路的输入端看进去的等效电阻。放放大大电电路路sViRiVsRiIv 表达式:iiiVRIp一般来说,一般来说,Ri越大越好。越大越好。Ri越大,ii就越小,vi就 越接近vs,因此总
展开阅读全文