第4章-场效应管放大电路new-P沟道课件.ppt
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1、电子技术基础(模拟部分)电子技术基础(模拟部分)兰州大学信息科学与工程学院兰州大学信息科学与工程学院20192019年年场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。高,温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种场效应管有两种:4.1 场效应晶体管场效应晶体管N沟道沟道P沟道沟道耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型N沟道沟道P沟道沟道一、结构及符号一、结构及符号4.1.1 结型场效应管结型场效应管:源极(S)栅极(G)P区漏极DNNDGSN沟道GSDP沟道
2、扩散情况:NPNN二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例,沟道为例,N沟道见书)沟道见书)UDS=0V时时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏,结反偏,UGS越大则耗尽区越越大则耗尽区越宽,导电沟道越宽,导电沟道越窄。窄。4.1.1 结型场效应管结型场效应管:PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时时NNUGS越大耗尽区越宽,沟越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。道越窄,电阻越大。但当但当UGS较小时,耗尽区较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。何间相当于线性电阻。何种载流子导电?种载流子导电?二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例
3、)沟道为例)4.1.1 结型场效应管结型场效应管:PGSDUDSUGSNNUDS=0时时UGS达到一定值时(达到一定值时(夹断电夹断电压压VP),耗尽区碰到一起,耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使间被夹断,这时,即使UDS 0V,漏极电流漏极电流ID=0A。ID二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例)沟道为例)4.1.1 结型场效应管结型场效应管:PGSDUDSUGSUGS0、UGDVP时耗尽区的形状时耗尽区的形状NN越靠近漏端,越靠近漏端,PN结反压越大结反压越大ID二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例)沟道为例)4.1.1 结型场效应管结型场效应管:PGSDUDSUGSUG
4、SVp且且UDS较大时较大时UGDVP时耗尽区的形状时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻沟道中仍是电阻特性,但是是非特性,但是是非线性电阻。线性电阻。ID二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例)沟道为例)4.1.1 结型场效应管结型场效应管:GSDUDSUGSUGSVp UGD=VP时时NN漏端的沟道被夹断,称为漏端的沟道被夹断,称为予夹断。予夹断。UDS增大则被夹断增大则被夹断区向下延伸。区向下延伸。ID二、工作原理(以二、工作原理(以P沟道为例)沟道为例)4.1.1 结型场效应管结型场效应管:GSDUDSUGSUGS0时时UGS足够大时足够大时(UGSVT)感)感应出足够多电子,应出足够多
5、电子,这里出现以电子这里出现以电子导电为主的导电为主的N型型导电沟道。导电沟道。感应出电子感应出电子VT称为开启(阈值)电压称为开启(阈值)电压二、二、MOS管的工作原理管的工作原理4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:UGS较小时,导较小时,导电沟道相当于电电沟道相当于电阻将阻将D-S连接起连接起来,来,UGS越大此越大此电阻越小。电阻越小。PNNGSDUDSUGS二、二、MOS管的工作原理管的工作原理4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:PNNGSDUDSUGS当当UDS不太大不太大时,导电沟时,导电沟道在两个道在两个N区区间是均匀的。间是均匀的。当当UDS较大较大时,靠近时,靠近
6、D区的导电沟区的导电沟道变窄。道变窄。二、二、MOS管的工作原理管的工作原理4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:PNNGSDUDSUGS夹断后,即夹断后,即使使UDS 继续继续增加,增加,ID仍仍呈恒流特性呈恒流特性。IDUDS增加,增加,UGD=VT 时,时,靠近靠近D端的沟道被夹断,端的沟道被夹断,称为予夹断。称为予夹断。二、二、MOS管的工作原理管的工作原理4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:三、增强型三、增强型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线转移特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:输出特性曲线输出特性曲线IDU DS0UGS
7、0三、增强型三、增强型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:四、耗尽型四、耗尽型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线耗尽型的耗尽型的MOS管管UGS=0时就有时就有导电沟道,加反向电压才能导电沟道,加反向电压才能夹断。夹断。转移特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:输出特性曲线输出特性曲线IDU DS0UGS=0UGS0四、耗尽型四、耗尽型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:DSGSDmUUIg4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:五、说明:五、说明:(1)
8、MOS管由四种基本类型;(2)MOS管的特性与结型场效应管的特性类似;(3)增强型的MOS管的UGS必须超过一定的值以使沟道形成;耗尽型的MOS管使形成沟道的UGS可正可负;(4)MOS管的输入阻抗特高(5)衡量场效应管的放大能力用跨导 单位:msGGSDCGSIUR)(六、六、MOS管的有关问题管的有关问题4.1.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管:(2)交流参数低频跨导:极间电容:栅源电容CGS,栅漏电容CGD,漏源电容CDS(3)极限参数 最大漏极电流IDM,最大耗散功率P0M,漏源击穿电压U(BR)DS栅源击穿电压UBR)GS1、主要参数(1)直流参数开启电压UGS(th)指增强型的MO
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