第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应(半导体集成电路共14章)课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应(半导体集成电路共14章)课件.ppt》由用户(晟晟文业)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路 中的 晶体管 及其 寄生 效应 半导体 14 课件
- 资源描述:
-
1、第第2章章 集成电路中的晶体管及其寄集成电路中的晶体管及其寄生效应生效应双极晶体管的单管结构及工作原理双极晶体管的单管结构及工作原理理想本征双极晶体管的理想本征双极晶体管的EM模型模型集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的无源寄生效应集成双极晶体管的无源寄生效应MOS晶体管的单管结构及工作原理晶体管的单管结构及工作原理MOS集成电路中的有源寄生效应集成电路中的有源寄生效应2022-11-1822.1双极晶体管的单管结构及工作原理双极晶体管的单管结构及工作原理双极器件:两种载流子(电子和空穴)同时参与导电双极器件:两种载流子(电子和空穴)同时参与导电2022-1
2、1-183发射区发射区N+集电区集电区 N基区基区P发发射射结结收收集集结结发发射射极极集集电电极极基极基极BECnpN+结构特点:结构特点:1.发射区掺杂浓度最大,基区次之,集电极最小发射区掺杂浓度最大,基区次之,集电极最小 2.基区宽度很窄基区宽度很窄2022-11-184NNPECB当发射结正偏(当发射结正偏(VBE0),集电结反偏(,集电结反偏(VBC0),集电结也正偏(,集电结也正偏(VBC0)时时(但注意,但注意,VCE仍仍大于大于0),为,为饱和工作区饱和工作区。NNPECBbcII当当VBC0,VBE0时时,为反向工作区。工作原理,为反向工作区。工作原理类似于正向工作区,但是由
3、于集电区的掺杂浓类似于正向工作区,但是由于集电区的掺杂浓度低,因此其发射效率低,度低,因此其发射效率低,很小(约很小(约0.02)。)。2022-11-187当发射结反偏(当发射结反偏(VBE0),集电结也反偏(集电结也反偏(VBC0)时,为截止区。时,为截止区。RNNPECB反向工作区反向工作区2022-11-1882022-11-1892.2 2.2 理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型P-SiN-SiIV)1(0TVVeIIs)(000PnPnPnSLPDLnDAqIA:结面积结面积,D:扩散系数扩散系数,L:扩散长度扩散长度,pn0,np0:平衡少子寿命平衡少子
4、寿命热电压热电压.T=300K,约为约为26mv正方向正方向VI(mA)ISO)1(TVVeIIso 一结两层二极管一结两层二极管(单结晶体管单结晶体管)2022-11-1810)1(TVDVeIIso+-VD正向偏置正向偏置-+反向偏置反向偏置二极管的等效电路模型二极管的等效电路模型2022-11-1811 两结三层三极管两结三层三极管(双结晶体管双结晶体管)(11TVVeIIESDE)(12TVVeIICSDCNPNBECIEICIBIDEIDCV1V2理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型假设假设p区很宽,忽略两个区很宽,忽略两个PN结的相互作用,则:结的相互作用,
5、则:2022-11-1812发射区发射区集电区集电区基区基区发发射射结结收收集集结结发发射射极极集集电电极极基极基极2022-11-1813 两结三层三极管两结三层三极管(双结晶体管双结晶体管)1()1()1()1(212121TVVTVVTVVTVVeIeBIIeAIeIICSESCSESFVECVRVCEVIIIIBIIIIA020212010121理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型NPNBECIEICIBI1I2V1V2NPN管反向运用时管反向运用时共基极短路电流增共基极短路电流增益益NPN管正向运用时管正向运用时共基极短路电流增共基极短路电流增益益2022-1
6、1-1814BJT的三种组态的三种组态 2022-11-1815 三结四层结构三结四层结构(多结晶体管多结晶体管)1()1()1()1()1()1()1(3232121321TVVTVVTVVTVVTVVTVVTVVeIedIIecIeIebIIeaIeIISSCSSSCSESCSESSFSRFRVVIIdVVIIcVVIIbVVIIa000000003223213232123121ppnnIEEBCSIBICISI1I2I3V1V2V3理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型2022-11-1816 三结四层结构三结四层结构(多结晶体管多结晶体管)1()1()1(1010
7、1321321TVVTVVTVVeIeIeIIIISSCSESRRRR321110001100011IIIIIIISCBE理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型根据基尔霍夫定律,有:根据基尔霍夫定律,有:ppnnIEECSIBICISI1I2I3V1V2V32022-11-1817 三结四层结构三结四层结构(多结晶体管多结晶体管)1()1()1(1)1(0)1(1011321TVVTVVTVVeIeIeIIIIISSCSESSRSRSFSFRRFFSCBE理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模型理想本征集成双极晶体管的理想本征集成双极晶体管的EM模型模
8、型2022-11-18182.3 2.3 集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应C(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p)双极晶体管的四种工作状态双极晶体管的四种工作状态VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区(正偏正偏)(反偏反偏)(正偏正偏)(反偏反偏)ppnnIEECSIBICISI1I2I3V1V2V32022-11-1819VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区(正偏正偏)(反偏反偏)(正偏正偏)(反偏反偏)集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应C(n)B(p)E(n+)
9、npnpnpS(p)NPN管工作于正向工作区和截止区的情况管工作于正向工作区和截止区的情况VBC0npn管管VEB_pnp0VS=0VCB_pnp0VS=0VCB_pnp0npn管管VBE0集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应C(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p)NPN管工作于反向工作区的情况管工作于反向工作区的情况正向工作区正向工作区反向工作区反向工作区寄生晶体管对电路产生影响寄生晶体管对电路产生影响VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区(正偏正偏)(反偏反偏)(正偏正偏)(反偏反偏)2022-11-1821集成双极晶体管的有
展开阅读全文