三极管及放大电路解析课件.ppt
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1、第2章 三极管及放大电路 第第2章章 三极管及放大电路三极管及放大电路 内容提要内容提要 本章首先介绍半导体三极管的结构、特性及主要参数,然后介绍各种放大电路。重点讨论三极管共射放大电路的静态和动态分析,然后讨论三极管共集和共基放大电路、MOS场效应管放大电路、多级放大电路、差动放大电路和功率放大电路。11/17/2022第2章 三极管及放大电路2.1 三极管三极管2.2 共射放大电路共射放大电路2.3 放大电路的图解分析法放大电路的图解分析法2.4 放大电路的微变等效电路分析法放大电路的微变等效电路分析法2.5 静态工作点稳定电路静态工作点稳定电路2.6 共集放大电路和共基放大电路共集放大电
2、路和共基放大电路2.7 MOS场效应管及放大电路场效应管及放大电路2.8 多级放大电路多级放大电路2.9 差动放大电路差动放大电路 2.10 功率放大电路功率放大电路11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.1 三极管三极管 2.1.1 三极管三极管的结构的结构 半导体三极管的种类很多,根据制作的基片材料分为硅管和锗管,硅管性能优于锗管,故当前生产和使用的三极管以硅管为多;按频率分为高频管、低频管;按功率分为小、中、大功率管;按结构分为NPN和PNP两种类型。三极管是通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起的器件。图2.1所示为三极管的外形、内部结构示意图及符号(用VT表示)。11/17
3、/2022第2章 三极管及放大电路图2.1 三极管的外形、内部结构示意图及符号 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 三极管是由三层半导体制成的两个PN结(发射结和集电结),其特点是中间一层P(或N)型半导体特别薄,两边各为一层N(或P)型半导体。从三层半导体上分别引出3个电极,称为集电极C、基极B和发射极E,对应的每块半导体称为集电区、基区和发射区。虽然发射区和集电区都是N(或P)型半导体,但是发射区比集电区掺的杂质重,因此它们并不对称,使用时这两个极不能混淆。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 三极管接在电路中要有输入端和输出端,而其只有三个电极,因此必然有一个电极作为输
4、入回路和输出回路的公共端,如图2.2所示,晶体管有三种基本组态。图2.2 三极管的三种组态 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 1.共射接法共射接法 以基极为输入端,集电极为输出端,发射极为输入、输出两回路的公共端,如图2.2(a)所示。2.共集接法共集接法 以基极为输入端,发射极为输出端,集电极为输入、输出两回路的公共端,如图2.2(b)所示。3.共基接法共基接法 以发射极为输入端,集电极为输出端,基极为输入、输出两回路的公共端,如图2.2(c)所示。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 以NPN型三极管为例,通过实验来了解半导体三极管的放大原理和其中的电流分配情况,实验电
5、路如图2.3所示。图2.3 电流放大实验电路2.1.2 三极管的放大作用三极管的放大作用11/17/2022第2章 三极管及放大电路 将三极管接成两条电路,一条是由电源电压UCC的正极经过电阻RB(通常为几百千欧的可调电阻)、基极、发射极到电源电压UCC的负极,称为基极回路。另一条是由电源电压UCC的正极经过电阻RC、集电极、发射极再回到电源电压UCC的负极,称为集电极回路。可见,发射极是两个回路所共用的,所以这种接法称为共发射极电路。改变可变电阻RB,则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化,电流方向如图1.18所示,测试结果列于表2.1中。11/17/2022第2章 三极管
6、及放大电路表2.1 实验测试数据 电电 流流实实 验验 次次 数数1 12 23 34 45 56 6IB(mA)00.020.040.060.060.080.080.100.10IC C(mA)0.0010.701.502.302.303.103.103.953.95IE E(mA)0.0010.721.542.362.363.183.184.054.0511/17/2022第2章 三极管及放大电路 由实验及测试结果可得出如下结论。(1)三个电流符合基尔霍夫定律,即 IE=IB+IC (2-1)且基极电流IB很小,忽略IB不计,则有IEIC (2)三极管有电流放大作用,从实验数据可以看出,I
7、C与IB的的比值近似为一个常数,即 (2-2)基极电流IB的微小变化能引起集电极电流IC较大的变化,即 (2-3)以上两式中的 和 分别称为晶体管的直流和交流电流放大 系数。从表1.1中可以看出,且在一定范围内几乎不 变,故工程上不必严格区分,估算时可以通用。BCIIBCII11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.1.3 三极管的特性曲线及工作状态三极管的特性曲线及工作状态 三极管采用共发射极接法时,信号从基极-发射极回路输入,从集电极-发射极回路输出,所以有两条伏安特性曲线。这些特性曲线可用晶体管特性图示仪直观地显示出来,也可通过如图2.4所示的实验电路进行测绘。图中,UCCUBB
8、,以使发射结正向偏置,集电结反向偏置,保证三极管放大的外部条件。11/17/2022第2章 三极管及放大电路图2.4 三极管特性曲线实验电路 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 1.输入特性曲线输入特性曲线 输入特性是指当集-射电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射电压UBE之间的关系曲线,如图2.5所示。可以看到,它类似二极管的正向伏安特性曲线,三极管的输入特性曲线也有一段死区,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。在正常导通时,硅管的UBE约为0.7V,而锗管UBE约为0.3V。且对三极管而言,当UCE1V后,即使加大UCE,这条输入特性曲线基本上也是与UCE
9、无关的。11/17/2022第2章 三极管及放大电路图2.5 输入特性曲线 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.输出特性曲线输出特性曲线 输出特性是指当基极电流IB为常数时,集电极电流IC与集-射电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性曲线是一组曲线,如图2.6(a)所示。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 图2.6 输出特性曲线 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 通常把三极管的输出特性曲线分为3个工作区。(1)放大区。输出特性曲线近于水平的区域是放大区,也称线性区。此时发射结正偏,集电结反偏。对NPN型管,就是UBE
10、0.5V(或UBE0.1V),且UCE1V时,三极管工作于放大状态。在此区域,三极管具有恒流特性:,可见 IB不变时,IC基本不变,IC受IB的控制,与UCE基本无关。BCII11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (2)截止区。IB=0曲线与横轴之间的区域是截止区。此时发射结反偏(或正偏电压小于死区电压),集电结反偏。对NPN型硅管,当UBE小于死区电压时,即已开始截止,但是为了截止可靠,常使UBE0。当减小IB使工作点下移到图2.6(a)中Q2点时,晶体管即进入截止区,此时IB=0,IC=ICEO0(ICEO称为穿透电流),UCEUCC。C,B,E 3个电极间相当于开路,其等效电路如
11、图2.6(b)所示。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (3)饱和区。IC随UCE的增大而增大的区域是饱和区。此时发射结正偏,集电结正偏。对NPN型管,当UCEUBE时,三极管工作于饱和状态。当增加IB使工作点上移到Q1点时,三极管即进入饱和区,此时IB的变化对IC的影响较小,ICIB,其管压降UCE称为饱和压降UCES,一般硅管约为0.3V,锗管约为0.1V,都可近似为0V。因UCES0,C,E极近似于短路,UBE0.7V,B,E极也近似于短路,等效电路如图2.6(c)所示。可见,三极管具有开关作用,它相当于一个由基极电流控制的无触点开关,截止时相当于开关断开,饱和时相当于开关闭合
12、。在模拟电路中,三极管常用做放大元件,工作在放大区;在数字电路中,三极管常用做开关元件,工作在截止区和饱和区。三极管工作区的判别分析非常重要,当放大电路中的三极管不工作在放大区时,放大信号就会出现严重失真。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 例例2.1 已知图2.7中各晶体管均为硅管,测得各管脚的电压值分别如图中所示值,试判别各晶体管的工作状态。图2.7 例2.1的图 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 解:解:(1)在图2.7(a),发射结零偏;UCB=-2V0,集电结反偏,故中,因为UBE=0.7V0,发射结正偏;UBC=0.5V0,集电结正偏,故可判断它工作在饱和区。
13、(2)在图2.7(b)中,因为UBE=0.7V0,发射结正偏;UBC=-5.3V0,集电结反偏,故可判断它工作在放大区。(3)在图2.7(c)中,因为UEB=0V可判断它工作在截止区。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.1.4 晶体管的主要参数及温度影响晶体管的主要参数及温度影响 1.三极管的主要参数三极管的主要参数 (1)电流放大系数)电流放大系数 是指输出电流与输入电流的比值,用于衡量晶体管电流放大能力的参数。由于制造工艺的分散性,即使是同一型号的晶体管,值也有很大差别。但对一个给定的管子,值是一定的。一般 值为20200之间。选用晶体管时,值太大稳定性差,值太小则电流放大能
14、力弱。(2)集)集-基反向饱和电流基反向饱和电流ICBO ICBO是指发射极开路时集-基极之间的电流。通常要求ICBO值越小越好。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (3)穿透电流)穿透电流ICEO ICEO是基极开路时集-射极之间的电流。由于这个电流似乎是从集电区穿过基区流至发 射区,所以称为穿透电流。这个电流越小,表明晶体管的质量越好。一般硅管的ICEO远小于锗管,所以多数情况下选用硅管。ICEO与ICBO有下列关系:ICEO=(1+)ICBO (2-4)11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (4)极限参数)极限参数 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM 集电极电流
15、过大时,值明显下降,当 值下降到正常值的2/3时的集电极电流IC,称为集电极最大允许电流ICM。作为放大管使用时,IC不宜超过ICM,超过时会引起 值下降、输出信号失真,过大时还会烧坏管子。集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是基极开路时加在集-射极之间的最大允许电压。当三极管的集-射极电压大于此值时,ICEO大幅度上升,说明三极管已被击穿。电子器件手册上给出的一般是常温(25)时的值。在高温下,其反向击穿电压将会降低,使用时应特别注意。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM 由于集电极电流在流经集电
16、结时要产生功率损耗,使结温升高,从而会引起晶体管参数变化。当晶体管因受热而引起的变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率,称为集电极最大允许耗散功率PCM。PCM=ICUCE (2-5)工作时,应使PCPCM,晶体管的工作点不可进入图2.6(a)所示的过耗区。应使PCPCM。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.温度对晶体管参数的影响温度对晶体管参数的影响 严格来说,温度对三极管特性和所有参数都有影响,但受影响最大的是以下三个参数。(1)温度对 的影响。三极管的 值会随温度的变化而变化,温度每升高1,值增大0.5%1%。(2)温度对ICBO的影响。实验证明,ICBO随温度按指数规
17、律变化。温度每升高10,ICBO约增加一倍。(3)温度对UBE的影响。UBE具有负的温度系数。一般来说,温度每升高1,|UBE|下降约22.5mV。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.1.5 三极管的简易测试三极管的简易测试 1.三极管的引脚判别三极管的引脚判别 (1)基极的判别)基极的判别 三极管引脚判别示意图如图2.8(a)、(b)所示。将万用表欧姆挡拨到R100或R1k挡,用黑表笔接三极管的某一极,再用红表笔分别去接触另外两个电极,若测得一个阻值大,一个阻值小,就将黑表笔换接一个电极再测,直到出现测得的两个阻值都很小(或都很大);然后将红、黑表笔调换,重复上述测试,若阻值恰
18、好相反,这时红表笔所接就是三极管的基极,而且是NPN型管(或PNP型管)。这是因为黑表笔与表内电池正极相接,测得两个PN结的正向电阻值很小。11/17/2022第2章 三极管及放大电路图2.8 用万用表测三极管11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (2)集电极、发射极的判别)集电极、发射极的判别 三极管集电极、发射极判别示意图如图2.8(c)所示。如果被测管子为NPN型,可在基极与黑表笔之间接一个100k的电阻,用万用表R100或R1k挡测量除基极以外的另两个电极,得到一个阻值,再将红、黑表笔对调测一次,又得到一个阻值;在阻值较小的那一次测量中,黑表笔接的就是集电极。这是因为三极管各电
19、极电压极性正确时才能导通放大,值较大,表现出C-E间电阻值较小。若为PNP型管,测试方法与上相同,此时红表笔所接为集电极。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.三极管电流放大系数的测量三极管电流放大系数的测量 (1)精测三极管的)精测三极管的 值值 有些万用表带有 值挡,可直接测出三极管的值。如U-101型万用表,首先在R10挡调零点,然后换到hFE(即 值)挡,把三极管插入相应管型的C、B、E三个引脚孔,即可直接读出三极管的 值。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (2)估测三极管的)估测三极管的 值值 当万用表没有上述功能时,可利用万用表欧姆挡R100或R1k挡估测三
20、极管的值。对于NPN型管,电流放大系数 值估测方法如图2.8(c)所示,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,分别测出基极与集电极之间不接和接入一个100k电阻时,两极之间的电阻。两次测得的电阻值相差越大,则说明 值越大,放大能力越好。这是因为前者管子截止,C-E极间电阻大,后者管子发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态,根据IC=IB,如果 越大,IC也大,C-E间电阻就小,所以两次读数相差大就表示大。对于PNP型晶体管,测量时只要将红、黑表笔对调即可,测试方法完全一样。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 (3)在线晶体管工作是否正常的判别)在线晶体管工作是否正常的判别 电路中晶体管的工作
21、是否正常,可用多种方法检测。这里介绍一种既简单又方便的判别方法,电压表与电路的连接如图2.9所示。先记下电压表测得的UC值,然后用一根导线将基极和发射极短接(如图中虚线所示),此时电压表指针应立即上升到+UCC值,因为晶体管在发射结短路瞬间处于截止状态。当移去短路线时,电压表指针又回到原来的数值,这表明晶体管工作正常。若电压表的读数始终不变化,这表明晶体管已不再处于放大状态了。11/17/2022第2章 三极管及放大电路图2.9 在线三极管工作是否正常的判别11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.2 共射放大电路共射放大电路 放大电路是电子设备中最重要、最基本的单元电路。放大电路的任
22、务是放大电信号,即把微弱的电信号,通过电子器件的控制作用,将直流电源功率转换成一定强度的,随输入信号变化而变化的输出功率,以推动元器件(如扬声器、继电器等)正常工作。因此放大电路实质上是一个能量转换器。11/17/2022第2章 三极管及放大电路2.1.1 电路结构电路结构 如图2.10所示是基本的共发射极单管电压放大电路,ui是放大电路的输入电压,uo是输出电压。为分析方便,通常规定:电压的正方向是以公共端为负端,其他各点为正端。图2.10 基本共射放大电路 11/17/2022第2章 三极管及放大电路 电路中各元件的作用如下:VT是NPN型三极管,是放大电路的核心元件,起电流放大作用。UC
23、C是放大电路的直流电源,一方面与RB,RC相配合,使三极管的发射结正偏、集电结反偏,以满足三极管放大的外部条件(图5.1中,若三极管采用PNP型,则电源UCC的极性就要反过来);另一方面为输出信号提供能量。UCC的数值一般为几十几伏。RB是基极偏置电阻,电源UCC通过RB为三极管发射结提供正向偏压,改变RB的阻值,即可改变基极电流IB的大小,从而改变三极管的工作状态。RB值一般为几十几百千欧。RC是集电极负载电阻,电源UCC通过RC为三极管提供集电结反向偏压,并将三极管放大后的电流IC的变化转变为RC上电压的变化,反映到输出端,从而实现电压放大。RC值一般为几十几千欧。11/17/2022第2
24、章 三极管及放大电路 C1,C2是耦合电容,起“隔直通交”作用,一方面隔离放大电路与信号源和负载之间的直流通路,另一方面使交流信号畅通。C1,C2的数值一般为几几十微法。RL是外接负载,它可以是扬声器、耳机或其他负载,也可以是后级放大电路的输入电阻。信号源、基极、发射极形成输入回路;负载RL、集电极、发射极形成输出回路。输入回路和输出回路的公共端是发射极,可见这是一个共发射极放大电路,简称共射放大电路。11/17/2022第2章 三极管及放大电路 2.2.2 电路的工作原理电路的工作原理 为便于分析,对电路工作过程中各量的符号规定如下:直流量用大写字母、大写下角标表示,如IB,IC,UCE等;
25、交流量用小写字母、小写下角标表示,如ib,ic,uce等;总变化量是交直流叠加量,用小写字母、大写下角标表示,如iB,iC,uCE 等。如iB,iC,uCE 等。如iB=IB+ib,即iB表示基极电流的总量。如果交流分量是正弦波,其表达式为:可见正弦波有效值是用大写字母和小写下标表示,而正弦波的峰值是有效值下标再添加小写m,如Ib、Ibm分别表示基极正弦电流的有效值和峰值。bbmbsin2siniItIt11/17/2022第2章 三极管及放大电路 1.静态工作情况静态工作情况 放大电路输入端未加输入信号即ui=0时的工作状态称为静态。静态时,由于直流电源UCC的存在,电路中没有变化量,电路中
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