第四章场效应管及其放大电路课件.ppt
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- 第四 场效应 及其 放大 电路 课件
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1、 第四章 场效应管放大电路 F Field ield E Effect ffect T Transistor (ransistor (FETFET)4.1 4.1 结型场效应三极管结型场效应三极管(JFET)JFET)(1)(1)结型场效应三极管的结构结型场效应三极管的结构 JFET的结构如图所示,它是在的结构如图所示,它是在N型半导体硅片型半导体硅片的两侧各制造一个的两侧各制造一个PN结,形成两个结,形成两个PN结夹着一个结夹着一个N型沟道的结构。一个型沟道的结构。一个P区即为区即为栅极栅极,N型硅的一端是型硅的一端是漏极漏极,另一端是,另一端是源极源极。(动画2-8)(2)(2)结型场效应
2、三极管的工作原理结型场效应三极管的工作原理 栅源电压对沟道的控制作用栅源电压对沟道的控制作用 当当VGS=0时,若漏、源之间加有一定电压,在漏、时,若漏、源之间加有一定电压,在漏、源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。当当VGS0时,时,PN结反偏,形成耗尽层,漏、源间的结反偏,形成耗尽层,漏、源间的沟道将变窄,沟道将变窄,ID将减小,将减小,VGS继续减小,沟道继续变继续减小,沟道继续变窄,窄,ID继续减小直至为继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应。当漏极电流为零时所对应的栅源电压的栅源电压VGS称为夹断电压称为夹断电压VP P。这一过程动画这一
3、过程动画所示。所示。(动画2-9)漏源电压对沟道的控制作用漏源电压对沟道的控制作用 当当V VDSDS增加到使增加到使V VGDGD=V VGSGS-V VDSDS=V=VP P时,在紧靠漏时,在紧靠漏极处出现预夹断。当极处出现预夹断。当V VDSDS继续增加,漏极处的夹断继续继续增加,漏极处的夹断继续向源极方向延长。向源极方向延长。在栅极加上电压,且在栅极加上电压,且V VGSGSV VP P,若漏源电压若漏源电压V VDSDS从零开始增加,则从零开始增加,则V VGDGD=V VGSGS-V VDSDS将随之减小。使靠近漏将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从左至右呈楔形分布。
4、极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从左至右呈楔形分布。(3)(3)结型场效应三极管的特性曲线结型场效应三极管的特性曲线 JFETJFET的特性曲线有两条,一是转移特性曲线,的特性曲线有两条,一是转移特性曲线,二是输出特性曲线。二是输出特性曲线。(a)a)漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线 (b)b)转移特性曲线转移特性曲线N N沟道结型场效应三极管的特性曲线沟道结型场效应三极管的特性曲线动画(2-6)动画(2-7)N N沟道增强型沟道增强型MOSFETMOSFET 的结构示意图和符号如图的结构示意图和符号如图 。其中:。其中:D(Drain)D(Drain)为漏极为漏极,相当于相当于c c;G(Gat
5、e)G(Gate)为栅极,相当于为栅极,相当于b b;S(Source)S(Source)为源极为源极,相当于相当于e e。N N沟道增强型沟道增强型 MOSFETMOSFET结构示意图结构示意图(动画2-3)4.3 4.3 金属金属 氧化物氧化物 半导体场效应管半导体场效应管M Metal etal O Oxide xide S Semiconductor FETemiconductor FET (MOSFETMOSFET)。又称绝缘栅型场效应三极管又称绝缘栅型场效应三极管分为分为 增强型增强型 N N沟道、沟道、P P沟道沟道 耗尽型耗尽型 N N沟道、沟道、P P沟道沟道一个是一个是漏极
6、漏极D D,一个是一个是源极源极S S。在源极和漏极之间的在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为绝缘层上镀一层金属铝作为栅极栅极G G。P P型半导体称为型半导体称为衬底衬底,用符号,用符号B B表示。表示。(1)(1)N N沟道增强型沟道增强型MOSFETMOSFET 结构结构 N N沟道增强沟道增强型型MOSFETMOSFET基本上是一种左右对称的结构,它是在基本上是一种左右对称的结构,它是在P P型型半导体上生成一层半导体上生成一层SiOSiO2 2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的扩散两个高掺杂的N N型区,从型区,从N N型区引出电极,型区引出
7、电极,当栅极加有电压时,若当栅极加有电压时,若0 0V VGSGSV VT T 时,通过栅极和时,通过栅极和衬底间的电容作用,将靠近栅极衬底间的电容作用,将靠近栅极下方的下方的P P型半导体中的空穴向下型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限,不足以形层运动,但数量有限,不足以形成沟道,将漏极和源极沟通,所以不可能形成漏极电流成沟道,将漏极和源极沟通,所以不可能形成漏极电流I ID D。工作原理工作原理 1 1栅源电压栅源电压V VGSGS的控制作用的控制作用 当当V VGSGS=0V
8、=0V时时,漏源之间相当两个背靠背的,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,二极管,在在D D、S S之间加上电压不会在之间加上电压不会在D D、S S间形成电流。间形成电流。V VGSGS对漏极电流的控制关系可用对漏极电流的控制关系可用 I ID D=f f(V VGSGS)V VDSDS=const=const 这一曲线描述,称为这一曲线描述,称为转移特性曲线转移特性曲线。进一步增加进一步增加V VGSGS,当当V VGSGS V VT T 时(时(V VT T 称为开启电压称为开启电压),由于此,由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的栅极下方的P P型半
9、导体表层中聚集较型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流压,就可以形成漏极电流I ID D。在栅在栅极下方形成的导电沟道中的电子,极下方形成的导电沟道中的电子,因与因与P P型半导体的载流子空穴极性型半导体的载流子空穴极性相反,故称为相反,故称为反型层反型层。(动画2-4)随着随着V VGSGS的继续增加,的继续增加,I ID D将不断增加。在将不断增加。在V VGSGS=0V=0V时时I ID D=0=0,只只有当有当V VGSGS V VT T 后才会出现漏极电流,这种
10、后才会出现漏极电流,这种MOSMOS管称为管称为增强型增强型MOSMOS管管。V VGSGS对漏极电流的控制特性对漏极电流的控制特性转移特性曲线转移特性曲线 转移特性曲线的斜率转移特性曲线的斜率g gm m的大小反映了栅源电压的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。对漏极电流的控制作用。g gm m 的量纲为的量纲为mA/VmA/V,所以所以g gm m也称为也称为跨导跨导。跨导的定义式如下。跨导的定义式如下 g gm m=I ID D/V VGSGS V VDSDS=const=const (单位单位mS)mS)ID=f(VGS)VDS=const 2 2漏源电压漏源电压V VDSDS对漏
11、极电流对漏极电流I ID D的控制作用的控制作用 当当V VGSGS V VT T,且固定为某一值时,来分析漏源电且固定为某一值时,来分析漏源电压压V VDSDS对漏极电流对漏极电流I ID D的影响。的影响。V VDSDS的不同变化对沟道的影的不同变化对沟道的影响如图所示。根据此图可以有如下关系响如图所示。根据此图可以有如下关系 V VDSDS=V VDGDGV VGSGS =V VGDGDV VGSGSV VGDGD=V VGSGSV VDSDS 当当V VDSDS为为0 0或较小时,或较小时,相当相当V VGSGS V VT T,沟道分布沟道分布如图如图,此时此时V VDSDS 基本均匀
12、基本均匀降落在沟道中,沟道呈斜降落在沟道中,沟道呈斜线分布。线分布。漏源电压漏源电压V VDSDS对沟道的影响对沟道的影响(动画2-5)当当V VDSDS为为0 0或较小时,或较小时,相当相当V VGSGS V VT T ,沟道分布沟道分布如图,此时如图,此时V VDSDS 基本均匀降落在沟道中,沟道呈斜线分基本均匀降落在沟道中,沟道呈斜线分布。布。当当V VDSDS增加到使增加到使V VGSGS=V VT T 时,沟道如图所示。这相时,沟道如图所示。这相当于当于V VDSDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况,称为情况,称为预夹断预夹断。当当V VDSDS增
13、加到增加到V VGSGS V VT T 时,沟道如图所示。此时预时,沟道如图所示。此时预夹断区域加长,伸向夹断区域加长,伸向S S极。极。V VDSDS增加的部分基本增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上,降落在随之加长的夹断沟道上,I ID D基本趋于不变基本趋于不变。当当V VGSGS V VT T,且固定为某一值时,且固定为某一值时,V VDSDS对对I ID D的影响,的影响,即即I ID D=f f(V VDSDS)V VGSGS=const=const这一关系曲线如图所示。这一曲线称这一关系曲线如图所示。这一曲线称为为漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线。漏极输出特性曲线漏极输出特性
14、曲线ID=f(VDS)VGS=const(2)(2)N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET 当当V VGSGS0 0时,将使时,将使I ID D进一步增加。进一步增加。V VGSGS0 0时,时,随着随着V VGSGS的减小漏极电流逐渐减小,直至的减小漏极电流逐渐减小,直至I ID D=0=0。对对应应I ID D=0=0的的V VGSGS称为夹断电压,用符号称为夹断电压,用符号V VGS(off)GS(off)表示,表示,有时也用有时也用V VP P表示。表示。N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET的转移特的转移特性曲线如图所示。性曲线如图所示。N N沟道耗尽型沟道耗
15、尽型MOSFETMOSFET的结构和符号如图的结构和符号如图所示,它是在栅极下方的所示,它是在栅极下方的SiOSiO2 2绝缘层中掺入了大量绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当的金属正离子。所以当V VGSGS=0=0时,这些正离子已经时,这些正离子已经在感应出反型层,在漏源之间形成了沟道。于是在感应出反型层,在漏源之间形成了沟道。于是只要有漏源电压,就有漏极电流存在。只要有漏源电压,就有漏极电流存在。(a)a)结构示意图结构示意图 (b)b)转移特性曲线转移特性曲线 N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET的结构的结构 和转移特性曲线和转移特性曲线 (3)(3)P P沟道耗尽型沟
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