半导体工艺基础之氧化(-58张)课件.ppt

1、1Oxidan氧化工艺n氧化设备nRTO快速热氧化2简简Si+O2 SiO2氧化层简介氧化层简介3Oxid氧化层简介氧化层简介Silicon4氧氧化化膜膜Screen oxide,pad oxide,barrier oxiden隔离层 Field oxide and LOCOSn栅氧化层氧化层应用氧化层应用5掺掺杂杂阻阻氧化层应用氧化层应用6表表面面钝钝化化氧化层应用氧化层应用7Scree氧化层应用氧化层应用8氧化层应用氧化层应用USG:Undoped Silicate Glass未掺杂硅酸盐玻璃9Applicati氧化层应用氧化层应用10牺牺牲牲氧氧化化层层Sacri氧化层应用氧化层应用11

2、器器件件隔隔氧化层应用氧化层应用12Blanket Field Oon氧化层应用氧化层应用13LOCOS P氧化层应用氧化层应用14LO氧化层应用氧化层应用15栅栅氧氧氧化层应用氧化层应用16氧氧化化膜膜氧化层应用氧化层应用1718表表面面未未清清洗洗硅硅19氧氧化化前前层202122被被氧氧化化的的硅硅片片23无无机机物物24Pre-oxidation Wafer Clide Removal2526Oxide GrowtB/A为线性速率常数；B为抛物线速率常数27 Silicon on2829 Silicon Weate30湿湿氧氧氧氧化化(Wet 313233氧氧化化速速率率34湿湿氧氧氧

3、氧35氧氧化化速速率率36氧氧化：化：杂杂质质堆堆b)在Si中的溶解度高于在SiO2中的溶解度，当SiO2生长时，杂质向Si中移动，这引起杂质堆积或滚雪球效应nB倾向于向SiO2中运动，这引起杂质耗尽效应37Depletion and Pcts38氧氧化化速速率率与与H39氧氧化化速速率率与与越小n对于更厚的氧化层，O需要更多的时间扩散过氧化层与衬底硅发生反应404142二氧化硅色谱4344Dry Oxidat4546Dry Oxiprocess gasnHCl is used to remove mobile ions for gate oxidationnHigh purity N2as

4、process purge gasnLower grade N2as idle purge gas47Dangling Bonds anrge48Wet Oxidat49Water Vap50Boiler 51Bubble52Flush 53Pyrogenic S54Pyrogens system Precisely control of flow ratenDisadvantage Introducing of flammable,explosive hydrogennTypical H2:O2 ratio is between 1.8:1 to 1.9:1.55Rapid Thermon of deep sub-micron devicenVery thin oxide film,30 nNeed very good control of temperature uniformitynRTO will be used to achieve the device requirement.5657氧氧化化得n应用：栅氧化层，场氧化层，衬垫氧化层，掺杂阻挡层，牺牲氧化层，阻挡氧化层，注入屏蔽氧化层n干氧氧化和湿氧氧化58