MOS集成电路的基本制造工艺.ppt
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- 关 键 词:
- MOS 集成电路 基本 制造 工艺
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1、MOS集成电路的基本制造工艺2022-10-5pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+2022-10-5P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAATBL-uptepi-oxxmcxjc四层三结结构的双极晶体管四层三结结构的双极晶体管2022-10-5ECB2022-10-5相关知识点相关知识点2022-10-52022-10-5MOS晶体管的动作晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使晶体管实质上是一种使电流时而流过,时而切断的电流时而流过,时而切断的n+n+P型硅基板型硅基板栅极(金属)栅极(金属)绝缘层(绝缘层(SiO2)半半导导体体基
2、基板板漏极漏极源极源极源极源极(S)漏极漏极(D)栅极栅极(G)2022-10-5silicon substratesourcedraintop nitridemetal connection to sourcemetal connection to gatemetal connection to drainpolysilicon gatedoped siliconfield oxidegate oxide2022-10-5silicon substrate2022-10-5silicon substratefield oxide2022-10-5silicon substrate2022-1
3、0-5Shadow on photoresistExposed area of photoresistChrome platedglass maskUltraviolet Lightsilicon substrate2022-10-5非感光区域非感光区域silicon substrate感光区域感光区域2022-10-5Shadow on photoresistsilicon substratephotoresist2022-10-5silicon substratesilicon substrate腐蚀腐蚀2022-10-5silicon substratesilicon substrate
4、field oxide去胶去胶2022-10-5silicon substratethin oxide layer2022-10-5silicon substrategate oxide2022-10-5silicon substrategateultra-thin gate oxidepolysilicongate2022-10-5silicon substrategateScanning direction of ion beamimplanted ions in active region of transistorsImplanted ions in photoresist to be
5、 removed during resist strip.sourcedrainion beam2022-10-5silicon substrategatesourcedraindoped silicon2022-10-5自自对对准工准工艺艺1.1.在有源区上覆盖一层薄氧化层在有源区上覆盖一层薄氧化层2.2.淀积多晶硅,用多晶硅栅极版图淀积多晶硅,用多晶硅栅极版图刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅3.3.以多晶硅栅极图形为掩膜板,刻以多晶硅栅极图形为掩膜板,刻蚀氧化膜蚀氧化膜4.4.离子注入离子注入2022-10-5silicon substratesourcedrain2022-10-5silicon s
6、ubstratecontact holesdrainsource2022-10-5silicon substratecontact holesdrainsource2022-10-5完整的完整的简单简单MOS晶体管晶体管结结构构silicon substratesourcedraintop nitridemetal connection to sourcemetal connection to gatemetal connection to drainpolysilicon gatedoped siliconfield oxidegate oxide2022-10-5CMOSFETP型型 si
7、 subn+n+p+p+2022-10-5VDDP阱工艺阱工艺N阱工艺阱工艺双阱工艺双阱工艺P-P+P+N+N+P+N+VSSVOUTVINVDDN-P+P+N+N+P+N+VSSVOUTVINVDDP-P+P+N+N+P+N+VSSVOUTVINN-SiP-SiN-I-SiN+-Si2022-10-5 N-Si-衬底 P-well P-wellP-well N+N+P+P+N+P+N-SiP2022-10-5具体步骤如下:具体步骤如下:1生长二氧化硅(湿法氧化):生长二氧化硅(湿法氧化):S i-衬底 S i O2Si(固体固体)+2H2O SiO2(固体)(固体)+2H22022-10-5
8、2022-10-52P阱光刻:阱光刻:光源光源2022-10-52022-10-5P+P-well3P阱掺杂:阱掺杂:2022-10-52022-10-5电流电流积分积分器器2022-10-5有源区有源区:nMOS、PMOS 晶体管形成的区域晶体管形成的区域P+N+N+P+N-SiP-wellP-wellP-well 淀积氮化硅淀积氮化硅 光刻有源区光刻有源区 场区氧化场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅去除有源区氮化硅及二氧化硅SiO2隔离岛隔离岛2022-10-5有源区depositednitride layer有源区光刻板N型p型MOS制作区域(漏-栅-源)2022-10-5P-well
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