CMOS模拟集成电路设计-电流镜-课件.ppt
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- 关 键 词:
- CMOS 模拟 集成电路设计 电流 课件
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1、CMOS模拟集成电路设计电流镜1ppt课件提纲 1、基本电流镜 2、共源共栅电流镜 3、电流镜作负载的差动对2ppt课件Review:MOS电流源处于饱和区的MOS管可以作为一种电流源)1()(212DSthGSoxnDoutVVVLWCII3ppt课件1、基本电流镜 电流源的设计是基于对基准电流的“复制”;两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传输相同的电流(忽略沟道长度调制效应)。4ppt课件 按比例复制电流(忽略沟道长度调制效应)得到得到该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响;该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响;Iout与与IREF的比值由器件尺寸的比率决定
2、。的比值由器件尺寸的比率决定。忽略沟道长度调制效应!忽略沟道长度调制效应!5ppt课件 例子:实际设计中,所有晶体管采用相同的栅长,以减小由于源漏区边缘扩散所产生的误差。采用叉指结构。如图,每个叉指的W为50.1m,则M1和M2的实际的W为:W150.1m,W24(50.1)m则IOUT/IREF=4(50.1)/(50.1)=44IREFIOUT版图设计版图设计请同学们思考:如果不采用请同学们思考:如果不采用叉指结构,对电流复制会有叉指结构,对电流复制会有什么影响?什么影响?6ppt课件 沟道长度调制效应使得电流镜像产生极大误差,因此因此2、共源共栅电流镜7ppt课件 共源共栅电流源 为了抑
3、制沟道长度调制的影响,可以采用共源共栅电流源。共源共栅结构可以使底部晶体管免受VP变化的影响。共源共栅电流镜 共源共栅电流镜确定共源共栅电流源的偏置电压Vb,采用共源共栅电流镜结构。8ppt课件 共源共栅电流镜消耗了电压余度 忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的,则P点所允许的最小电压值等于VP=比较于比较于余度损耗的共源共栅电流镜余度损耗的共源共栅电流镜最小余度损耗的共源共栅电流源最小余度损耗的共源共栅电流源9ppt课件 低电压工作(大输出摆幅)的共源共栅电流镜 如图(a),共源共栅输入输出短接结构,为使M1和M2处于饱和区,Vb应满足:考察图(b),所有晶体管均处于饱和区,选择合适的器件
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