第三章-清华数字电子技术第五版阎石课件.ppt
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1、补:半导体基础知识半导体基础知识(1)n本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体。n常用:硅Si,锗Ge两种载流子两种载流子半导体基础知识(2)n杂质半导体nN型半导体多子:自由电子少子:空穴半导体基础知识(2)n杂质半导体nP型半导体多子:空穴少子:自由电子半导体基础知识(3)nPN结的形成n空间电荷区(耗尽层)n扩散和漂移半导体基础知识(4)nPN结的单向导电性n外加正向电压半导体基础知识(4)nPN结的单向导电性n外加反向电压半导体基础知识(5)nPN结的伏安特性正向导通区反向截止区反向击穿区qnkTVeIiTVVST)(1K:波耳兹曼常数T:热力学温度q:电子电荷第三章第三章 门电路门电
2、路3.1 概述n门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门 获得高、低电平的基本原理正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电平表示13.2半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性(Diode)n二极管的结构:PN结+引线+封装构成PN3.2.1二极管的开关特性:高电平:VIH=VCC低电平:VIL=0 nVI=VIH D截止,VO=VOH=VCCnVI=VIL D导通,VO=VOL=0.7V二极管的开关等效电路:二极管的动态电流波形:3.2.2 二极管与门设设VCC=5V加到加到A,B的的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时二极管导通时 VDF=
3、0.7VABY0V0V 0.7V0V3V 0.7V3V0V 0.7V3V3V 3.7VABY000010100111规定3V以上为10.7V以下为03.2.3 二极管或门设设VCC=5V加到加到A,B的的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时二极管导通时 VDF=0.7VABY0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111规定2.3V以上为10V以下为0二极管构成的门电路的缺点n电平有偏移n带负载能力差n只用于IC内部电路3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性一、MOS管的结构S(Source):源极G(Gate):栅极D(Drain)
4、:漏极B(Substrate):衬底金属层氧化物层半导体层PN结以N沟道增强型为例:开启电压二、输入特性和输出特性输入特性:直流电流为0,看进去有一个输入电容CI,对动态有影响。输出特性:iD=f(VDS)对应不同的VGS下得一族曲线。漏极特性曲线(分三个区域)截止区恒流区可变电阻区漏极特性曲线(分三个区域)截止区:VGS 109漏极特性曲线(分三个区域)恒流区:恒流区:iD 基本上由基本上由VGS决定,与决定,与VDS 关系不大关系不大2)(2)()1(GSDthGSGSthGSGSDSDViVVVVIi 下,下,当当漏极特性曲线(分三个区域)可变电阻区:当VDS 较低(近似为0),VGS
5、一定时,这个电阻受VGS 控制、可变。常数(电阻)常数(电阻)DDSiV三、MOS管的基本开关电路控制的开关。间相当于一个受管所以导通当截止当则:只要因为IOLOGSIHIDDOHOGSILIOFFDONONOFFVSDMOSVVTthVVVVVVTthVVVRRRKRR01109)()(,四、等效电路OFF,截止状态 ON,导通状态五、MOS管的四种类型n增强型n耗尽型大量正离子导电沟道3.3.2 CMOS反相器的电路结构 和工作原理一、电路结构PthGSNthGSVV)()(二、电压、电流传输特性DDODDIPTHGSDDINTHGSOLOPTHGSDDIDDOHONTHGSIVVVVTT
6、TTVVVVBCVVTTVVVCDVVVTTVVAB2121021211221时,参数完全对称,若同时导通段:截止导通,段:截止导通,段:,)()()()(三、输入噪声容限称为输入噪声容限,允许输入的变化范围在输出变化允许范围内基本不变;的一定范围内,和偏离在OILIHIVVVV(max)(max)(min)(min)OLILNLIHOHNHVVVVVVn结论:可以通过提高VDD来提高噪声容限3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性一、输入特性二、输出特性OLGSOLOLOLVVIIfV下,同样的低电平输出特性)(.1二、输出特性越少下,同样的高电平输出特性OHGSOHOHOHVVII
7、fV)(.13.3.4 CMOS反相器的动态特性一、传输延迟时间。系列为,系列为,影响、受充放电影响也较大较大所以充放电,因为和原因:5ns74AHC10ns74HC321PLHPHLDDLPLHPHLLONLIttVCttCRCC.;,.;.二、交流噪声容限三、动态功耗功耗相比,可以忽略静态功耗极小,与动态)(,.214311ttttTTTAVTAVDDTdtidtiTIIVP其中导通功耗三、动态功耗2212DDLCNLIPLDDICfVCPiTCViCTVVP可得平均功耗放电,有经当充电,有向经当负载电容充放电功耗,.CTDPPP总的动态功耗.33.3.5 其他类型的CMOS门电路一、其他
8、逻辑功能的门电路1.与非门 2.或非门 A BTN1 TP1 TN2 TP2Y0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1110与非门一、一、CMOS CMOS 与与非门非门uA+VDD+10VVSSTP1TN1TP2TN2ABYuBuYAB&00100111ABY=或非门BAY 二、二、CMOS CMOS 或或非门非门uA+VDD+10VVSSTP1TN1TN2TP2ABYuBuYA BTN1 TP1 TN2 TP2Y0 00 11 01 1截通截通通通通截截通截截截截通通1000AB100100111带缓冲极的CMOS门1、与非门值不同对应的达到开启电压时,的、使也更高越高,
9、输入端越多,端数目的影响输出的高低电平受输入则则则则受输入状态影响输出电阻存在的缺点:IGSOHOLONONOONONOONONONOONONONOOVVTTVVRRRBARRRBARRRRBARRRRBAR4231314232011021002111)()(,/,:)(带缓冲极的CMOS门2.解决方法与非门缓冲器或非门二、漏极开路的门电路(OD门))(,.DDDDDDLVVVR可以不等于使用时允许外接器或用作电平转换、驱动现线与可将输出并联使用,实21三、CMOS传输门及双向模拟开关1.传输门接地为正,另一端经设LIRV之间为低电阻至少一个导通和在所以导通导通时当相当于断开均截止、则则只要当
10、设OIDDIDDIPthGSNthGSDDIDDIDDIILDDIHONLVVTTVVTVVVTVVVVVCCTTVVCCVVVRR21212100001201010,)(,)(,)()(2.双向模拟开关四、三态输出门)(高阻时,时,ZYNEAYNE10三态门的用途双极型三极管的开关特性(BJT,Bipolar Junction Transistor)3.5 TTL门电路3.5.1 半导体三极管的开关特性一、双极型三极管的结构管芯+三个引出电极+外壳基区薄低掺杂发射区高掺杂集电区低掺杂以NPN为例说明工作原理:n当VCC VBBnbe 结正偏,bc结反偏ne区发射大量的电子nb区薄,只有少量的
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