模拟电子技术课件.ppt
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- 模拟 电子技术 课件
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1、模 拟 电 子 技 术模拟电子技术讲解提纲 半导体技术 晶体管放大电路 集成运放 反馈 稳压电源模 拟 电 子 技 术半导体器件半导体器件1.1半导体的基础知识半导体的基础知识1.2半导体二极管半导体二极管1.3二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法1.4特殊二极管特殊二极管小结小结1.5双极型半导体三极管双极型半导体三极管模 拟 电 子 技 术1.1.1本征半导体本征半导体1.1.2杂质半导体杂质半导体1.1.3PN结结模 拟 电 子 技 术1.1.1 本征半导体本征半导体半导体半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体半导体 纯净的半导体。
2、如硅纯净的半导体。如硅、锗单晶体。锗单晶体。载流子载流子 自由运动的带电粒子。自由运动的带电粒子。共价键共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。相邻原子共有价电子所形成的束缚。模 拟 电 子 技 术两种载流子两种载流子电子电子(自由电子自由电子)空穴空穴两种载流子的运动两种载流子的运动自由电子自由电子(在共价键以外在共价键以外)的运动的运动空穴空穴(在共价键以内在共价键以内)的运动的运动 结论结论:1.本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少;本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少;2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;3.本征半导体导电能力弱,并与
3、温度有关本征半导体导电能力弱,并与温度有关。模 拟 电 子 技 术1.2.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数模 拟 电 子 技 术1.2.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型构成:构成:PN 结结+引线引线+管壳管壳=二极管二极管(Diode)符号:符号:A(anode)C(cathode)分类:分类:按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型模 拟 电 子 技 术点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N
4、型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN 结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金金锑锑合金合金正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型PNP 型支持衬底型支持衬底模 拟 电 子 技 术模 拟 电 子 技 术反向击穿类型:反向击穿类型:电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因:齐纳击穿齐纳击穿:(Zener)反向电场太强,将电子强行拉出共价键。反向电场太强,将电子强行拉出共价键。(击穿电压击穿电压 6 V,正正温度系数温度系数)击穿电压在击穿电压在 6 V 左右时,温度系数趋近零。左右时,温度系数趋近零。模
5、 拟 电 子 技 术1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数1.IF 最大整流电流最大整流电流(最大正向平均电流最大正向平均电流)2.URM 最高反向工作电压最高反向工作电压,为为 U(BR)/2 3.IR 反向电流反向电流(越小单向导电性越好越小单向导电性越好)4.fM 最高工作频率最高工作频率(超过时单向导电性变差超过时单向导电性变差)iDuDU(BR)I FURMO模 拟 电 子 技 术例例 1 画出硅二极管构成的桥式整流电路在画出硅二极管构成的桥式整流电路在ui=15sin t(V)作用下输出作用下输出 uO 的的波形。波形。(按理想模型按理想模型)Otui/V15RLV1V2V3
6、V4uiBAuO模 拟 电 子 技 术OtuO/V15模 拟 电 子 技 术1.4特殊二极管特殊二极管1.4.1 稳压二极管稳压二极管1.4.2 光电二极管光电二极管模 拟 电 子 技 术1.4.1 稳压二极管稳压二极管一、伏安特性一、伏安特性符号符号工作条件:工作条件:反向击穿反向击穿iZ/mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ特性特性模 拟 电 子 技 术1.4.2 发光二极管与光敏二极管发光二极管与光敏二极管一、发光二极管一、发光二极管 LED(Light Emitting Diode)1.符号和特性符号和特性工作条件:工作条件:正向偏置正向偏置一般工作电流几十一
7、般工作电流几十 mA,导通电压导通电压(1 2)V符号符号u/Vi /mAO2特性特性模 拟 电 子 技 术模 拟 电 子 技 术1.5.1 晶体三极管晶体三极管1.5.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线1.5.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数模 拟 电 子 技 术(Semiconductor Transistor)1.5.1 晶体三极管晶体三极管一、结构、符号和分类一、结构、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型
8、ECBECB模 拟 电 子 技 术二、电流放大原理二、电流放大原理1.三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极模 拟 电 子 技 术BCEIII BC II BE)1(II 模 拟 电 子 技 术二、输出特性二、输出特性常数常数 B)(CECiufiiC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 A
9、IB=0O 2 4 6 8 43211.截止区:截止区:2.IB 0 3.IC=ICEO 04.条件:条件:两个结反两个结反偏偏截止区截止区ICEO模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43212.放大区:放大区:CEOBCIII 放大区放大区截止区截止区条件:条件:发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点:特点:水平、等间隔水平、等间隔ICEO模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43213.饱和区:饱和区:uCE u BEuCB=uCE u
10、BE 0条件:条件:两个结正偏两个结正偏特点:特点:IC IB临界饱和时:临界饱和时:uCE=uBE深度饱和时:深度饱和时:0.3 V(硅管硅管)UCE(SAT)=0.1 V(锗管锗管)放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区ICEO模 拟 电 子 技 术1.5.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数一、电流放大系数一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC/mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 4321 直流电流放大系数直流电流放大系数BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流电流放大系数交流电流放大系数 BiiC
11、一般为几十一般为几十 几百几百Q82A1030A1045.263 80108.0A1010A10)65.145.2(63 模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43212.共基极电流放大系数共基极电流放大系数 11BCCECIIIII 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。Q988.018080 二、二、极间反向饱和电流极间反向饱和电流极间反向电流是由少数载流子形成的,其大小表征了管子的温度特性(越小越好)。CB 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICBO,CE 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO。模 拟 电
12、子 技 术三、极限参数三、极限参数1.ICM 集电极最大允许电流,超过时集电极最大允许电流,超过时 值明显降低。值明显降低。2.PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC=iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区模 拟 电 子 技 术 半导体三极管的主要用途之一是利用其电流放大作用半导体三极管的主要用途之一是利用其电流放大作用组成各种放大电路。组成各种放大电路。放大电路的应用十分广泛,其主要作用是将微弱的信放大电路的应用十分广泛,其主要作用是将微弱的信号进行放大,以便人们测量和利用。所谓放大,表面号进行放大,以便人们测量和利用。所谓
13、放大,表面上看是将小信号的幅度由小增大,但放大的本质是实上看是将小信号的幅度由小增大,但放大的本质是实现能量的控制。现能量的控制。放大电路需要配置直流电源,用能量较小的输入信号放大电路需要配置直流电源,用能量较小的输入信号去控制这个电源,使之输出较大的能量去推动负载。去控制这个电源,使之输出较大的能量去推动负载。这种小能量对大能量的控制作用,就是放大电路的放这种小能量对大能量的控制作用,就是放大电路的放大作用。大作用。2 2 共发射极放大电路共发射极放大电路模 拟 电 子 技 术三极管三极管 起放大作用起放大作用偏置电路偏置电路VCC、Rb提供电源,并使三极管提供电源,并使三极管工作在线性区。
14、工作在线性区。耦合电容耦合电容C1、输入耦合电输入耦合电容容C1保证信号保证信号加到发射结,加到发射结,不影响发射结不影响发射结偏置。输出耦偏置。输出耦合电容合电容C2保证保证信号输送到负信号输送到负载,不影响集载,不影响集电结偏置。电结偏置。负载电阻负载电阻RC、RL将变化的集电极电流将变化的集电极电流转换为电压输出。转换为电压输出。1.组成组成2.1 共射基本放大电路的组成及工作原理共射基本放大电路的组成及工作原理模 拟 电 子 技 术2.放大原理放大原理 输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结,于是输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结,于是有有下列过程下列过程:o2cccbcbbe1u
15、CuRiiiiuCui三极管电流放大作用三极管电流放大作用 变化的变化的iC通过通过RC转变为转变为变化的电压输出变化的电压输出模 拟 电 子 技 术静态静态:ui0 时电路的工作状态时电路的工作状态静态工作点静态工作点 Q:由由IBQ、ICQ、UCEQ决定决定画直流通路(电容器开路)画直流通路(电容器开路)bCCbBECCBRURUUIBCIICCCCCERIUU+TRb1RCCVc 2.2.2 共射基本放大电路的基本分析方法共射基本放大电路的基本分析方法1.静态分析静态分析模 拟 电 子 技 术例例2-1 在下图中,已知在下图中,已知VCC=12V,RB=300k,RC=4k,=37.5,
16、试求放大电路的静态值。试求放大电路的静态值。解:解:根据如图所示的直流通路,根据如图所示的直流通路,可以得到可以得到 IBQ VCC/RB=12/300 =0.04(mA)ICQ IBQ=37.50.04 =1.5(mA)UCEQ=VCC ICQRC =121.54=6(V)模 拟 电 子 技 术2.动态分析动态分析放大电路有信号输入时的工作状态称为放大电路有信号输入时的工作状态称为动动态态。动态分析主要是确定放大电路的动态分析主要是确定放大电路的电压放大电压放大倍数倍数Au、输入电阻输入电阻Ri和和输出电阻输出电阻Ro等。等。放大电路有信号输入时,三极管各极的电放大电路有信号输入时,三极管各
17、极的电流和电压瞬时值既有流和电压瞬时值既有直流分量直流分量,又有,又有交流交流分量分量。直流分量一般就是静态值,而所谓放大,直流分量一般就是静态值,而所谓放大,只考虑其中的交流分量。只考虑其中的交流分量。模 拟 电 子 技 术(1)三极管简化微变等效电路三极管简化微变等效电路rbeIbu ubebceIcI Ibu uce-ucec+VT+-ubeIbIcbe 从图中可以看出,三极管的输入回路可以等效为输入电阻从图中可以看出,三极管的输入回路可以等效为输入电阻rbe。在小信号工作条件下,在小信号工作条件下,rbe是一个常数,低频小功率管的是一个常数,低频小功率管的rbe可用下式估算:可用下式估
18、算:26(mV)rbe=300+(1+)(2-10)IE(mA)三极管发射极电流三极管发射极电流的静态值的静态值 IEICQ 模 拟 电 子 技 术(2)放大电路的简化微变等效电路放大电路的简化微变等效电路交流通路的画法:交流通路的画法:将直流电源短路,电容短路将直流电源短路,电容短路交流通路交流通路简化微变等效电路简化微变等效电路三极管等效电路三极管等效电路模 拟 电 子 技 术 (3)放大电路交流参数的计算)放大电路交流参数的计算 电压放大倍数电压放大倍数 Au 式中的负号表示输出与输入电压相位相反。式中的负号表示输出与输入电压相位相反。如果电路的输出端开路,即如果电路的输出端开路,即RL
19、=,则有则有 Au =RC/rbe (2-12)负载电阻越大,放大倍数越大。负载电阻越大,放大倍数越大。beLbbebLbbecLorRiriRiriRuuAiu模 拟 电 子 技 术 解:解:在例在例2-1中已求出,中已求出,ICQ=1.5mA 由公式可求出由公式可求出 rbe=300+(1+37.5)26/1.5=967()则则 Au=37.5(44)/0.967=77.6例例2-2 在下图中,在下图中,VCC=12V,RC=4k,RB=300k,=37.5,试求放大电路的电压放大倍数试求放大电路的电压放大倍数Au。模 拟 电 子 技 术输入电阻输入电阻Ri beB/rRR i 电路的输入
20、电阻越电路的输入电阻越大,从信号源取得的大,从信号源取得的电流越小,因此一般电流越小,因此一般总是希望总是希望输入电阻越输入电阻越大越好大越好。通常通常RBrbe,因此因此Ri irbe,可见共射基本放大电路的可见共射基本放大电路的输入电阻输入电阻Ri i不大。不大。模 拟 电 子 技 术 输出电阻输出电阻R RO OCoRiuRTT 对于负载而言,放对于负载而言,放大器的输出电阻大器的输出电阻R Ro o越小,越小,负载电阻负载电阻R RL L的变化对输的变化对输出电压的影响就越小,出电压的影响就越小,表明放大器带负载能力表明放大器带负载能力越强,因此总希望越强,因此总希望R Ro o越越小
21、越好小越好。模 拟 电 子 技 术 由直流负载线由直流负载线 UCE=VCCICRC(VCC,0)和()和(0,VCC/Rc)在在与与IBQ的交点可的交点可得到得到Q点的参数点的参数IB 、IC 和和UCE 。在输出特性曲线上在输出特性曲线上确定确定两个特殊点两个特殊点,即可即可画出直流负载线。画出直流负载线。3.放大电路的图解分析法简介放大电路的图解分析法简介 图解分析法(简称图解法)是放大电路的另一种分析方法图解分析法(简称图解法)是放大电路的另一种分析方法(1)用图解法分析放大电路的静态工作情况)用图解法分析放大电路的静态工作情况模 拟 电 子 技 术(2)用图解法分析动态工作情况)用图
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