单片机课件第四章-MCS-51系列单片机的扩展.ppt
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- 单片机 课件 第四 MCS 51 系列 扩展
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1、1第四章第四章MCS-51MCS-51系列单片机的扩展系列单片机的扩展2程序存储器ROM的扩展数据存储器RAM的扩展并行I/O口的扩展 本章内容本章内容3问题的提出在单片机应用在单片机应用系统的设计中系统的设计中,往往出现往往出现RAM,RAM,ROMROM或者或者I/OI/O口口不够的情况,不够的情况,怎么办?怎么办?ROMROM的扩展的扩展 RAMRAM的扩展的扩展并行并行I/OI/O口的扩展口的扩展4MCS-51可扩展片外数据存储器、程序存储器各可扩展片外数据存储器、程序存储器各64KB。主要通过主要通过P0和和P2口进行扩展:口进行扩展:P0口:外部存储器的低口:外部存储器的低8位地址
2、位地址/数据复用总线;数据复用总线;P2口:外部存储器的高口:外部存储器的高8位地址总线。位地址总线。4-1 最小系统与程序存储器的扩展最小系统与程序存储器的扩展扩展总线的产生扩展总线的产生图图 4-1 MCS-51系列单片机进行系统扩展时的三总线结构系列单片机进行系统扩展时的三总线结构 P2 P0 8031 ALE PSEN RD WR INT0 INT1 EA RST地址锁存器地址锁存器A8 A15A0 A7D0 D7地址总线地址总线数据总线数据总线控制总线控制总线常用单向总线驱常用单向总线驱动器动器 74LS244、74LS240、74LS241;常用双向总线驱常用双向总线驱动器动器 7
3、4LS245。图图 4-2 常用总线驱动器引脚图常用总线驱动器引脚图1 2074LS245.10 11 DIR A0 .A7GNDVCCGB0.B71 2074LS244.10 11 1G 1A1 2Y4 1A2 2Y3 1A3 2Y2 1A4 2Y1GNDVCC2G1Y12A41Y22A31Y32A21Y42A1图图 4-3 总线驱动器的具体连接总线驱动器的具体连接2 20 1874LS245.9 11DIR G GNDP0.0 .P0.7A/D0 .A/D7 PSENRDVCC +5V119102 20 184 166 148 1211 913 715 517 31G2G GNDVCC +
4、5V11910P2.0 .P2.7A8 .A1574LS244总线驱动器总线驱动器一、一、8031最小系统最小系统(图(图 4-4)VCC VSSXTAL1 P1.0 .XTAL2 .P1.7RESET/CPD P2.0EA/VDD .8031 .P3.0(RXD).P3.1(TXD)P2.7P3.2(INT0)P3.3(INT1)P0.0P3.4(T0).P3.5(T1).P3.6(WR).P3.7(RD)P0.7ALE/PROG PSEN VCC1D 1Q 74LS373 .8D 8QG OE GNDVPP VCC CE GNDA7 .2716 .A8 .A9A0 A10O0 .O7 OE
5、I/OI/O+5V+5V+5V+5V1、最小系统工作时序(图最小系统工作时序(图4-5)S1 S2 S3 S4 S5 S6S1 S2 S3 S4 S5 S6指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效PCH输出输出PCH输出输出PCH输出输出PCH输出输出PCH输出输出PCH输出输出一个机器周期一个机器周期一个机器周期一个机器周期ALEPSENP2P0注意:上述时序是在取指令过程中
6、自动产生注意:上述时序是在取指令过程中自动产生 92、EPROM芯片芯片EPROM:紫外线可擦除(紫外线照射:紫外线可擦除(紫外线照射1520min)、)、电可编程的半导体只读存储器,掉电后信息不丢失。电可编程的半导体只读存储器,掉电后信息不丢失。型号型号27322764271282725627512容量容量(KB)48163264引脚数引脚数2428282828读出时间读出时间(ns)200200200200170最大工作电流最大工作电流(mA)10075100100125最大维持电流最大维持电流(mA)353540404010EPROM电路引脚符号意义(电路引脚符号意义(P138 图图4-
7、6)A0Ai地址输入线,地址输入线,i=1015O0O7(D0D7)三态数据线。读或编程校验:数据输出线;三态数据线。读或编程校验:数据输出线;编程:数据输入线;维持或编程禁止:高阻态编程:数据输入线;维持或编程禁止:高阻态CE片选信号输入端,片选信号输入端,“0”有效有效PGM编程脉冲输入线编程脉冲输入线OE读选通信号输入线,读选通信号输入线,“0”有效有效VPP编程电源输入线编程电源输入线VCC主电源输入线,一般为主电源输入线,一般为+5VGND线路地线路地11 EPROM的操作方式的操作方式编程方式:编程方式:把程序代码固化到把程序代码固化到EPROM中;中;编程校验方式:编程校验方式:
8、读出读出EPROM中的内容,检验编程操作中的内容,检验编程操作的正确性;的正确性;读出方式:读出方式:CPU从从EPROM中读取指令或常数;中读取指令或常数;维持方式:维持方式:数据端呈高阻抗;数据端呈高阻抗;编程禁止方式:编程禁止方式:适用于多片适用于多片EPROM并行编程。并行编程。122764A和和27128A的操作方式的操作方式CEOEPGMVPPVCCD0D7读读VILVILVIHVCC5V数据输出数据输出禁止输出禁止输出VILVIHVIHVCC5V高阻高阻维持维持VIH任意任意任意任意VCC5V高阻高阻编程编程VILVIHVIL*数据输入数据输入编程校验编程校验VILVILVIH*
9、数据输出数据输出编程禁止编程禁止 VIH任意任意任意任意*高阻高阻VIL:TTL低电平。低电平。VIH:TTL高电平。高电平。*:VPP的大小与型号、编程方式有关。的大小与型号、编程方式有关。*:VCC的大小与型号、编程方式有关。的大小与型号、编程方式有关。1 2074LS373.10 11 OE 1Q 1D 2D 2Q 3Q 3D 4D 4QGNDVCC8Q8D7D7Q6Q6D5D5QCLK CLR 1Q 1D 2D 2Q 3Q 3D 4D 4QGND1 2074LS273.10 11VCC8Q8D7D7Q6Q6D5D5QCLK1 20 8282.10 11 D0 .D7 OEGNDVCCO
10、0.O7STB图图 4-8 常用地址锁存器芯片引脚图常用地址锁存器芯片引脚图3、常用地址锁存器芯片及其连接、常用地址锁存器芯片及其连接图图 4-9 常用地址锁存器芯片连接方法示意图常用地址锁存器芯片连接方法示意图3 11 24 G 57 68 913 1214 1517 OE 1618 1 19P0.7 .P0.0A7 .A0ALE74LS3733 11 24 CLK 57 68 913 1214 1517 CLR 1618 1 19P0.7 .P0.0A7 .A0ALE74LS273 A7 .A01 11 192 STB 183 174 165 156 147 OE 138 9 12P0.7
11、 .P0.0ALE8282cc二、用二、用EPROM的程序存储器扩展的程序存储器扩展程序存储器扩展的基本原理程序存储器扩展的基本原理/EA:程序存储器选择信号输入线:程序存储器选择信号输入线“0”只选用外部程序存储器,只选用外部程序存储器,“1”0000H0FFFH内部;内部;0FFFH以上外部以上外部8031、8032的的/EA必须接地!必须接地!/PSEN 外部程序存储器读选通信号输出线。外部程序存储器读选通信号输出线。从外部从外部ROM取指或常数时,每机器周期取指或常数时,每机器周期2次有效,次有效,访问外部访问外部RAM时无此信号。时无此信号。151、用单片、用单片EPROM的扩展电路
12、(的扩展电路(P 141 图图4-10)8051 27128(16K,14位地址线位地址线)地址:地址:XX000000 00000000 XX111111 11111111 0000H 3FFFH(片内(片内:0000H 0FFFH)控制:控制:EA接接+5VCE接地(只扩一片)接地(只扩一片)PSENOE地址:地址:P2.5P2.0A13A8P0.7P0.0 373A7A0数据:数据:P0.7P0.0O7O02、用多片、用多片EPROM的扩展电路的扩展电路 P2.7 P2.6 P2.5 P2.4P0.02764(1)X X 0 0.01.1 0000H1FFFH C000HDFFFH276
13、4(2)X X 1 0.01.1 2000H3FFFH E000HFFFFH2片片2764(8K8,13位地址线)位地址线)P2.5/CE图图 4-11 用两片用两片2764的扩展电路的扩展电路 P2.5 P2.0P2.4 ALE 8031 P0口口EA PSEN G74LS373OEA0A7 A8A12 CE 2764(1)D0D7 OEA0A7 A8A12 CE 2764(2)D0D7 OE 3、扩展多片芯片时的片选方法:、扩展多片芯片时的片选方法:线选法:连线简单,占口线多;线选法:连线简单,占口线多;单根高位地址线或控制线直接加到存储器的片选端。单根高位地址线或控制线直接加到存储器的片
14、选端。P1.7 P1.6 P1.5 P1.4 P2.0P2.3 ALE 8031 P0口口EA PSEN G74LS373OE A0A7 CE 2732(1)O0O7 OE A0A7 CE 2732(2)O0O7 OE A0A7 CE 2732(3)O0O7 OE A0A7 CE 2732(4)O0O7 OEA8A11图图 4-12 用用 4 片片 2732 EPROM、按线选法片选的扩展电路、按线选法片选的扩展电路2732(1)0000H0FFFH2732(2)1000H1FFFH2732(3)2000H2FFFH2732(4)3000H3FFFH 译码法:省口线,增加芯片译码法:省口线,增
15、加芯片74LS1392-4译码器译码器74LS1383-8译码器译码器74LS1544-16译码器译码器 P2.6 P2.5 P2.4 P2.0P2.3 ALE 8031 P0口口EA PSEN G74LS373OE A0A7 CE 2732(1)O0O7 OE A0A7 CE 2732(2)O0O7 OE A0A7 CE 2732(3)O0O7 OE A0A7 CE 2732(4)O0O7 OEA8A11图图 4-13 用用 4 片片 2732 EPROM、按译码法片选的扩展电路、按译码法片选的扩展电路G Y3 74LS139 Y2B Y1A Y0三、用三、用E2PROM的程序存储器扩展的程
16、序存储器扩展E2PROM:电可擦除、电可编程的半导体存储器,:电可擦除、电可编程的半导体存储器,掉电后信息不丢失。掉电后信息不丢失。+5V供电下即可编程,可进行在线供电下即可编程,可进行在线改写。改写。与的程序存储器扩展的区别?自学与的程序存储器扩展的区别?自学型号型号6116626462256容量容量(KB)2832引脚数引脚数242828工作电压(工作电压(V)555典型工作电流典型工作电流(mA)35408典型维持电流典型维持电流(A)520.5存取时间存取时间(ns)由产品型号而定,百由产品型号而定,百ns级级4-2 数据存储器的扩展数据存储器的扩展一、用静态一、用静态RAM的数据存储
17、器扩展的数据存储器扩展1、静态、静态RAM芯片(芯片(P 145 图图 4-18)21SRAM芯片引脚符号意义(芯片引脚符号意义(P143 图图4-15)A0Ai地址输入线,地址输入线,i=10、12、14O0O7双向三态数据线双向三态数据线(D0D7);CE片选信号输入端,片选信号输入端,“0”有效;有效;OE读选通信号输入线,读选通信号输入线,“0”有效;有效;WE写选通信号输入线,写选通信号输入线,“0”有效;有效;VCC工作电源,工作电源,+5VGND线路地线路地226116、6264、62256的工作方式的工作方式工作方式工作方式 CEOEWEIO0IO7(片选片选)(输出允许输出允
18、许)(写允许写允许)(输入输入/输出输出)未选中未选中 H 高阻高阻 读读 L L H数据输出数据输出 写写 L H L数据输入数据输入用用E2PROM作数据存储器:读写时间长作数据存储器:读写时间长动态动态RAM芯片芯片iRAM刷新电路集成在芯片中,刷新电路集成在芯片中,2186、2187,8K82、用静态、用静态RAM的扩展电路的扩展电路 VCC VSSXTAL1 P1.0 .XTAL2 .P1.7RESET/CPD P2.0EA/VDD .8031 .P3.0(RXD).P3.1(TXD)P2.7P3.2(INT0)P3.3(INT1)P0.0P3.4(T0).P3.5(T1).P3.6
19、(WR).P3.7(RD)P0.7ALE/PROG PSEN VCC1D 1Q 74LS373 .8D 8QG OE GND VCC CE VSSA7 .6116 .A8 .A9A0 A10I/O0 .I/O7 OE WEI/OI/O+5V+5V+5V+5V图图 4-19 用用 1 片片 6116 静态静态 RAM 的扩展电路的扩展电路地址:地址:XXXXX000 00000000XXXXX111 11111111 0000H 07FFH0800H0FFFH F800H FFFFH8031 6116(2K、11位地址)位地址)控制:控制:EA接地接地CE接地(只扩一片)接地(只扩一片)RDOE
20、WRWE数据:数据:P0.7P0.0I/O7I/O0地址:地址:P2.2P2.0A10A8P0.7P0.0 373A7A0多片静态多片静态RAM的扩展的扩展图图 4-20 用两片用两片6264静态静态 RAM 的扩展电路的扩展电路 P1.0 P2.0P2.4 ALE 8031 P0口口 RD WREA PSEN G74LS373OEA0A7 A8A12 CE 6264(1)D0D7 OE WEA0A7 A8A12 CE 6264(2)D0D7 OE WE 地址:地址:XXX00000 00000000XXX11111 11111111 0000H1FFFH 2000H3FFFH 4000H5F
21、FFH 6000H7FFFH E000H FFFFH3、兼有片外、兼有片外ROM和片外和片外RAM的扩展电路的扩展电路图图 4-23 兼有片外兼有片外 ROM 又有片外又有片外 RAM 的扩展电路示例的扩展电路示例 RD WR P2.5 P2.0P2.4 ALE 8031 P0口口 EA PSEN G74LS373OEA0A7 A8A12 CE 6264(1)OE D0D7 WEA0A7 A8A12 CE 6264(2)OE D0D7 WE A0A7 A8A12 CE 2764(1)D0D7 OEA0A7 A8A12 CE 2764(2)D0D7 OE4、工作时序工作时序MCS-51对外部数据
22、存储器的操作指令:对外部数据存储器的操作指令:MOVXA,Ri;(P2)(Ri)AMOVX Ri,A;(A)(P2)(Ri)MOVX A,DPTR;(DPTR)AMOVX DPTR,A;(A)(DPTR)28S1 S2 S3 S4 S5 S6S1 S2 S3 S4 S5 S6一个机器周期一个机器周期一个机器周期一个机器周期ALEPCH输出输出DPH 输出或输出或 P2 输出输出PCH输出输出PCH输出输出PCH输出输出P2指令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效指令指令输入输入地址地址输出输出地址地址输出有效输出有效数据数据输入或输出输入或输出PCL输出输出PCL输出有效输出有效指
23、令指令输入输入PCL输出输出PCL输出有效输出有效P0PSENRD 或或 WR图图 4-24 兼有片外兼有片外 ROM 和片外和片外 RAM 时的工作时序时的工作时序访问访问ROM,取出,取出MOVX指令指令访问访问RAM读读/写数据写数据4-3 输入输出口的扩展输入输出口的扩展一、用多功能芯片的扩展(一、用多功能芯片的扩展(P 151 表表4-7)扩展的扩展的I/O接口多,兼有接口多,兼有RAM、ROM、EPROM、定、定时器等。芯片内部设有各种命令寄存器,可通过程序设计时器等。芯片内部设有各种命令寄存器,可通过程序设计设定或修改这些命令寄存器的内容(叫做设控制字),从设定或修改这些命令寄存
24、器的内容(叫做设控制字),从而改变这些接口芯片的工作方式和状态。而改变这些接口芯片的工作方式和状态。MCS-51:P0、P1、P2、P3,当系统需连接较多的,当系统需连接较多的I/O设备时要扩展设备时要扩展I/O口。口。用多功能芯片的扩展;用多功能芯片的扩展;用用TTL芯片的扩展;芯片的扩展;用串行口的扩展。用串行口的扩展。二、用二、用TTL芯片的扩展芯片的扩展1、用、用74LS377扩展输出口(扩展输出口(8D锁存器)锁存器)(图图 4-38)地址地址377(1)FEH A0G377(2)FDH A1G将一个数据从将一个数据从377(1)输出的指令输出的指令MOVR0,#0FEHMOVA,#
25、dataMOVXR0,A ALE P0口口 8031 WRG 8Q8D .1D .OE 1QG 8Q .8D .1D 1Q CLK CLK8D 8Q .1D .G 1Q74LS37374LS377(2)74LS377(1)2、用、用74LS244扩展输入口(扩展输入口(P165 图图 4-41)3、通过串行口扩展(方式、通过串行口扩展(方式 0)地址地址244(1)00H244(2)01H RD ALE P0口口 8031 G 8Q8D .1D .OE 1QG2A G1G2B Y7 .C .B Y1A Y074LS37374LS1381Y11Y4 1G 2G2Y12Y4 74LS244(1)1
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