电工技术基础培训课件2.ppt

1、电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学技能拓展技能拓展电工电子技术专题电工电子技术专题老师欢迎参加高中通用技术教师高中通用技术教师 浙江师范大学 工学、职业技术教育学院电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学一 半导体二极管和三极管1.1 1.1 半导体基础知识半导体基础知识1.2 1.2 半导体二极管半导体二极管1.3 1.3 晶体三极管晶体三极管电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学1.1 半导体基础知识一、本征半导体一、本征半导体二、杂质半导体二、杂质半导体三、三、PNPN结的形成及其单向导电性结的形成及其单向导电性四、四、PNPN结的

2、电容效应结的电容效应电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1 1、什么是半导体？什么是本征半导体？、什么是半导体？什么是本征半导体？导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受

3、原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。电。半导体硅（半导体硅（Si）、锗（）、锗（Ge），均为四价元素，它们原），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质无杂质稳定的结构稳定的结构电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子而成为自由电子自由电子的产生使共价键中自由电子的产生使共价键中留有一个空

4、位置，称为空穴留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。对的浓度加大。动态平衡动态平衡电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学两种载流子两种载流子 外加电场时，带负电的自由电外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数且运动方向相反。

5、由于载流子数目很少，故导电性很差。目很少，故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。运载电荷的粒子称为载流子。温度升高，热运动加剧，载温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。流子浓度增大，导电性增强。热力学温度热力学温度0K时不导电。时不导电。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学二、杂质半导体 1.N N型半导体5磷（磷（P）杂质半导体主要靠多数载流杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现浓

6、度越高，导电性越强，实现导电性可控。导电性可控。多数载流子多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？了？少了？为什么？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学2.2.P型半导体3硼（硼（B）多数载流子多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，导电性越强，在杂质半导体中，温度变化时在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？多子浓度的变化相同吗

7、？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。体、液体、固体均有之。扩散运动扩散运动P区空穴区空穴浓度远高浓度远高于于N区。区。N区自由电区自由电子浓度远高子浓度远高于于P区。区。扩散运动使靠近接触面扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。区的自由电子浓度降低，产生内电场。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学PN 结的形成 因电场作用所产因电场作用所产生的运

8、动称为漂移生的运动称为漂移运动。运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了平衡，就形成了PN结。结。漂移运动漂移运动 由于扩散运动使由于扩散运动使P区与区与N区的交界面缺少多数载流子，形成区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向区向P区、自由电子从区、自由电子从P区向区向N 区运动。区运动。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学PN结加正向电压导通：结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加耗尽层变窄，扩散运动加剧，由

9、于外电源的作用，形剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，成扩散电流，PNPN结处于导通结处于导通状态。状态。PN结加反向电压截止：结加反向电压截止：耗尽层变宽，阻止扩散运动耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。似认为其截止。PN 结的单向导电性必要吗？必要吗？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学四、PN 结的电容效应1.1.势垒电容势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相

10、化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容同，其等效电容称为势垒电容Cb。2.2.扩散电容扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容过程，其等效电容称为扩散电容Cd。dbjCCC结电容：结电容：结电容不是常量！若结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！，则失去单向导电性！电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学问题 为什么

11、将自然界导电性能中等的半导体材料制为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？改善导电性能？为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？是少子是影响温度稳定性的主要因素？为什么半导体器件有最高工作频率？为什么半导体器件有最高工作频率？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学2 半导体二极管一、二极管的组成一、二极管的组成二、二极管的伏安特性及电流方程二、二极管的伏安特性及电流方程三、二极管的等效电路三、二极管的等效电路四

12、、二极管的主要参数四、二极管的主要参数五、稳压二极管五、稳压二极管电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 一、二极管的组成将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率小功率二极管二极管大功率大功率二极管二极管稳压稳压二极管二极管发光发光二极管二极管电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 一、二极管的组成点接触型：结面积小点接触型：结面积小，结电容小，故结允，结电容小，故结允许的电流小，最高工许的电流小，最高工作频率高。作频率高。面接触型：结面积大面接触型：结面积大，结电容大，故结允，结电容大，故结允许的电流大，最

13、高工许的电流大，最高工作频率低。作频率低。平面型：结面积可小平面型：结面积可小、可大，小的工作频、可大，小的工作频率高，大的结允许的率高，大的结允许的电流大。电流大。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 二、二极管的伏安特性及电流方程材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十A)(ufi 开启开启电压电压反向饱反向饱和电流和电流击穿击穿电压电压mV)26()1e(TSTUIiUu常温下温度的温度的电压当量电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。二极管的电流与其端电压的关系

14、称为伏安特性。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学利用Multisim测试二极管伏安特性电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学从二极管的伏安特性可以反映出：从二极管的伏安特性可以反映出：1.单向导电性单向导电性TeSTUuIiUu，则若正向电压)1e(TSUuIi2.伏安特性受温度影响伏安特性受温度影响T（）在电流不变情况下管压降在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流IS，U(BR)T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移正向特性为正向特性为指数曲线指数曲线反向特性为横轴

15、的平行线反向特性为横轴的平行线增大增大1倍倍/10STIiUu，则若反向电压电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学三、二极管的等效电路理想理想二极管二极管近似分析近似分析中最常用中最常用理想开关理想开关导通时导通时 UD0截止时截止时IS0导通时导通时UDUon截止时截止时IS0导通时导通时i与与u成线性关系成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！应根据不同情况选择不同的等效电路！1.1.将伏安特性折线化将伏安特性折线化？100V？5V？1V？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学2.微变等效电路DTDDdIUiur根据电流方程，Q越高，越高，rd越小。

16、越小。当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用时直流电源作用小信号作用小信号作用静态电流静态电流电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学四、二极管的主要参数 最大整流电流最大整流电流IF：最大平均值：最大平均值 最大反向工作电压最大反向工作电压UR：最大瞬时值：最大瞬时值 反向电流反向电流 IR：即：即IS 最高工作频率最高工作频率fM：因：因PN结有电容效应结有电容效应第四版第四版P20电工电

17、子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学讨论：解决两个问题解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？如何判断二极管的工作状态？什么情况下应选用二极管的什么等效电路？什么情况下应选用二极管的什么等效电路？uD=ViRQIDUDRuViDDV与与uD可比，则需图解：可比，则需图解：实测特性实测特性 对对V和和Ui二极管二极管的模的模型有什么不同？型有什么不同？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学五、稳压二极管1.1.伏安特性伏安特性进入稳压区的最小电流进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流不至于损坏的最大电流 由一个由一个PN结组结组成，反向击穿后成，反向击穿后在一定

18、的电流范在一定的电流范围内端电压基本围内端电压基本不变，为稳定电不变，为稳定电压。压。2.2.主要参数主要参数稳定电压稳定电压UZ、稳定电流、稳定电流IZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ动态电阻动态电阻rzUZ/IZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！流的限流电阻！限流电阻限流电阻斜率？斜率？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学1.3 1.3 晶体三极管一、晶体管的结构和符号一、晶体管的结

19、构和符号二、晶体管的放大原理二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数五、主要参数电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度高多子浓度很多子浓度很低，且很薄低，且很薄面积大面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管为什么有孔？为什么有孔？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件

20、BECECBonBE0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电，复合运动形成基极电流流IB，漂移运动形成集电极电流，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流少数载流子的运动子的运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散电工电子技术基础电工电子

21、技术基础浙江师范大学浙江师范大学 电流分配：电流分配：I IE EI IB BI IC C I IE E扩散运动形成的电流扩散运动形成的电流 I IB B复合运动形成的电流复合运动形成的电流 I IC C漂移运动形成的电流漂移运动形成的电流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？路会有穿透电流？电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学三、晶体管的共射输入特性和输出特性CE)(BEBUufi 为什么为什么UCE增大

22、曲线右移？增大曲线右移？对于小功率晶体管，对于小功率晶体管，UCE大于大于1V的一条输入特性曲线的一条输入特性曲线可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有输入特性曲线。的所有输入特性曲线。为什么像为什么像PN结的伏安特性？结的伏安特性？为什么为什么UCE增大到一定值曲线增大到一定值曲线右移就不明显了？右移就不明显了？1.1.输入特性输入特性电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学2.输出特性B)(CECIufi 是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。为什么为什么

23、uCE较小时较小时iC随随uCE变变化很大？为什么进入放大状态化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？曲线几乎是横轴的平行线？饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区BiCi常量CEBCUii电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅几乎仅仅决定于输入回路的电流决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源控制的电流源iC。状态状态uBEiCuCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE饱和饱和

24、UoniB uBE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学四、温度对晶体管特性的影响BEBBBECEO )(uiiuIT不变时，即不变时电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学五、主要参数 直流参数：直流参数：、ICBO、ICEOc-e间击穿电压间击穿电压最大集电最大集电极电流极电流最大集电极耗散功最大集电极耗散功率，率，PCMiCuCE安全工安全工作区作区 交流参数：交流参数：、fT（使（使1的信号频率）的信号频率）极限参数：极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEOECII1ECii电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学讨论一由图示特性求出

25、由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。CECCMuiP2.7CEBCUiiuCE=1V时的时的iC就是就是ICMU（BR）CEO电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学讨论二：利用利用Multisim测试晶体管的输出特性测试晶体管的输出特性电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 利用利用Multisim分析图示分析图示电路在电路在V2小于何值时晶小于何值时晶体管截止、大于何值时体管截止、大于何值时晶体管饱和。晶体管饱和。讨论三 以以V2作为输入、以节作为输入、以节点点1作为输出，采用直流作为输出，采用直流扫描的方法可得！扫描的方法可得！约小于约小于

26、0.5V时时截止截止约大于约大于1V时时饱和饱和 描述输出电压与输出电描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线，压之间函数关系的曲线，称为电压传输特性。称为电压传输特性。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学

27、浙江师范大学+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学UBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui=0)时时:uBE=UBEuCE=UCE uo=0+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtO电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ICUCEOIBUBEO结论：结论：QIBUBEQUCEIC电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学UBEIB

28、无输入信号无输入信号(ui=0)时时:？uCE=UCC iC RC uBE=UBE+uiuCE=UCE+uo uo 0IC+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学+集电极电流集电极电流直流分量直流分量交流分量交流分量动态分析动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析静态分析电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学uitOuotO电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大

29、学电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学直流通路直流通路(IB、IC、UCE)对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开）断开断开断开断开+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学RBRCuiuORLRSes+XC 0，C 可看作短可看作短路。忽略电源的内阻，路。忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，电源的端电压恒定，直流电源对交流可看直流电源对交流可看作短路。作短路。短路短路短路短路对地短路对地短路+UC

30、CRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学放大电路无信号输入（放大电路无信号输入（ui=0）时的工作状态。）时的工作状态。估算法、图解法。估算法、图解法。各极电压、电流的直流分量。各极电压、电流的直流分量。放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。(1)静态工作点静态工作点Q：IB、IC、UCE 。静态分析：静态分析：确定放大电路的静态值。确定放大电路的静态值。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学BBECCB RUUI 所以所以BCCBRUI 根据电流放大作用根据电流放大作用CEOBC III

31、 BB II 当当UBE UCC时，时，+UCCRBRCT+UBEUCEICIB电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学已知：已知：UCC=12V，RC=4k，RB=300k，=37.5。解：解：mAmABCCB04030012.RUImAmABC51040537.II VV CCCCCE645112 .RIUU+UCCRBRCT+UBEUCEICIB电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学EECCCCCERIRIUU EBBECCB)1(RRUUI BC II EEBEBBCCRIURIU EBBEBB)1(RIURI 由由KVL可得：可得：由由KVL可得：可

32、得：IE+UCCRBRCT+UBEUCEICIB电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学常数常数 B)(CECIUfIUCE=UCC ICRC +UCCRBRCT+UBEUCEICIB电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学BBECCBRUUI CtanR1 ICQUCEQCCCRUUCC常数常数 B)(CECIUfIUCE/VIC/mA直流负载线直流负载线Q由由IB确定的那确定的那条输出特性与条输出特性与直流负载线的直流负载线的交点就是交点就是Q点点O电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 放大电路的动态分析放大电路的动态分析电工电子技术基础

33、电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管个线性电路。即把非线性的晶体管线性化线性化，等效为，等效为一个一个线性元件线性元件。晶体管在晶体管在小信号小信号（微变量）情况下工作。因此，（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。似代替。利用放大电路的微变等效电路分析利用放大电路的微变等效电路分析计算计算放大电路放大电路电压放大倍数电压放大倍数Au、输入电阻、输入电阻ri、输出电阻、输出电阻ro等。等。电工

34、电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学)mA()mV(26)1()(200EbeIr CEBBEbeUIUr CEbbeUiu O电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学CEBCUII CEbcUii BCCEceIIUr BcceIiu O电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ibicicBCEib ib晶体三极管晶体三极管微变等效电路微变等效电路ube+-uce+-ube+-uce+-rbeBEC 晶体管的晶体管的B、E之间之间可用可用rbe等效代替。等效代替。晶体管的晶体管的C、E之间可用一之间可用一受控电流源受控电流源ic=ib等效代替。

35、等效代替。rce电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+-uo+-+-RSiiRBRCuiuORL+-RSeS+-ibicBCEii电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+-uo+-+-RSiiiUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+-+-+-RS电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学bebirIU LcoRIU beLrRAu LCL/RRR io :UUAu 定义定义Lb RI rbebeCrRAu iUiIbIcIoUbISErb

36、eRBRCRLEBC+-+-+-RS电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 LcoRIU LCL/RRR io :UUAu 定义定义Lb RI rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSiUiIbIcIoUbISEeIREEebebiRIrIU Ebbeb)1(RIrI EbeL)1(RrRAu 电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学iii IUr 输入电阻输入电阻SESRiIiUirSESRiIiU电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学iiIUri beB/rR 时，时，当当beBrR bRiBIIU EebebiRIrIU Ebbeb)1

37、(RIrI Ebeib)1(RrUI EbeBi)1(/RrRr beirr rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSiUiIbIcIoUbISEeIREiUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+-+-+-RSririBRIBRI电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学oUoEoooIUr 输出电阻：输出电阻：oUSE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+-+-+-RSCoooRIUr例例3：求求ro的步骤：的步骤：1)断开负载断开负载RLoU3)外加电压外加电压oI4)求求or外加外加oICR

38、coIII bcII CoRCRUI 0 0 cb II所以所以2)令令 或或0i U0S ERcI电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学rbeRBRLEBC+-+-+-RSiUbIcIoUbISEeIREiIERbbo IIII EoSBbeoSBbeoRURRrURRrU /ESbeo1/11RRRrr 外加外加oIor1)断开负载断开负载RLoU3)外加电压外加电压oI4)求求2)令令 或或0i U0S EERI 1SBbeERRrR/电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学图解步骤：图解步骤：（1）根据静态分析方法，求出静态工作点）根据静态分析方法，求

39、出静态工作点Q。（2）根据）根据ui在输入特性上求在输入特性上求uBE和和iB。（3）作交流负载线。）作交流负载线。（4）由输出特性曲线和交流负载线求）由输出特性曲线和交流负载线求iC和和uCE。0 (a)输入回路 (b)输出回路uCEiCQICQUCCuBEiB0uBEtiBt0iCt0tQQQQQIBQUBEQuCEUCEQ直流负载线交流负载线00动态分析动态分析 电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学交流负载线的画法UCEICVCCCCCVRQCCLVR交流负载线交流负载线电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学QuCE/VttiB B/AIBtiC C

40、/mAICiB B/AuBE/VtuBE/VUBEUCEiC C/mAuCE/VOOOOOOQicQ1Q2ibuiuo电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学Q2uoUCEQuCE/VttiC C/mAICiC C/mAuCE/VOOOQ1电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学uiuotiB B/AiB B/AuBE/VtuBE/VUBEOOOQQuCE/VtiC C/mAuCE/VOOUCE电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 在固定偏置放大电路中，在固定偏置放大电路中，当温度升高时

41、，当温度升高时，UBE、ICBO 。上式表明，当上式表明，当UCC和和 RB一定时，一定时，IC与与 UBE、以及以及 ICEO 有关有关，而这三个参数随温度而变化。，而这三个参数随温度而变化。CBOBBECCCEOBC)1(IRUUIII 温度升高时，温度升高时，IC将增加，使将增加，使Q点沿负载线上移。点沿负载线上移。电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学iCuCEQQ 固定偏置电路的固定偏置电路的Q点是不稳定的，为此需要改进偏点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少增加时，能够自动减少IB，从而抑制从而抑制Q点的变

42、化，保持点的变化，保持Q点基本稳定。点基本稳定。O电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学B2II 若满足：若满足：基极电位基本恒定，基极电位基本恒定，不随温度变化。不随温度变化。2B2BRIV 2B1BCC21RRUII CC2B1B2BBURRRV VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学VBEBEBECRUVII BEBUV 若满足：若满足：EBEBEBEC RVRUVII RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+CCB2B1B2BU

43、RRRV 电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学从从Q点点稳定的角度来看稳定的角度来看似乎似乎I2、VB越大越好。越大越好。但但 I2 越大，越大，RB1、RB2必必须取得较小，将增加损耗，须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。降低输入电阻。VB过高必使过高必使VE也增高，也增高，在在UCC一定时，势必使一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。输出电压的动态范围。I2=(5 10)IB，VB=(5 10)UBE，RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。的阻值一般为几十千欧。VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCC

44、uiuo+ICRSeS+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+TUBEIBICVEICVB 固定固定电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学CC2B1B2BURRRVB EBEBECRUVII CBII EECCCCCERIRIUU VBRB1RCRB2REI1I2IB+UCCIC电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学旁路电容旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学be

45、LrRAu beBir/Rr 对交流：对交流：旁路电容旁路电容 CE 将将R 短路短路，R 不起不起作用作用，Au，ri，ro与固定偏置电路相同与固定偏置电路相同。iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+-+-+-RSCoRr 电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+2B1BB/RRR iUiIbIcIoUbISEeIBRI电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学EbeL)1(RrRAu beLrRAu EbeB2B1i)1(R/R/Rrr CoRr beBir/Rr CoRr 电工电

46、子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学？即：即：Sos EUAu考虑信号源内阻考虑信号源内阻RS 时时iSibeLs rRrrRAu 所以所以SosEUAu SiioEUUU SiEUAu iSiSirRrEU irRB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V,RC=6k,RE1=300，RE2=2.7k，RB1=60k，RB2=20k RL=6k，晶体管，晶体管=50，UBE=0.6V,试求试求:(1)(1)静态工作点静态工作点 IB、IC 及及

47、 UCE；(2)(2)画出微变等效电路；画出微变等效电路；(3)(3)ri、ro及及 Au；(4)(4)若输入信号为若输入信号为 能输出正常波形，能输出正常波形，则则UO多大？多大？(5)若测得输出波形为若测得输出波形为 判断放大器出现的是何种失真，判断放大器出现的是何种失真，如何消除失真？如何消除失真？RB1RCC1C2RB2CERE1RL+UCCuiuo+RE2mV3140sin210itu tuoO电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学V3V12206020CCB2B1B2B URRRVmA8.0 mA36.03EBEBEC RUVII A16 A500.8CB IIV

48、8.4V38.068.012)(1E1EECCCCCE RRIRIUURB1RCRB2RE1+UCCRE2+UCEIEIBICVB电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学k6Co Rrk86.18.02651200I26)1(200Ebe rk 15/2B1BB RRR其其中中 1)(EbeBi1/RrRr k03.8 1be)(EL1RrRAu 69.8 iUiIbIcIoUbISEeIBRI电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学69.8oi UUAumV9.861069.8o iuUAU电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学RB+UCCC

49、1C2RRLui+uo+es+RS电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学EBBECCB)1(RRUUI BE)1(II EECCCERIUU +UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学LEL/RRR LeoRIU Lb1RI ）（LebebiRIrIU Lbbeb)1(RIrI LbbebLb)1()1(RIrIRIAu LbeL)1(1RrR ）（rbeRBRLEBC+-+-+-RSiUbIcIoUbISEeIREiI电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学

50、rbeRBRLEBC+-+-+-RSiUbIcIoUbISEeIREiIiBi/rRr LbeBi)1(/RrRr LbebLEebebbii)1(/RrIRRIrIIUr LEL/RRR irir 电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学 1sbeoRrrSBS/RRR RrRr 1/sbeEosbeE)1 (RRr 通常：通常：rbeRBRLEBC+-+-+-RSiUbIcIoUbISEeIREiIor电工电子技术基础电工电子技术基础浙江师范大学浙江师范大学.在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V,RE=2k,RB=200k，RL=2k，晶体管，晶体管=