电子产品的表面处理方法课件.pptx
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1、nPVD簡介簡介n電鍍電鍍n電氣電鍍電氣電鍍n陶瓷陶瓷n噴漆噴漆n膠膠n陽極處理陽極處理nPVD簡介簡介n電鍍電鍍n電氣電鍍電氣電鍍 簡介簡介n陶瓷陶瓷n噴漆噴漆n膠膠n陽極處理陽極處理n在機械工業、電子工業或半導體工業領域,為了對所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各種方法形成被膜(一層薄膜),而加以使用,假如此被膜經由原子層的過程所形成時,一般將此等薄膜沈積稱為蒸鍍(蒸著)處理。採用蒸鍍處理時,以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜,因此可以得到以熱平衡狀態無法得到的具有特殊構造及功能的被膜。n薄膜沈積是目前最流行的表面處理法之一,可應用於裝飾品、餐具、刀具、工具、模具、半導體元件等
2、之表面處理,泛指在各種金屬材料、超硬合金、陶瓷材料及晶圓基板的表面上,成長一層同質或異質材料薄膜的製程,以期獲得美觀耐磨、耐熱、耐蝕等特性。n薄膜沈積依據沈積過程中,是否含有化學反應的機制,可以區分為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)通常稱為物理蒸鍍及化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)通常稱為化學蒸鍍。n隨著沈積技術及沈積參數差異,所沈積薄膜的結構可能是單晶、多晶、或非結晶的結構。單晶薄膜的沈積在積體電路製程中特別重要,稱為是磊晶(epitaxy)。相較於晶圓基板,磊晶成長的半導體薄膜的優點主要有:可以在沈
3、積過程中直接摻雜施體或受體,因此可以精確控制薄膜中的摻質分佈(dopant profile),而且不包含氧與碳等雜質。薄膜的成長是一連串複雜的過程所構成的。圖(一)為薄膜成長機制的說明圖。圖中首先到達基板的原子必須將縱向動量發散,原子才能吸附(adsorption)在基板上。這些原子會在基板表面發生形成薄膜所須要的化學反應。所形成的薄膜構成原子會在基板表面作擴散運動,這個現象稱為吸附原子的表面遷徙(surface migration)。當原子彼此相互碰撞時會結合而形成原子團過程,稱為成核(nucleation)。原子團必須達到一定的大小之後,才能持續不斷穩定成長。因此小原子團會傾向彼此聚合以形
4、成一較大的原子團,以調降整體能量。原子團的不斷成長會形成核島(island)。核島之間的縫隙須要填補原子才能使核島彼此接合而形成整個連續的薄膜。而無法與基板鍵結的原子則會由基板表面脫離而成為自由原子,這個步驟稱為原子的吸解(desorption)。PVD與CVD的差別在於:nPVD的吸附與吸解是物理性的吸附與吸解作用nCVD的吸附與吸解則是化學性的吸附與吸解反應nPVD顧名思義是以物理機制來進行薄膜湚積而不涉及化學反應的製程技術,所謂物理機制是物質的相變化現象,如蒸鍍(Evaporation),蒸鍍源由固態轉化為氣態,濺鍍(Sputtering),蒸鍍源則由氣態轉化為電漿態。PVD法係以真空、
5、測射、離子化、或離子束等法使純金屬揮發,與碳化氫、氮氣等氣體作用,在加熱至400600(13小時)的工件表面上,蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物、硼化物等110m厚之微細粒狀晶薄膜,因其蒸鍍溫度較低,結合性稍差(無擴散結合作用),且背對金屬蒸發源之工件陰部會產生蒸鍍不良現象。其優點為蒸鍍溫度較低,適用於經淬火高溫回火之工、模具。若以回火溫度以下之低溫蒸鍍,其變形量極微,可維持高精密度,蒸鍍後不須再加工。表(一)為各種PVD法的比較。物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)是今日在半導體製程中,被廣泛運用於金屬鍍膜的技術。以現今之金屬化製程而言:舉凡Ti、TiW等所謂
6、的反擴散層(Barrier Layer),或是黏合層(Glue Layer);Al之栓塞(plug)及導線(Interconnects)連接,以及高溫金屬如WSI、W、Co等,都使用物理氣相沈積法來完成。雖然小尺寸的金屬沈積以化學氣相沈積為佳,但物理氣相沈積法可說在半導體製程上,仍扮演著舉足輕重的角色。PVD蒸鍍法真空蒸鍍濺射蒸鍍離子蒸鍍粒子生成機構熱能動能熱能膜生成速率可提高(75m/min)純金屬以外很低(Cu:1m/min)可提高(25m/min)粒子原子、離子原子、離子原子、離子蒸鍍均勻性複雜形狀若無氣體攪拌就不佳良好,但膜厚分佈不均良好,但膜厚分佈不均小盲孔不佳不佳不佳蒸鍍金屬可可可
7、蒸鍍合金可可可蒸鍍耐熱化合物可可可粒子能量很低0.10.5eV可提高1100eV可提高1100Ev惰性氣體離子衝擊通常不可以可,或依形狀不可可表面與層間的混合通常無可可加熱(外加熱)可,通常有通常無可,或無蒸鍍速率10-9m/sec1.6712500.1716.70.50833一般來說,物理氣相沈積法可包含下列三種不同之技術:(一)蒸鍍(Evaporation)(二)分子束磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy,MBE)(三)濺鍍(Sputter)表(二)為此三種方法之比較。由於濺鍍可以同時達成極佳的沈積效率、大尺寸的沈積厚度控制、精確的成份控制及較底的製造成本。所以濺鍍是現今
8、矽基半導體工業所唯一採用的方式,而且相信在可預見的將來,濺鍍也不易被取代。至於蒸鍍及分子束磊晶成長之應用,現在大約皆集中於實驗室級設備,或是化合物半導體工業中。性質方法沈積速率大尺寸厚度控制精確成份控制可沈積材料之選用整體製造成本(COO)蒸鍍(Evaporation)極慢差差少差分子束磊晶成長(MBE)極慢差優秀少差濺鍍(Sputter)佳佳佳多優秀蒸鍍是在高真空狀況下,將所要蒸鍍的材料利用電阻或電子束加熱達到熔化溫度,使原子蒸發,到達並附著在基板表面上的一種鍍膜技術。在蒸鍍過程中,基板溫度對蒸鍍薄膜的性質會有很重要的影響。通常基板也須要適當加熱,使得蒸鍍原子具有足夠的能量,可以在基板表面自
9、由移動,如此才能形成均勻的薄膜。基板加熱至150以上時,可以使沈積膜與基板間形成良好的鍵結而不致剝落。蒸鍍是在高真空狀況下,將所要蒸鍍的材料利用電阻或電子束加熱達到熔化溫度,使原子蒸發,到達並附著在基板表面上的一種鍍膜技術。在蒸鍍過程中,基板溫度對蒸鍍薄膜的性質會有很重要的影響。通常基板也須要適當加熱,使得蒸鍍原子具有足夠的能量,可以在基板表面自由移動,如此才能形成均勻的薄膜。基板加熱至150以上時,可以使沈積膜與基板間形成良好的鍵結而不致剝落。電漿(Plasma)是一種遭受部份離子化的氣體(Partially lonized Gases)。藉著在兩個相對應的金屬電極板(Electrodes)
10、上施以電壓,假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定的區間,電極板表面因離子轟擊(Ion Bombardment)所產生的二次電子(Secondary Electrons),在電極板所提供的電場下,將獲得足夠的能量,而與電極板間的氣體分子因撞擊而進行所謂的解離(Dissociation,離子化(Ionization,及激發(Excitation)等反應,而產生離子、原子、原子團(Radicals),及更多的電子,以維持電漿內各粒子間的濃度平衡。nPVD簡介簡介n電鍍電鍍n電氣電鍍電氣電鍍 n陶瓷陶瓷n噴漆噴漆n膠膠n陽極處理陽極處理n電鍍之定義:電鍍(electroplating)被定義為一種電沈
11、積過程(electrodepos-ition process),是利用電極(electrode)通過電流,使金屬附著於 物體表面上,其目的是在改變物體表面之特性或尺寸。n電鍍之目的:電鍍的目的是在基材上鍍上金屬鍍層(deposit),改變基材表面 性質或尺寸。例如賦予金屬光澤美觀、物品的防鏽、防止磨耗、提高 導電度、潤滑性、強度、耐熱性、耐候性、熱處理之防止滲碳、氮化、尺寸錯誤或磨耗之另件之修補。n各種鍍金的方法:(1)電鍍法(electroplating)(2)無電鍍法(electroless plating)(3)熱浸法(hot dip plating)(4)熔射噴鍍法(spray pla
12、ting)(5)塑膠電鍍(plastic plating)(6)浸漬電鍍(immersion plating)(7)滲透鍍金(diffusion plating)(8)陰極濺鍍(cathode supptering)(9)真空蒸著鍍金(vacuum plating)(10)合金電鍍(alloy plating)(11)複合電鍍(composite plating)(12)局部電鍍(selective plating)(13)穿孔電鍍(through-hole plating)(14)筆電鍍(pen plating)(15)電鑄(electroforming)n電鍍大部份在液體(solution
13、)下進行,又絕大部份是由水溶 液(aqueous solution)中電鍍,約有 30 種的金屬可由水溶液進 行電鍍,由水溶液電鍍的金屬有:銅Cu、鎳Ni、鉻Cr、鋅Zn、鎘Cd、鉛Pb、金Au、銀Ag、鉑Pt、鈷Co、錳Mn、銻Sb、鉍Bi、汞Hg、鎵Ga、銦In、鉈、As、Se、Te、Pd、Mn、Re、Rh、Os、Ir、Nb、W 等。有些必須由非水溶液電鍍如鋰、鈉、鉀、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、La、Ti、Zr、Ge、Mo等。可油水溶液及非水溶液電鍍者有銅、銀、鋅、鎘、銻、鉍、錳、鈷、鎳等金屬。電鍍的基本知識包括下 列幾項:(1)溶液性質。(2)物質反應。(3)化學式。(4)電化學。(5)界
14、面物理化學。(6)材料性質。n溶液(solution)被溶解之物質稱之為溶質(solute),使溶質溶解之液體稱之溶 劑(solute)。溶劑為水之溶液稱之水溶液(aqueous solution)。表 示溶質溶解於溶液中之量為濃度(concentration)。在一定量溶劑 中,溶質能溶解之最大量值稱之溶解度(solubility)。達到溶解度 值之溶液稱之為飽和溶液(saturated solution),反之為非飽和溶 液(unsaturated solution)。溶液之濃度,在工廠及作業現場,使用易了解及便利的重量百 分率濃度(weight percentage)。另外常用的莫耳濃度
15、(molal concentration)。n在電鍍處理過程中,有物理變化及化學變化,例如研磨、乾燥等為物理反應,電解過程有化學反應,我們必須充份了解在處裡過程中各種物理及化學反應及其相互間關係與影響。電鍍是一種電沉積(electrodeposition)過程,利用電解體electrolysis)在電極(electrode)沉積金屬,它是屬於電化學之應用的一支。電化學是研究有關電能與化學能交互變化作用及轉換過程。電解質(electrolyte)例子NaCl,也就是其溶液具有電解性質之溶液electrolytic solution)它含有部份之離子(ions),經由此等離子之移動(movemen
16、t)而能導電。帶陰電荷朝向陽極(anode)移動稱之為陰離子(anion),帶正電荷朝向陰極(cathode)移動(migrate)者稱之為陰離子(cations)。這些帶電荷之粒子(particles)稱之為離子(ions)。放出電子產生氧化反應之電極稱之為陽極(anode),得到電子產生還元化應之電極稱之為陰極(cathode)。整個反應過程稱之為電解(electrolysis)。n表面處理過程中,金屬會與水或液體接觸,例如水洗、酸浸、電鍍、塗裝、琺瑯等。要使金屬與液體作用,需金屬表面完全浸濕接觸,若不能完全接觸,則表面處理將不完全,無法達到表面處理的目的。所以金屬與液體接觸以介面物理化學
17、性質對表面處理有十分重要的意義。n溶液中加入某種物質,能使其表回張力立即減小,具有此種性質的物質稱之為界面活性劑。表面處理過程如洗淨、脫脂、酸洗等界面活性劑被廣泛應用對表面處理之光澤化、平滑化,均一化都有相當幫助。電鍍基礎可分下列幾項:n 1.電鍍的基本構成元素及工場設備。n 2.電鍍使用之電流。n 3.電鍍溶液。n 4.金屬陽極與金屬陰極。n 5.陽極袋。n 6.電鍍架。n 7.電鍍前的處理。n 8.電鍍工場設備。n 9.電鍍控制條件及影響因素。n10.鍍浴淨化。n11.鍍層要求項目。n12.鍍層缺陷。n13.電鍍技藝。n14.金屬腐蝕。n外部電路,包含有交流電源、整流器、導線、可變電阻、電
18、流計、電壓計。n陰極、或鍍件(work)、掛具(rack)。n電鍍液(bath solution)。n陽極(anode)。n鍍槽(plating tank)n加熱或是冷卻器(heating or colling coil)。n 1.防酸之地板及水溝。n 2.電鍍糟及預備糟。n 3.攪拌器。n 4.整流器或發電機。n 5.導電棒、陽極棒、陰極棒、掛具。n 6.安培表、伏特表、安培小時表、電阻表。n 7.泵、過濾器及橡皮管。n 8.電鍍槽用之蒸氣、電器或瓦斯之加熱設備。n 9.操作用之上下架桌子。n10.檢驗、包裝、輸送工件等各項設備、儀器。n11.通風及排氣設備。n在電鍍中,一般都僅使用直流電流
19、。交流電流因在反向電流時金屬沈積又再被溶解所以交流電流無法電沈積金屬。直流電源是用直流發電機或交流電源經整流器產生。直流電流是電子向一個方向流通,所以可以電沈積金屬。但在有些特殊情況會使用交流電流或其他種特殊電流,用來改善陽極溶解消除鈍態膜、鍍層光層、降低鍍層內應力、鍍層分佈、或是用於電解清洗等。n電鍍溶液是一種含有金屬鹽及其他化學物之導電溶液,用來電沈積金屬。其主要類別可分酸性、中性及鹹性電鍍溶液。強酸鍍浴是pH值低於的溶液,通常是金屬鹽加酸之溶液,例如硫酸銅溶液。弱酸鍍浴是pH值在25.5之間鍍浴,例如鎳鍍浴。鹹性鍍浴其pH值超過之溶液,例如氰化物鍍浴、錫酸鹽之錫鍍浴及各種焦磷酸鹽鍍浴。n
20、金屬鹽:提供金屬離子之來源如硫酸銅。可分單鹽、複鹽,及錯鹽。例如:單鹽:CuSO4;NiSO4 複鹽:NiSO4;(NH4)2SO4 醋鹽:Na2Cu(CN)3n導電鹽:提供導電度,如硫酸鹽、氯鹽,可降低能量流費、鍍液熱蒸發損失,尤其是滾桶電鍍更需優良導電溶液。n陽極溶解助劑:陽極有時會形成鈍態膜,不易補充金屬離子,則需加陽極溶解助劑。例如鍍鎳時加氯鹽。n緩衝劑:電鍍條件通常有一定pH值範圍,防止pH值變動 而加緩衝劑,尤其是中性鍍浴(pH58),pH值控制更為重要。n錯合劑:很多情況,錯鹽的鍍層比單鹽的鍍層優良,或防止置換沈積,如鐵上鍍銅,則需用錯合劑,或是合金電鍍用錯合劑使不同之合金屬電位
21、拉近才能同時沈積得到合金鍍層。n安定劑:鍍浴有些會因某些作用,產生金屬鹽沈澱,鍍浴之壽命減短,為使鍍浴安定所加之藥品稱之為安定劑。n鍍層性質改良添加劑:例如小孔防止劑、硬度調節劑、光澤劑等改變鍍層的物理化學特性之添加劑。n潤濕劑(wetting agent):一般為界面活性劑又稱去孔劑。n將所需的電鍍化學品放入在預備糟內與水溶解。n去除雜質。n用過濾器清除浮懸固體,倒入一個清潔電鍍槽內。n鍍浴調整,如pH值、溫度、表面張力、光澤劑等。n用低電流電解法去除雜質。n定期的或經常的分析鍍浴成份,用化學分析法或 Hull試驗(Hull cell test)。n維持鍍浴在操作範圍成份,添加各種藥品。n去
22、除鍍浴可能被污染的來源。n定期淨化鍍液,去除累積雜質。n用低電流密度電解法間歇的或連續的減低無機物污染。n間歇或連續的過濾鍍浴浮懸雜質。n經常檢查鍍件、查看缺點。n金屬陽極分為溶解性及不溶解性陽極,溶解性陽極用於電鍍上是為補充溶液中電鍍所消耗的金屬離子,是用一種金屬或合金鑄成、滾成、或沖製成不同形狀裝入陽極籃(anode basket)內。陽極電流密度必須適當,電流密度太高會形成鈍態膜,因而使陽極溶解太慢或停止溶解,形成不溶解陽極,產生氧氣,消耗鍍液金屬離子而必須補充金屬鹽。為了減小陽極電流密度,可多放些陽極,或用波形陽極增加面積,或降低電壓。在酸性鍍浴可以用增加攪拌、增高鍍浴溫度、增加氯離子
23、濃度、降低pH 來提高陽極容許電流密度。而鹼性鍍浴可用增加攪拌、增加自由氰化物(free cyanide)的濃度,升高鍍浴溫度或升高pH值,也可將某種物質加入陽極內以減少因高電流密度的陽極鈍態形成。電鍍使用不溶解陽極用來做傳導電流,鍍浴金屬離子需用金屬鹽來補充,如金鍍浴中用不溶解之不銹鋼作為陽極,以金氰化鉀來補充。在鍍鉻中用不溶解之鉛陽極,以鉻酸補充鉻離子。不溶解陽極有二個條件,一是良好的導電體,二是不受鍍液之化學作用污染鍍浴及不受侵蝕。不溶性陽極可用在控制金屬離子過度積集在鍍糟內,在貴金屬電鍍,如黃金電鍍,用不銹鋼做陽極,可以代替金陽極,以減低投資成本或避免偷竊的困擾。不溶解陽極將引起強力的
24、氧化,形成腐蝕問題及氧化鍍槽內物質,所以不能使用有機物添加劑。槽內之金屬離子必須靠金屬鹽來補充。n陽極袋是一種有多細孔薄膜袋子,用來收集陽極不溶解金屬與雜質陽極泥,以防止污染鍍浴,阻止粗糙鍍層發生。陽極袋是用編織布縫成陽極形狀寬大適中,長度要比陽極稍長,材料需紮得緊,足夠收集陽極泥,不妨礙鍍浴流通,將陽極袋包住陽極並縛在陽極掛鉤上。在放進電電鍍浴之前,陽極袋要用熱水含潤濕劑中洗去漿水及其他污物,然後再用水清洗,並浸泡與鍍浴相同之pH的水溶液中,使用前需再清洗。酸性鍍浴的陽極袋可用棉織物,也可使用人造纖維。在高溫操作鹹性鍍浴可用乙稀隆材料陽極袋。n金屬陰極是鍍浴中的負電極,金屬離子還元成金屬形成
25、鍍層及其他的還元反應,如氫氣之形成於金屬陰極上。準備鍍件做電鍍需做下面各種步驟:研磨、拋光、電解研磨、洗淨、除銹等。電鍍前之處理,稱之前處理(pretreatment),包括下列過程:n洗淨:去除金屬表面之油質、脂肪、研磨劑,及污泥。可用噴射洗淨、溶劑洗淨、浸沒洗淨或電解洗淨。n清洗:用冷或熱水洗淨過程之殘留洗淨劑或污物。n酸浸:去除銹垢或其他氧化物膜,要注意防止基材被腐蝕或 產生氫脆。可加抑制劑以避免過度酸浸。酸浸完後要充份清洗。n活化:促進鍍層附著性,可用各種酸溶液使金屬表面活化。n漂清:電鍍前立刻去除酸膜,然後電鍍。n電鍍掛架是用在吊掛鍍件及導引電流之掛架,其主要部份有:n1.鉤,使電流
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