用相场方法研究PZT铁电陶瓷氢滞后断裂课件.ppt
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1、用相场方法研究PZT铁电陶瓷氢滞后断裂 郭香华1 石三强1 乔利杰21香港理工大学机械工程系2北京科技大学材料科学系2006年5月主要内容n课题背景n氢扩散相场模型n数值算例n全文总结1.课题背景n氢的很多有趣特性都与它的高迁移性有关,其迁移性甚至可以与溶液中的离子相比。n氢原子体积小,容易占据母相晶格间隙;以及间隙扩散的量子隧道效应促使其高的迁移性。n因此,扩散系统甚至在室温下较快地达到热力学平衡。图 1.氢在母相中扩散示意图(Pundt A and Kirchheim R,2004)n可以利用氢的高迁移特性把氢溶于其他材料中,这就是近年来比较热门的储氢问题;n然而,氢原子的渗透往往会改变原
2、材料的化学键,从而引起材料化学和物理性质的改变,比如金属氢脆问题。1.课题背景(继续)图2.氢致断裂机理示意图(Krom A H M et al,1997)图3.氢致断裂形成的微裂纹(a)及断口形貌(b)(Gonzalez J L et al,1997)1.课题背景(继续)图4 充氢过程PZT陶瓷颜色的变化(Huang H Y et al,2005)nPZT陶瓷的介电常数、压电性能和热电性能很好,广泛应用于电容器、传感器和微机电系统等;n然而,实验表明,实际工作环境(介质和氢)对PZT陶瓷的有较大影响。1.课题背景(继续)图 5.(a)试样受力电耦合载荷示意图((b)以400mA/cm2 充氢
3、20h后观察到的微裂纹(c)不同应力强度因子下动态充氢所对应的滞后断裂时间(Wang Y et al,2003)nPZT铁电陶瓷的氢致半导体化是可逆的,而氢致滞后断裂却是不可逆的;nHuang H Y et al对PZT铁电陶瓷的氢致滞后断裂进行了实验研究。40mm25mm+anodecathode(a)(b)(c)1.课题背景(继续)图 6.用相场方法模拟二元合金的旋节线分解现象(Soel D J et al,2003)n从能量角度来说,氢扩散可以降低整个系统的自由能;n尽管如此,能够用解析解描述的演化过程屈指可数;n用数值方法来描述一些材料微结构演化是一个可行的选择。n由于相场方法在模拟演
4、化过程的优势,近年来吸引了不少人对相场方法及其应用进行研究。1.课题背景(继续)n本工作用相场方法模拟氢扩散过程,并进一步研究PZT陶瓷氢致滞后断裂现象;n目前,大多数相场方法考虑的是弹性变形过程,我们这里介绍的方法可以适用于弹塑性变形过程。比如金属相变、金属氢脆等问题。2.PZT陶瓷中氢扩散的相场模型),(tc r氢原子在PZT陶瓷中的扩散可以用一个场量 来描述,即 是系统中氢原子浓度,其演化控制方程是Cahn-Hilliard方程),(tc r)(Mtc(1)其中 是氢的迁移率,氢原子的化学势 可如下计算cnGnGHRTtDcM/),(rG 是Gibbs自由能。(2)固溶体中Gibbs自由
5、能可以写为2.氢扩散相场模型(继续)(mvecSSTWEEG(4)其中 是化学内能 外力功 是弹性应变能 绝对温度 是热振动引起的熵 是混合熵mvecSSEETW 如果温度和氢的扩散率不变,CH方程可写为2ccRTDtc(3)因此,化学势 可以写成),(1),(ln0tctcRTweerr(5)与空间坐标无关,是氢扩散引起的应变能。由Khachaturyan-Shatalov(KS)理论(1969,1983),可得应变能为0wee2.氢扩散相场模型(继续)(6)k/kn 是Fourier空间的单位矢量,是Green函数。)(nijriijij300d)exp()()(rkrkapplklapp
6、lijijklVijapplijlkljkijiklijijkleSVrdnnCkdE2)()()()()()()2(2130*00*0033rnnnkk由(5)(6)式,化学势 可以写成(7)其中 为外力引起的应力场,是氢扩散引起的特征应变,为摩尔体积。裂纹附近应力场可通过求解Ginzburg-Landau方程(Wang and Khachaturyan,2003)来取得2.氢扩散相场模型(继续)(8),(1),(ln)()()()()()(),(*mol*molmolmol0tctcRTnnVnnVtcCVVrlcijjkcijirlaijjkcijicklcijijklcijaijrrk
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