第4章半导体存储器课件.ppt
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- 半导体 存储器 课件
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1、半导体存储器第四章 半导体存储器存储器第4.1节 存储器一 计算机存储器分类(一)按材料分类1.1.磁性存储器磁性存储器如磁盘(软盘、硬盘)、磁带、磁芯如磁盘(软盘、硬盘)、磁带、磁芯2.2.光盘光盘CDROMCDROM只读光盘:容量大、适合存放系统软件只读光盘:容量大、适合存放系统软件CDRAMCDRAM读写光盘:容量大、可改写、适合较高档读写光盘:容量大、可改写、适合较高档 计算机的外存计算机的外存3.3.半导体存储器半导体存储器 体积小,速度快,功耗低,是计算机体积小,速度快,功耗低,是计算机的的主主要要存存储器储器。CACHE CACHE、ROMROM、RAMRAM均是半导体存储器,由
2、大规模集成均是半导体存储器,由大规模集成电路制成。电路制成。存储器(二)按在计算机中的位置分类1.1.内部存储器(内存)内部存储器(内存)通常直接与系统总线相连通常直接与系统总线相连,可细分为:,可细分为:内部内部CACHECACHE 在在CPUCPU内作为一个高速的指令或数据缓冲区。一内作为一个高速的指令或数据缓冲区。一级级CACHECACHE,二级,二级CACHECACHE均指内部均指内部CACHECACHE。外部外部CACHECACHE 通常制作在主板上,比主存储器的速度快,介于通常制作在主板上,比主存储器的速度快,介于内部内部CACHECACHE和主存之间的一个缓冲区。和主存之间的一个
3、缓冲区。主存储器主存储器 计算机系统主要使用的空间。计算机系统主要使用的空间。要求速度快,体积要求速度快,体积小,容量大。一般为半导体存储器小,容量大。一般为半导体存储器。存储器2.2.外部存储器外部存储器通常是通过总线接口电路与系统总线相连通常是通过总线接口电路与系统总线相连。要求容量大要求容量大、掉电信息不丢失,速度可以慢些掉电信息不丢失,速度可以慢些。如。如磁盘、光盘磁盘、光盘半导体存储器二 半导体存储器(一)按器件分类双极性双极性TTLTTL电路电路速度较快(速度较快(101050nS50nS)、集成度低、功耗大、成本高)、集成度低、功耗大、成本高MOSMOSNMOSNMOS和和CMO
4、SCMOS两种,两种,现大量使用现大量使用CMOSCMOS存储器,存储速度可达存储器,存储速度可达几纳秒几纳秒。特点:集成度高特点:集成度高(单片可达单片可达1Gb)1Gb)、功耗小、成本低、功耗小、成本低电荷耦合器电荷耦合器速度快、但成本较高速度快、但成本较高半导体存储器(二)按存储功能分类1.1.读写存储器读写存储器随机读写存储器随机读写存储器(RAM Random Access Memory)(RAM Random Access Memory)可对任一单元进行读写,是计算机主存储器可对任一单元进行读写,是计算机主存储器。6262*系列系列先进后出存储器(先进后出存储器(LIFO Last
5、 In First OutLIFO Last In First Out)寄存器、堆栈寄存器、堆栈先进先出存储器(先进先出存储器(FIFO First In First OutFIFO First In First Out)寄存器、队列寄存器、队列只读存储器(只读存储器(ROM Read Only MemoryROM Read Only Memory)只能读(用特殊方法可写入),掉电信息不丢失,只能读(用特殊方法可写入),掉电信息不丢失,可作为主存储器存放系统软件和数据等。可作为主存储器存放系统软件和数据等。ROM ROM可分为:可分为:半导体存储器固定固定ROMROM(掩膜(掩膜ROMROM)
6、由制造厂家固化内容,不可修改由制造厂家固化内容,不可修改可编程只读存储器可编程只读存储器PROMPROM由用户固化内容,但不可修改由用户固化内容,但不可修改紫外线擦除只读存储器紫外线擦除只读存储器EPROMEPROM2727*系列:系列:27162716、27322732、27642764,27040 27040电擦除只读存储器电擦除只读存储器EEPROMEEPROM、FLASHFLASHEEPROMEEPROM(2828*系列):系列):28172817、28C6428C64、28C256 28C256 FLASHFLASH:29F01029F010、29F02029F020半导体存储器(三
7、)半导体存储器的容量表示存储器容量常用:字表示存储器容量常用:字*位数位数 字:一个独立的信息单元,有独立统一的地址。字:一个独立的信息单元,有独立统一的地址。位数:一个信息单元的二进制长度(一般为位数:一个信息单元的二进制长度(一般为1 1位、位、4 4位、位、8 8位)位)例例 一片一片6225662256为为RAMRAM存储器,容量为:存储器,容量为:32K32K*8 8地址线地址线1515根根数据线数据线8 8根根RAMRAM的控制信号线的控制信号线3 3根根(WE(WE、OEOE、CE)CE)(62256(62256逻辑图见后)逻辑图见后)RAM电路结构第4.2节 RAM电路结构一
8、基本概念MOSMOS型型RAMRAM一般可分为:一般可分为:SRAMSRAM(静态(静态RAMRAM)使用触发器存储信息,速度快使用触发器存储信息,速度快。如:。如:6264 8k6264 8k*8 8、62256 32K 62256 32K*8 8、62019 128K62019 128K*8 8DRAMDRAM(动态(动态RAM)RAM)使用电容存储信息,速度慢,因电容有漏电,所以使用电容存储信息,速度慢,因电容有漏电,所以需要定时刷新需要定时刷新。DRAMDRAM的刷新是按行进行刷新的。计的刷新是按行进行刷新的。计算机中的主存多以算机中的主存多以DRAMDRAM为主。为主。内存的两种形式
9、 计算机内存的两种常见形式计算机内存的两种常见形式 计算机上把内存芯片集成在一小条印刷电路板上,称计算机上把内存芯片集成在一小条印刷电路板上,称为为内存条内存条。常见的有常见的有3030线、线、7272线、线、168168线、线、200200线。这是指内存条线。这是指内存条与主板插接时有多少个接点(又称金手指)与主板插接时有多少个接点(又称金手指)SIMM SIMM:单列存储器模块。只将芯片做在电路板的一:单列存储器模块。只将芯片做在电路板的一边边 DIMM DIMM:双列存储器模块。将内存芯片做在内存条两:双列存储器模块。将内存芯片做在内存条两边,即电路板两边。边,即电路板两边。单地址译码二
10、存储器的内部译码 一个一个1K1K*1 1的存储器,具有的存储器,具有10241024个存储单元,每个单元为个存储单元,每个单元为1 1位,存储器内部寻址可用位,存储器内部寻址可用单地址译码单地址译码和和双地址译码双地址译码两种方式两种方式。1.1.单地址译码单地址译码A0A0A1A1A2A2A3A3A4A4A5A5A6A6A7A7A8A8A9A9CECEOEOEWEWE0 01 110231023Y0Y0Y1Y1Y1023Y1023D(I/O)D(I/O)读写控制电路读写控制电路地地址址译译码码器器方法:方法:由由1010根线产根线产生生10241024根存储单元根存储单元选择线,每根线选选
11、择线,每根线选中一个存储单元。中一个存储单元。缺点:缺点:引线太多,引线太多,译码器为译码器为10:1024,10:1024,制造较困难制造较困难双地址译码2.2.双地址译码双地址译码 用用5 5根线译码产生根线译码产生3232根行根行选择线,用另外选择线,用另外5 5根线译码产根线译码产生生3232根列选择线,共产生根列选择线,共产生6464根地址选择线。根地址选择线。注:注:此时可将此时可将RAMRAM看作一个矩阵,看作一个矩阵,读数据时需给出读数据时需给出行地址信号行地址信号RASRAS(Row Address Signal)(Row Address Signal)和和列地址信号列地址信
12、号CAS CAS(Column(Column Address Signal)Address Signal)。通常先。通常先给给RASRAS,再给,再给CASCAS,经过一段,经过一段时间延时,便可以在数据端时间延时,便可以在数据端读出数据读出数据 容量特别大时可采用多地址译码容量特别大时可采用多地址译码A0A0A1A1A2A2A3A3A4A4Y0Y031-031-0Y31Y31CECEOEOEWEWED(I/O)D(I/O)读写读写控制控制电路电路行行译译码码器器0-00-00-310-3131-3131-31A5A5 A6A6 A7A7 A8A8A9A9X0X0X31X31列译码器列译码器
13、由两个由两个5:32 5:32 译码器组成行译码器组成行列形式选中单元,减少了列形式选中单元,减少了引线引线基本存储单元三基本存储单元NMOSNMOS静态静态RAMRAM的存储器单元电路如的存储器单元电路如下下D0D0YiXiVccT3T4T5T6T1T2T7T8说明:说明:T1,T2为开关管,为开关管,T3,T4为为负载管,导通电阻负载管,导通电阻r3,r4r1,r2。T1T3和和T2T4构成两个反向器按正构成两个反向器按正反馈连接,构成触发器。反馈连接,构成触发器。Xi高电平,高电平,T5,T6及其他与及其他与Xi相联的开关管导通,每相联的开关管导通,每一单元与数据线相连。一单元与数据线相
14、连。Yi为高电平,为高电平,T7,T8导通,此导通,此时仅有时仅有XiYi单元与外部数单元与外部数据线连通,可对该单元进据线连通,可对该单元进行读写。行读写。62256四典型存储器芯片和译码芯片(一)62256 32K*8的CMOS静态RAM1 12 23 34 45 56 67 78 89 91010111112121313141415151616171718181919202021212222232324242525262627272828A14A14A12A12A7A7A6A6A5A5A4A4A3A3A2A2A1A1A0A0D0D0D1D1D2D2GNDGNDD3D3D4D4D5D5D6
15、D6D7D7CSCSA10A10OEOEA11A11A9A9A8A8A13A13WEWEVCCVCC6225662256引脚图引脚图A14A14A13A13A12A12A11A11A10A10A9A9A8A8A7A7A6A6A5A5A4A4A3A3A2A2A1A1A0A0OEOECSCSWEWED7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D06225662256逻辑图逻辑图输入输入L LL LL L高阻高阻H HH HL L输入输入H HL LL L输出输出L LH HL L高阻高阻H HD7D0D7D0OEOEWEWECSCS6225662256工作表工作表27256(二)2
16、7256 32K*8 EPROM1 12 23 34 45 56 67 78 89 91010111112121313141415151616171718181919202021212222232324242525262627272828VppVppA12A12A7A7A6A6A5A5A4A4A3A3A2A2A1A1A0A0D0D0D1D1D2D2GNDGNDD3D3D4D4D5D5D6D6D7D7CECEA10A10OEOEA11A11A9A9A8A8A13A13A14A14VCCVCC2725627256引脚图引脚图A14A14A13A13A12A12A11A11A10A10A9A9A8A
17、8A7A7A6A6A5A5A4A4A3A3A2A2A1A1A0A0CECEOEOED7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D02725627256逻辑图逻辑图74LS138(三)74LS138 3-8译码器1 12 23 34 45 56 67 78 89 91010111112121313141415151616A AB BC CG2AG2AG2BG2BG1G1Y7Y7GNDGNDY6Y6Y5Y5Y4Y4Y3Y3Y2Y2Y1Y1Y0Y0VCCVCC74LS13874LS138引脚图引脚图Y0Y0Y1Y1Y2Y2Y3Y3Y4Y4Y5Y5Y6Y6Y7Y7G1G1G2AG2AG
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