SMT第9章SMT生产线与产品质量管理课件.ppt
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- SMT 生产线 产品质量 管理 课件
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1、第第9 9章章 SMTSMT生产线与产品质量管理生产线与产品质量管理根据机械工业出版社同名教材何丽梅 主编9.1.1 9.1.1 组装方式组装方式o SMTSMT的组装方式及其工艺流程主要取决于表面组装组件的组装方式及其工艺流程主要取决于表面组装组件(SMA)(SMA)的类型、使用的元器件种类和组装设备条件。大体上可将的类型、使用的元器件种类和组装设备条件。大体上可将SMASMA分成分成单面混装、双面混装和全表面组装单面混装、双面混装和全表面组装3 3种类型共种类型共6 6种组装方式,如表种组装方式,如表9-19-1所列。不同类型的所列。不同类型的SMASMA其组装方式有所不同,同一种类型的其
2、组装方式有所不同,同一种类型的SMASMA其组装方式也可以有所不同。其组装方式也可以有所不同。o 根据组装产品的具体要求和组装设备的条件选择合适的组装方根据组装产品的具体要求和组装设备的条件选择合适的组装方式,是高效、低成本组装生产的基础,也是式,是高效、低成本组装生产的基础,也是SMTSMT工艺设计的主要内工艺设计的主要内容。容。组组装装方方式式示示意意图图电电路路基基板板焊焊接接方方式式特特征征单单面面表表面面组组装装 A A B B单单面面P PC CB B陶陶瓷瓷基基板板单单面面再再流流焊焊工工艺艺简简单单,适适用用于于小小型型、薄薄型型简简单单电电路路全全表表面面组组装装双双面面表表
3、面面组组装装 A A B B双双面面P PC CB B陶陶瓷瓷基基板板双双面面再再流流焊焊高高密密度度组组装装、薄薄型型化化S SM MD D 和和T TH HC C都都在在A A 面面 A A B B双双面面P PC CB B先先A A 面面再再流流焊焊,后后B B 面面波波峰峰焊焊一一般般采采用用先先贴贴后后插插,工工艺艺简简单单单单面面混混装装 T TH HC C 在在A A 面面,S SM MD D 在在B B 面面 A A B B单单面面P PC CB BB B 面面波波峰峰焊焊P PC CB B 成成本本低低,工工艺艺简简单单,先先贴贴后后插插。如如采采用用先先插插后后贴贴,工工艺
4、艺复复杂杂。T TH HC C 在在A A 面面,A A、B B 两两面面都都有有S SM MD D A A B B双双面面P PC CB B先先A A 面面再再流流焊焊,后后B B 面面波波峰峰焊焊适适合合高高密密度度组组装装双双面面混混装装A A、B B 两两面面都都有有S SM MD D 和和T TH HC C A A B B双双面面P PC CB B先先A A 面面再再流流焊焊,后后B B 面面波波峰峰焊焊,B B 面面插插装装件件后后附附工工艺艺复复杂杂,很很少少采采用用表面组装组件的安装方式表面组装组件的安装方式o 1.单面混合组装o 第一类是单面混合组装,即第一类是单面混合组装,
5、即SMCSMCSMDSMD与通孔插装元件与通孔插装元件(THC)(THC)分分布在布在PCBPCB不同的两个面上混装,但其焊接面仅为单面。这一类组装不同的两个面上混装,但其焊接面仅为单面。这一类组装方式均采用单面方式均采用单面PCBPCB和波峰焊接工艺,具体有两种组装方式。和波峰焊接工艺,具体有两种组装方式。o 先贴法。第一种组装方式称为先贴法,即在先贴法。第一种组装方式称为先贴法,即在PCBPCB的的B B面面(焊接焊接面面)先贴装先贴装SMCSMCSMDSMD,而后在,而后在A A面插装面插装THCTHC。o 后贴法。第二种组装方式称为后贴法,是先在后贴法。第二种组装方式称为后贴法,是先在
6、PCBPCB的的A A面插面插装装THCTHC,后在,后在B B面贴装面贴装SMCSMCSMDSMD。o 2.双面混合组装o 第二类是双面混合组装,第二类是双面混合组装,SMCSMCSMDSMD和和THCTHC可混合分布在可混合分布在PCBPCB的的同一面,同时,同一面,同时,SMCSMCSMDSMD也可分布在也可分布在PCBPCB的双面。双面混合组装采的双面。双面混合组装采用双面用双面PCBPCB、双波峰焊接或再流焊接。在这一类组装方式中也有先、双波峰焊接或再流焊接。在这一类组装方式中也有先贴还是后贴贴还是后贴SMCSMCSMDSMD的区别,一般根据的区别,一般根据SMCSMCSMDSMD的
7、类型和的类型和PCBPCB的大的大小合理选择,通常采用先贴法较多。该类组装常用两种组装方式。小合理选择,通常采用先贴法较多。该类组装常用两种组装方式。o SMCSMCSMOSMO和和THCTHC同侧方式。同侧方式。SMCSMCSMDSMD和和THCTHC同在同在PCBPCB的同的同一侧。一侧。o SMCSMCSMDSMD和和THCTHC不同侧方式。把表面组装集成芯片不同侧方式。把表面组装集成芯片(SMIC)(SMIC)和和THCTHC放在放在PCBPCB的的A A面,而把面,而把SMCSMC和小外形晶体管和小外形晶体管(SOT)(SOT)放放在在B B面。面。o 这类组装方式由于在这类组装方式
8、由于在PCBPCB的单面或双面贴装的单面或双面贴装SMCSMCSMDSMD,而,而又把难以表面组装化的有引线元件插入组装,因此组装密度相又把难以表面组装化的有引线元件插入组装,因此组装密度相当高。当高。混合组装工艺流程混合组装工艺流程o 3.全表面组装o 第三类是全表面组装,在第三类是全表面组装,在PCBPCB上只有上只有SMCSMCSMDSMD而无而无THCTHC。由于。由于目前元器件还未完全实现目前元器件还未完全实现SMTSMT化,实际应用中这种组装形式不多。化,实际应用中这种组装形式不多。这一类组装方式一般是在细线图形的这一类组装方式一般是在细线图形的PCBPCB或陶瓷基板上,采用细间或
9、陶瓷基板上,采用细间距器件和再流焊接工艺进行组装。它也有两种组装方式。距器件和再流焊接工艺进行组装。它也有两种组装方式。o (1)(1)单面表面组装方式。单面表面组装方式。o (2)(2)双面表面组装方式。双面表面组装方式。双面均采用焊锡膏再流焊工艺流程双面均采用焊锡膏再流焊工艺流程9.3.1 9.3.1 静电及其危害静电及其危害o 当两个物体互相摩擦时,一种物体中一部分电子会转移到另当两个物体互相摩擦时,一种物体中一部分电子会转移到另一个物体上,于是这个物体失去了电子,并带上一个物体上,于是这个物体失去了电子,并带上“正电荷正电荷”,另,另一个物体得到电子并带上一个物体得到电子并带上“负电荷
10、负电荷”。电荷不能创造,也不能消。电荷不能创造,也不能消失,它只能从一个物体转移到另一个物体。失,它只能从一个物体转移到另一个物体。o 防静电的基本概念是防止产生静电荷或已经存在静电荷的地防静电的基本概念是防止产生静电荷或已经存在静电荷的地方如何迅速而可靠地消除。为了弄清哪些地方可能会产生静电,方如何迅速而可靠地消除。为了弄清哪些地方可能会产生静电,首先应知道静电产生的原因。首先应知道静电产生的原因。1.1.静电的产生静电的产生o 1 1)接触摩擦起电。除了不同物质之间的接触摩擦会产生静电外,)接触摩擦起电。除了不同物质之间的接触摩擦会产生静电外,在相同物质之间也会发生,有时干燥的环境中当人快
11、速在桌面上拿起在相同物质之间也会发生,有时干燥的环境中当人快速在桌面上拿起一本书,书的表面也会产生静电。几乎常见的非金属和金属之间的接一本书,书的表面也会产生静电。几乎常见的非金属和金属之间的接触分离均产生静电,这也是最常见的产生静电的原因之一。静电能量触分离均产生静电,这也是最常见的产生静电的原因之一。静电能量除了取决于物质本身外,还与材料表面的清洁程度、环境条件、接触除了取决于物质本身外,还与材料表面的清洁程度、环境条件、接触压力、光洁程度、表面大小、摩擦分离速度等有关。压力、光洁程度、表面大小、摩擦分离速度等有关。o 2 2)剥离起电。当相互密切结合的物体剥离时,会引起电荷的分)剥离起电
12、。当相互密切结合的物体剥离时,会引起电荷的分离,出现分离物体双方带电的现象,称为剥离起电。剥离带电根据不离,出现分离物体双方带电的现象,称为剥离起电。剥离带电根据不同的接触面积、接触面积的黏着力和剥离速度而产生不同的静电量。同的接触面积、接触面积的黏着力和剥离速度而产生不同的静电量。o 3 3)断裂带电。材料因机械破裂使带电粒子分开,断裂两半后)断裂带电。材料因机械破裂使带电粒子分开,断裂两半后的材料各带上等量的异性电荷。的材料各带上等量的异性电荷。o 4 4)高速运动中的物体带电。物体的高速运动,其物体表面会)高速运动中的物体带电。物体的高速运动,其物体表面会因与空气的摩擦而带电。最典型的案
13、例是高速贴片机贴片过程中因与空气的摩擦而带电。最典型的案例是高速贴片机贴片过程中因元器件的快速运动而产生静电,其静电压约在因元器件的快速运动而产生静电,其静电压约在600V600V左右,特别左右,特别是贴片机的工作环境通常湿度相对较低,器件因高速运动而产生是贴片机的工作环境通常湿度相对较低,器件因高速运动而产生的静电;对于的静电;对于CMOSCMOS器件来说,有时是一个不小的威胁。与运动有器件来说,有时是一个不小的威胁。与运动有关的还有如清洗过程中,有些溶剂在高压喷淋过程中也会产生静关的还有如清洗过程中,有些溶剂在高压喷淋过程中也会产生静电。电。2.2.静电放电静电放电(ESD)(ESD)对电
14、子工业的危害对电子工业的危害o 电子产品在生产、包装运输及装联成整机的加工、调试、检测过电子产品在生产、包装运输及装联成整机的加工、调试、检测过程中,难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位。根据程中,难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位。根据静电的力学和放电效应,其静电损坏大体上分为两类,这就是由静电静电的力学和放电效应,其静电损坏大体上分为两类,这就是由静电引起的浮尘埃的吸附以及由静电放电引起的敏感元器件的击穿。引起的浮尘埃的吸附以及由静电放电引起的敏感元器件的击穿。o 1 1)静电吸附。在半导体和半导体器件制造过程广泛采用)静电吸附。在半导体和半导体器件制造过程广泛采
15、用SiOSiO2 2及及高分子物质的材料,由于它们的高绝缘性,在生产过程中易积聚很高高分子物质的材料,由于它们的高绝缘性,在生产过程中易积聚很高的静电,并易吸附空气中的带电微粒导致半导体介面击穿、失效。为的静电,并易吸附空气中的带电微粒导致半导体介面击穿、失效。为了防止危害,半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时了防止危害,半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员及一切工具、器具均应采取洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员及一切工具、器具均应采取防静电措施。防静电措施。o 2 2)静电击穿。超大规模集成电路集成度高、输入阻抗高,)静电击穿。
16、超大规模集成电路集成度高、输入阻抗高,这类器件受静电的损害越来越明显。特别是金属氧化物半导体这类器件受静电的损害越来越明显。特别是金属氧化物半导体(MOSMOS)器件,受静电击穿的几率更高。静电放电对静电敏感器件)器件,受静电击穿的几率更高。静电放电对静电敏感器件的损害主要表现:的损害主要表现:o 硬击穿。一次性造成整个器件的失效和损坏;硬击穿。一次性造成整个器件的失效和损坏;o 软击穿。造成器件的局部损伤,降低了器件的技术性能,软击穿。造成器件的局部损伤,降低了器件的技术性能,而留下不易被人们发现的隐患以致设备不能正常工作。软击穿带而留下不易被人们发现的隐患以致设备不能正常工作。软击穿带来的
17、危害有时比硬击穿更危险来的危害有时比硬击穿更危险。9.3.2 9.3.2 静电防护原理与方法静电防护原理与方法o 1.静电防护原理o 对对SSDSSD进行静电防护的基本原则有两个:一是对可能产生进行静电防护的基本原则有两个:一是对可能产生静电的地方要防止静电的积聚,即采取一定的措施,减少高压静电的地方要防止静电的积聚,即采取一定的措施,减少高压静电放电带来的危害,使之边产生边静电放电带来的危害,使之边产生边“泄放泄放”;二是迅速、;二是迅速、安全、有效地消除已经产生的静电荷,即对已存在的静电荷积安全、有效地消除已经产生的静电荷,即对已存在的静电荷积聚采取措施,使之迅速地消散掉,即时聚采取措施,
18、使之迅速地消散掉,即时“泄放泄放”。o 因此,电子产品生产中的静电防护的核心是因此,电子产品生产中的静电防护的核心是“静电消除静电消除”。当然这里的消除并非指当然这里的消除并非指“一点不存在一点不存在”,而是控制在最小限度,而是控制在最小限度之内。之内。o 2.静电防护方法o 1)1)静电防护中所使用的材料。对于静电防护,原则上不使用金静电防护中所使用的材料。对于静电防护,原则上不使用金属导体,因导体漏放电流大,会造成器件的损坏,而是采用表面电阻属导体,因导体漏放电流大,会造成器件的损坏,而是采用表面电阻l ll0l05 5以下的所谓静电导体,以及表面电阻为以下的所谓静电导体,以及表面电阻为1
19、 110105 51 1l0l08 8的的静电亚导体。例如在橡胶中混入导电碳黑后,其表面电阻可控制在静电亚导体。例如在橡胶中混入导电碳黑后,其表面电阻可控制在1 110106 6以下,即为常用的静电防护材料。以下,即为常用的静电防护材料。o 2)2)泄漏与接地。对可能产生或已经产生静电的部位,应提供通泄漏与接地。对可能产生或已经产生静电的部位,应提供通道,使静电即时泄放,即通常所说的接地。一般防静电工程中,均需道,使静电即时泄放,即通常所说的接地。一般防静电工程中,均需独立建立独立建立“地线地线”工程,并保证工程,并保证“地线地线”与大地之间的电阻小于与大地之间的电阻小于1010。o 静电防护
20、材料接地的方法是:将静电防护材料如防静电桌面静电防护材料接地的方法是:将静电防护材料如防静电桌面台垫、地垫,通过台垫、地垫,通过1M1M的电阻连接到通向地线的导体上,详情见的电阻连接到通向地线的导体上,详情见SJSJT106301995T106301995电子元器件制造防静电技术要求。电子元器件制造防静电技术要求。IPC-A-6100IPC-A-6100标准中推荐的防静电工作台接地方法如图标准中推荐的防静电工作台接地方法如图9-89-8所示。所示。o 通过串接通过串接1M1M电阻的接法是确保对地泄放电流小于电阻的接法是确保对地泄放电流小于5mA5mA,称为,称为软接地,而对设备外壳和静电屏蔽罩
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