ch8+光电式传感器及其应用(传感器原理及其应用)课件.ppt
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- ch8 光电 传感器 及其 应用 原理 课件
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1、第第8章章 光电式传感器及其应用光电式传感器及其应用 光电传感器光电传感器:将将光信号(红外、可见光及紫外光)转变光信号(红外、可见光及紫外光)转变成为电信号的器件成为电信号的器件。对于不同波长对于不同波长的光有不同的的光有不同的光学传感器光学传感器远紫外近紫外可见光近红外远红外极远紫外0.010.11100.050.55波长/m按工作原理分类:按工作原理分类:光电效应传感器 红外热释电传感器 固体图像传感器 光纤传感器 8.1 光电效应和热释电效应光电效应和热释电效应光电效应光电效应 光电效应:光电效应:外光电效应外光电效应内光电效应内光电效应外光电效应:外光电效应:在光线作用下,物体内的电
2、子在光线作用下,物体内的电子逸出逸出物体表面物体表面向外发射的现象。向外发射的现象。条件:条件:光子能量大于该物体的表面逸出功光子能量大于该物体的表面逸出功结论:结论:光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该物光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功体的表面电子逸出功A A0 0;逸出的光电子具有动能;逸出的光电子具有动能;一定一定时,产生的光电流和光强成正比时,产生的光电流和光强成正比u基于外光电效应的光电器件:基于外光电效应的光电器件:光电管、光电倍增管、光电管、光电倍增管、光电摄像管等光电摄像管等二、二、内光电效应内光电效应 当光照在物体上,使物体的当光照在物体上
3、,使物体的电导率电导率发生变化,或产生发生变化,或产生光光生电动势生电动势的现象。的现象。当光照射在物体上,使物体的当光照射在物体上,使物体的电导率电导率发生变化的现象发生变化的现象 常见器件:光敏电阻常见器件:光敏电阻1.光电导效应光电导效应光光半导体半导体电子吸收能量(电子吸收能量()跃迁跃迁电子电子-空穴对空穴对电导率增大电导率增大gEh原理:原理:Eg2、光生伏特效应、光生伏特效应PN光光生电子空穴对原理:原理:光光PN结结电子电子N,空穴空穴P电动势电动势光线照射光线照射PN结时,设光结时,设光子能量大于禁带宽度子能量大于禁带宽度Eg,使价带中的电子跃迁到使价带中的电子跃迁到导带,产
4、生电子空穴对,导带,产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用在阻挡层内电场的作用下,被光激发的电子移下,被光激发的电子移向向N区外侧,被光激发区外侧,被光激发的空穴移向的空穴移向P区外侧,区外侧,从而使从而使P区带正电,区带正电,N区区带负电,形成光电动势。带负电,形成光电动势。三、三、热释电效应(热释电效应(红外检测红外检测)热释电效应:热释电效应:当一些晶体当一些晶体温度变化时,其原子排列将温度变化时,其原子排列将发生变化,晶体自然极化,发生变化,晶体自然极化,在晶体在晶体两表面产生电荷的现象。两表面产生电荷的现象。包含包含光光-热、热热、热-电电两个阶段的变换过程。两个阶段的变换过程。热释电
5、材料热释电材料:热释电晶体(铌酸锂、钽酸锂)、热释电陶瓷(钛酸钡(BaTiO3)、锆钛酸铅(PZT))和热释电塑料(聚偏二氟乙烯(PVDF))等。应用:应用:红外探测器、温度传感器、热成像器件等等 8.2 光电器件光电器件(光电传感器光电传感器)光电管光电管:光电倍增管:光电倍增管:光敏电阻光敏电阻:光电二极管:光电二极管:光电三极管光电三极管:光电池光电池:一、光电管一、光电管 结构:结构:在真空玻璃管内装有光电阴极(逸出功小的光敏材料逸出功小的光敏材料涂敷在玻璃管内壁涂敷在玻璃管内壁)和阳极,感光面对准光的照射孔。当光线照感光面对准光的照射孔。当光线照射到光敏材料,便有电子逸出,并被正电位
6、的阳极吸引,在光射到光敏材料,便有电子逸出,并被正电位的阳极吸引,在光电管内形成空间电子流,在外电路就产生电流。电管内形成空间电子流,在外电路就产生电流。1.光电管结构和工作原理光电管结构和工作原理原理:原理:基于外光电效应;基于外光电效应;光光阴极阴极光电子光电子阳极阳极空间空间电子流电子流外接电阻外接电阻压降压降U=f(I)U=f(I)(实现光电转换)(实现光电转换)特点:简单,灵敏度低特点:简单,灵敏度低 2、光电管的特性、光电管的特性(1)光电管的伏安特性曲线)光电管的伏安特性曲线 当入射光的频率和通量确定时,阳极电压与电流之间的关系称为伏安特性 阳极电压较低:阴极发射的电子部分到达阳
7、极,阳极电压较低:阴极发射的电子部分到达阳极,其余受光电子在真空中运动时所形成的负电场作用,回到阴极。其余受光电子在真空中运动时所形成的负电场作用,回到阴极。阳极电压增高:光电流随之阳极电压增高:光电流随之增大。当阴极发射的电子能增大。当阴极发射的电子能全部到达阳极时,阳极电流全部到达阳极时,阳极电流便很稳定,称为饱和状态。便很稳定,称为饱和状态。(2)光电管的)光电管的:当光电管阳极与阴极间所加电压和入射光频谱:当光电管阳极与阴极间所加电压和入射光频谱一定时,阳极电流一定时,阳极电流I与入射光在阴极上的光通量之间的关系。与入射光在阴极上的光通量之间的关系。(3)光电管的)光电管的光谱特性光谱
8、特性 同一光电管对于不同频率的光,具有不同的灵敏度同一光电管对于不同频率的光,具有不同的灵敏度例:对例:对GD-4型光电管,阴极采用锑铯材料,对可见光范型光电管,阴极采用锑铯材料,对可见光范围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源,被应用于围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源,被应用于各种光电式自动检测仪表中。各种光电式自动检测仪表中。对红外光源,常用银氧铯阴极,构成红外探测器。对红外光源,常用银氧铯阴极,构成红外探测器。对紫外光源,常用锑铯阴极和镁镉阴极。对紫外光源,常用锑铯阴极和镁镉阴极。(4)光电管的频率响应)光电管的频率响应 光电管在从光子射入阴极到在阳极上获得光电子的时光电管在从光子
9、射入阴极到在阳极上获得光电子的时间间隔仅有几纳秒,但由于电极间的分布电容和负载电阻间间隔仅有几纳秒,但由于电极间的分布电容和负载电阻构成构成RC回路关系,使光电管工作响应时间延长至回路关系,使光电管工作响应时间延长至10-4量级,量级,在使用时,可以通过在使用时,可以通过降低负载电阻和减少分布电容方法,降低负载电阻和减少分布电容方法,提高频率响应。提高频率响应。二、二、光电倍增管光电倍增管原理:原理:利用二次电子释放效应利用二次电子释放效应,将光将光电流在管内部进行放大。电流在管内部进行放大。二次电子释放效应:高速电子撞击二次电子释放效应:高速电子撞击固体表面固体表面,再发射出二次电子的现象。
10、再发射出二次电子的现象。1.结构与原理结构与原理光电管缺点:灵敏度较低光电管缺点:灵敏度较低改进:光电倍增管改进:光电倍增管入射光E1E3E2E4KA光电阴极光电阴极倍增极倍增极阳极阳极设第一倍增极有设第一倍增极有个二次电子发出,经过个二次电子发出,经过n次加速和轰击加速后,产生的电子数为次加速和轰击加速后,产生的电子数为 n称为二次电子发射比二次电子发射比 几种常见光电倍增管的结构 聚焦光栅光电层光云母屏蔽板阳极玻璃真空管阴极倍增极阳极阴极 倍增极阳极阳极聚焦电极倍增极导电层端窗聚焦环光阴极入射光(a)(b)(c)(d)几种常见的光电倍增管结构:几种常见的光电倍增管结构:几种光电倍增管的外形
11、 2.光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性 光电特性光电特性 光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴极上的光通量之间关系 在入射光通最小于10-4 lm时,有较好的线性关系,当光通量再增大时,呈现非线性特性 放大倍数放大倍数(电流增益电流增益)在一定的工作电压下,光电倍增管的阳极电流和阴极在一定的工作电压下,光电倍增管的阳极电流和阴极电流的比称为光电倍增管的放大倍数电流的比称为光电倍增管的放大倍数(或电流增益或电流增益)。光谱灵敏度和积分灵敏度光谱灵敏度和积分灵敏度光电阴极对于一定波长辐射光的灵敏度称为光电阴极对于一定波长辐射光的灵敏度称为光谱灵敏波,光谱灵敏波,而对复合光而对复合光(或称
12、白光或称白光)的灵敏度称为的灵敏度称为积分灵敏度积分灵敏度。积分灵敏度可用光照灵敏度来表示,即以光电流与光源入积分灵敏度可用光照灵敏度来表示,即以光电流与光源入射于阴极的光通量之比来定义。射于阴极的光通量之比来定义。nIi倍增极的电压是由分压电阻链R1、R2、RN+1获得E1E3E4E5E6E7E8E9E10E11E2R1R2R3R4R5R6R7R8R9R10R11R12C3C2C1阴极阳极输出RLCIAU玻璃光电导层电极绝缘衬底金属壳黑色绝缘玻璃引线三、光敏电阻光敏电阻1.光敏电阻的结构及原理光敏电阻的结构及原理光敏电阻的电极构造与封装电极光导体光敏电阻的结构光敏电阻的结构如图光敏电阻工作过
13、程光敏电阻工作过程RGRLEI原理:原理:基于光电导效应基于光电导效应无光照:无光照:光敏电阻阻值很大;有光照:有光照:光子能量大于材料禁带宽度,价带中的电子吸收光子能量后激发出电子-空穴对,使电阻降低;光线愈强,激发出的电子-空穴对越多,电阻值越低;光照停止:光照停止:自由电子与空穴复合,导电性能下降,电阻恢复原值。2、光敏电阻的、光敏电阻的特性及特点特性及特点:光敏电阻对光敏感光敏电阻对光敏感,当改变光照强度时当改变光照强度时,电阻的大小也随电阻的大小也随着改变。一般会随着光照强度的着改变。一般会随着光照强度的增大增大而电阻值而电阻值减小减小。)暗电阻暗电阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电
14、阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称此时流过的电流称为暗电流。为暗电流。)亮电阻亮电阻光敏电阻在光照射时的电阻称亮电阻光敏电阻在光照射时的电阻称亮电阻,此时流过的电流称亮此时流过的电流称亮电流。电流。光敏电阻的暗电阻越大,而亮电阻越小则性能越好。)光电流光电流亮电流与暗电流之差称为光电流。亮电流与暗电流之差称为光电流。暗电流越小,光电流越大,光敏电阻的灵敏度越高。暗电阻一般超过1M,甚至高达100M,亮电阻则在几k以下,暗电阻与亮电阻之比在102106之间,灵敏度很高。4)光照特性光照特性 光敏电阻的光电流与光强之间的关系,称为光敏电阻的光照特性。不同类型的光敏电阻,光照特性
15、不同。光敏电阻的光照特性 0.050.100.150.200.2500.20.40.60.8光通量/lm光电流/mA5)光谱特性光谱特性 光敏电阻对不同波长的光,光谱灵敏度不同,而且不同种类光敏电阻峰值波长也不同。光敏电阻的光谱灵敏度 00.511.522.5320406080100硫化镉硫化铊硫化铅不同材料,其峰值不同材料,其峰值波长不同。波长不同。同一种材料,对不同一种材料,对不同波长的入射光,其同波长的入射光,其相对灵敏度不同,响相对灵敏度不同,响应电流不同。应电流不同。应根据光源的性质,应根据光源的性质,选择合适的光电元件选择合适的光电元件(匹配)使光电元件(匹配)使光电元件得到较高得
16、相对灵敏得到较高得相对灵敏度。度。6)伏安特性伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系,称为伏安特性。光敏电阻的伏安特性 0408012016020051525351000 lx100 lx耗散功率500 mW电压/V电流/mA10 lx一定光照,一定光照,R一定,一定,I正比于正比于U。一定电压,一定电压,I随着光随着光照照E增强而增大。增强而增大。ERI。7)响应时间和频率特性响应时间和频率特性当光敏电阻受到脉冲光作用时,光电流需要经历一段时当光敏电阻受到脉冲光作用时,光电流需要经历一段时间才上升到最大值。这种响应时间用时间常数来表示。间才上升到最大值。这种响应时间
17、用时间常数来表示。多数光敏电阻时间常数在多数光敏电阻时间常数在10-210-6s数量级。数量级。响应时间长短与照度有关响应时间长短与照度有关不同材料的光不同材料的光敏电阻具有不敏电阻具有不同的时间常数同的时间常数及频率特性及频率特性1-硫化铅硫化铅2-硫化铊。硫化铊。8)温度特性温度特性 温度变化影响温度变化影响暗电阻和灵敏度,也暗电阻和灵敏度,也影响光敏电阻的光谱影响光敏电阻的光谱响应。响应。硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线的峰值随着温度的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。上升向波长短的方向移动。常用材料光敏电阻的典型参数常见光敏电阻常见光敏电阻一个实际的光
18、敏电阻开关电路 10 k51 k220 7.7 k220 120 继电器28 VD2V3V2V1D10V3、光敏电阻的、光敏电阻的应用应用wR9013CRGRA0V)(24720hNHu光照度计:光照度计:u农作物日照时数测定:农作物日照时数测定:输出接单片机的输出接单片机的I/O口,每口,每2分钟对此口查询分钟对此口查询1次,为高电次,为高电平,计数一次,为低电平,平,计数一次,为低电平,不计数。不计数。1天查询天查询720次。次。无光照无光照V0=VL ;有光照;有光照V0=VH。四、光电二极管和光电三极管四、光电二极管和光电三极管1.光电二极管和光电三极管的结构及原理光电二极管和光电三极
19、管的结构及原理 光电二极管光电二极管:利用PN结单向导电性的结型光电器件,结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部,便于接受光照。外壳上面有一透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上。为了获得尽可能大的光生电流为了获得尽可能大的光生电流,PN结的面积比一般结的面积比一般二极管要大。二极管要大。为了光电转换效率高为了光电转换效率高,PN结的深度较一般二极管浅。结的深度较一般二极管浅。光电二极管大多数情况下工作在反向偏压状态反向偏压状态。当光照射时,光敏二极管处于导通状态。当光照射时,光敏二极管处于导通状态。当光不照射时,光敏二极管处于截止状态。当光不照射时,光敏二极管处于截止状态。光电三极管:光电
20、三极管:可以等效看作一个光电二极管和一只晶体三极管的结合。基极开路,集电极与发射极之间加正电压。当光照射集电极与发射极之间加正电压。当光照射在集电结上时在集电结上时,在结附近产生电子在结附近产生电子-空穴对空穴对,电子在结电场的作电子在结电场的作用下,由用下,由P区向区向N区运动,形成基极电流,区运动,形成基极电流,被晶体管放大倍倍,因此光电三极管的灵敏度比光电二极管的灵敏度高几十倍。NNP ICO ICN输入光发射极电极基极电极ICO基极B集电极C发射极E保护膜(SiO2)集电极电极(a)ICOICOCBE(1)ICO(b)2.光敏管的特性光敏管的特性 1)光谱特性光谱特性 光电三极管的光谱
21、特性曲线与光电二极管的相似。光电三极管的光谱特性曲线与光电二极管的相似。当当入射光的波长增加时入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降相对灵敏度要下降,这是因为光子这是因为光子的能量太小的能量太小,不足以激发出电子不足以激发出电子-空穴对。空穴对。当当入射光波长太短时相对灵敏度也下降入射光波长太短时相对灵敏度也下降,这是因为光子在这是因为光子在半导体表面附近激发的电子半导体表面附近激发的电子空穴在半导体表面附近便被吸空穴在半导体表面附近便被吸收收,不能达到不能达到PN结。结。020406080100硅锗入射光相对灵敏度/%波长/nm400800120016002000材料不同,峰值波长也不同,应根
22、据光谱特性来确定光源和光电器件的最佳匹配。2)伏安特性硅光敏管在不同照度下的伏安特性曲线,(a)图为硅光敏二极管,(b)图为硅光敏三极管。光敏三极管的光电流比相同管型的光敏二极管的光电流大上百倍。在零偏压时,二极管仍有光电流输出,三极管则没有 3)光照特性 光照特性反映集电极输出电流IC和照度EC之间的关系。三极管的光照特性曲线线性不太好三极管的光照特性曲线线性不太好,在大电流时有饱和在大电流时有饱和现象。光电二极管在反向偏压的作用下现象。光电二极管在反向偏压的作用下,光照特性曲线有良光照特性曲线有良好的线性。好的线性。硅光敏管的光照特性(a)硅光敏二极管;(b)硅光敏三极管 4)温度特性 温
23、度对光电管暗电流和光电流的影响,如图所示。温度变化对光电流的影响很小温度变化对光电流的影响很小,而对暗电流影响很大。而对暗电流影响很大。5)频率响应(特性)和时间常数 光电管的频率响应是指一定频率的调制光照射时,光电管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系。光电管的频率响应与其物理结构、工作状态、负载以及光电管的频率响应与其物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。入射光波长等因素有关。硅光电三极管的频率响应曲线100806040200110100调制光频率/kHz相对灵敏度/%100 k10 kRL 1 k 光电管的时间常数光电管的时间常数:在10-1010-4 s之间,硅管
24、时间常数较小,响应频率高。有些特殊用途的光电管,如硅PIN光电二极管其响应频率高达几百兆赫兹,暗电流小到1nA。P-Si N-Si I-Si硅硅PIN管光电二极管管光电二极管:特点:特点:频带宽,可达10GHz。在反偏压下运用可承受较高的反向电压,线性输出范围宽。不足:不足:I层电阻很大,输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。工作电压很高工作电压很高,约,约100100200V200V,接近于反向击穿电压。结区内电场极强,接近于反向击穿电压。结区内电场极强,光生电子在这强电场中可得到极大的加速,同时与晶格碰撞而产生电离光生电子在这强电场中可得到极大的加速,同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因
25、此,雪崩反应。因此,APD有很高的内增益,可达到几百。响应速度特别有很高的内增益,可达到几百。响应速度特别快,快,带宽可达带宽可达100GHz100GHz,是目前,是目前响应速度最快的一种光电二极管响应速度最快的一种光电二极管。在。在光通光通信中应用前景广阔。信中应用前景广阔。缺点:噪声大缺点:噪声大雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD):光+P环形电极()N()P光照光生载流子强电场加速与其它原子碰撞产生二次电子空穴雪崩放大硅硅PIN光电二光电二极管极管硅光电硅光电二极管二极管几种硅(锗)光电三极管的特性参数 五、光电池五、光电池1.光电池的结构及原理光电池的结构及原理原理:基于光生伏特效应
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