7寸CELL后段制程简介课件.ppt

1、Cell Process IICF清洗TFT清洗分製程進料檢驗清洗基板PI塗佈Cell 前制程模組廠LC再配向320mm1.8“2.54“6.16.8“第1代面板:长400mm,宽320mm400mm720mm600mm13.3“14.115“1719“22“32面板范围第3.5代面板:长720mm,宽610mm切割&裂片。“Scribe the CF SubstrateBreak the CF SubstrateScribe and Breakthe TFT SubstrateView Inspection 三星DAIMOND Cluster和直线In-line 切割裂片/切割裂片与搬送机构

2、 经分断使液晶注入口露出 经分断凸显电极部 由多面取的基板分割出各个独立之面板 切割刀轮/刀轮速度/刀轮压力 裂片压力 不同的CF/不同的玻璃与框胶设计目的：将组立后基板分割成所需尺寸的面板切割示意圖裂片示意圖 TFT一次切断面取近澄吊縤娩 縤娩glassglass1.裂伤2.突出3.破裂4.碰伤5.缺口(贝壳状)6.刮伤7.面板表面异物磨边磨去 Short BarShort Bar保护 TFT基板免于静电破坏的保护线路 UV胶(紫外线胶)紫外线液晶液晶液晶注入示意图利用大气压力及毛细现象将液晶灌入cell内1.抽真空2.封閉CHAMBER,將液晶皿上昇,使 注入口達到液面 之下3.破真空注入

3、封口的目的是利用压力差与毛细力，将空cell填充满液晶，经再压合后将多余液晶从panel中挤出，以UV胶将注入口封闭，再放松后将涂在封口之UV吸入并曝光硬化，以达封口与外界隔绝之目的。抽真空高真空破真空至常壓Touch methodDip methodDispense methodYarn methodDrop&Bond methodDipYarnTouchDispenseDrop&Bond技術難易度易易易難差液晶使用效率差可可良良防液晶污染性差可可良良大尺寸對應性可良可良良量產設備發展良良良可差維修與切換良可良難差綜合可可良可差 ANELVA 1-2-3个Chamber 3个Chamber

4、排气室/脱泡室/注入室 卡匣In-line式注入创举80px3Cassette/Batch 利用毛细管现像及LCD面板内外之压力差使液晶注入空面板中 排气速度/真空度/Dip时间与Leak开始之Timing/Leak速度与LCD的Cell gap或显示均一性之微妙关系 1个或2个或4个注入口 污染 不是大好就是大坏 一切都可以再补救 只除了最危险的Dip时间 设计的OEM 注入未满/气泡/框胶剥离 注入口Gap/污染液晶擠出擦拭封口膠塗佈封口膠滲入封口膠硬化(1)接触式加压压合 (2)非接触式加压压合 (3)加热压合 (4)冷却压合 ANELVA 卡匣In-line式作业 加压封止或封止 UV

5、胶以Dispenser涂布及UV硬化将注入口封止 UV胶涂布量/UV照射时间 完美的隔绝 注入口框胶断面之状况 注入口之框胶设计 注入口Gap与注入口封止胶吸入量及注入条件之影响 封止流胶的困扰 Cell Gap丢一旁的封止 注入口之框胶决定了注入口Gap目的：将液晶材料注入至空面板内目的：液晶注入后面板先进行面板加压，使其获得均匀的 cell gap 值将封止胶涂布在面板注入口外侧，并使其硬化，以防止液晶材料外漏洗净 洗去残留于cell表面 之残留LC再配向 使LC整齐的沿着配向膜 的方向排列目的：将TFT基板与CF基板间的残留液晶洗净 使液晶分子依照配向方向规则排列CF基板TFT基板 SP

6、C(岛田理化)统计制程管理六槽式的设计 In-line式稼动 洗的乾乾净净 超声波加温纯水洗净注入口封止后的面板/端子部/两基板间所沾附之液晶材料或污染 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再配向均匀化 洗剂的选择 各槽设置时间,温度 洗净能力提高 端子部残留液晶 浸泡过久对封止胶之恶劣影响 ISO处理影响目的：将 shorting bar切除，并将玻璃边缘钝角化 RGB玻璃侧视图玻璃上视图分断磨边导角 玻璃,切裂后的修饰 对面板Short-ring的磨边导角 砥石的管理 磨边/导角量的控制 模组的声音磨边导角端子部正反两面要兼顾 面板外观贝壳状或破损 静电气相关的注意事项 表面清洁和Brush清

7、洁装置 洗剂/刮刀/研磨 纯水/毛刷/风刀 偏贴前PANEL的最终洗净偏光片贴附上下偏光片滤光角度差90度目的：将偏光板贴附在玻璃表面上 MEDEC 难缠复杂的设备 以压力Roller贴付装置使面板和偏光板/位相差板贴合 偏光板材料 面板显示 偏贴小组群策群力从过年到暑假 偏贴Table和Roller之间的平行度 贴附Roller押入量 贴付Roller压力 偏光板材料 Tact time和带静电量的平衡点 无解的习题设备/材料/人 14.1“/15保持一定比例不良的偏贴异物 犬足乎Gap乎 吸着Pad真空压力或面板结构先天不良 偏贴气泡 静电气 偏贴后的补救 偏光板的付着性提高 藉由压力/温

8、度消泡 能力有限 0.5mm以下Tso1SDPSDP36KSDPSDPRRRRRISDISMSPBRFlowRconveyor双手臂暂放TFTCFCFTFTCFCFCFCFconveyorTso2SPSSPSRUSSUSCRISP/ISCConveyorCPDCPDRCPDCPD36KRRRUSC(CF)USC(TFT)RRRRFlowCFTFTTFTRUSSNG品RAMORAMORRHPSHPSLIFTERRHPS36KHPOHPOFLOWTSO/TSHRRRIMMIMPIMPMFSDBFTPIFLOWLIFTERRRNG品RRRCSLCSLALMRRSSCSSCSSCCSSCSSCSSFL

9、OWALMNG品NG品LCI*12PES*6CRSCRSLCI*4PES*236K43KLCILCILCILCIPESPESPES*4LCI*8CRSCRSCRSCRSCRSCRSVCO*636K加一台FUVFLOWCRSWCODrafterCLO*3RRRRISOWESWESMCCMCCMCCMCCVISVISVISIPEICGMFAFLOW43K液晶评价项目Cell段制程主要的控制项目 Pretilt Angle Cell Gap-PI Curing Condition-Rubbing Condition-Annealing Condition-Spacer Condition-Hot P

10、ress Condition-Injection/End-seal Condition液晶材料的评价步骤A.符合光学特性:V10,V90,Viewing Angle Contrast RatioB.高的电压保持率(VHR):高阻值 C.低的残留DC D.应答时间(Response Time):ON&OFFE.确认T-V CurveF.信赖性测试VoltageTimeVHR:RTEVV0TFT-LCD的液晶为何需高电阻?%6810%96101012VHRcmVHRcmPI AlignmentPI AlignmentVoltageR-DC:因有内电压的存在,来源为面板内的IonT-V Curve:

11、Vth&灰阶的确认Transmission(%)Applied Voltage1000501090Sample Data SheetCleaning PointTNI（C）84TSN（C）-20Specific Resistivity2.5*10Optical Anisotropyn0.086ne1.5721no1.4862Dielectric Anisotropy4.95SteepnessV10/V901.49Pitch（m）76Elastic ConstantK13液晶物理性质Lower VthIncrease 1 increase,response time increaseLarge

12、Lower VHR,Reliability will be decrease or murawill be occur.Lower nIncrease Increase Viewing angle&Gray Level,Transmission DecreaseLower Chiral Pitch Large Vth,Prevent Reverse Twist DomainViscosity Increase&Response Time IncreaseLower 1Decrease Response TimeLarge Kij/K11Increase Gray Level,Decrease

13、Response TimeLarge TN-IWide Temperature range改变液晶物理特性的影响n1Kij/K11TN-In 1 Kij/K11 XTN-I X液晶各物理性质的关系135CF45TFT6:00 E-mode/12:00 O-mode45CF135TFT6:00 O-mode/12:00 E-mode00.20.40.60.811.200.20.40.60.811.21.41.61.822.22.42.62.833.23.43.63.844.24.44.64.85p=30ump=84ump=104um0度90度3904F-BPanel Inspection A.线

14、欠陷 B.点欠陷 C.状态不良 Cell Laser RepairCell Test 流程简介畫檢二P/AL/RA/DRepair INGRepair II畫檢三OKRework外觀檢查OKBonusRepairable Defect Type A.Bright Pixel DefectB.S open LineC.GS short D.Flash DotE.SC short(Manual)F.SS short(Manual)Bright Pixel 暗点化黑点化乃是将亮点与暗点不良修为暗点 13.3“14.1修补方法：选择修补Recipe SC将画素之source切断。再选择修补 Recip

15、e 3X3于 Drain 于边缘加工(Welding)。Rescue line repair ruleA.Rescue Line Location 300 918 1536 2154 2772 300 918 1536 2154 2772Rescue line repair ruleA.Rescue line(修补线)的加工方法:3x3 weiding 2 点 依 的方向决定切断的位置。将Rescue line的分叉点切断，切的方向有左右边之分，Rescue line切的方向 与 Contact位置的Rescue line 切断方向相反，即如果于Contact位置是切右边的话，那么于Rescu

16、e line分叉点切的位置即为分叉点之左边。如图(ps.同一修补区内只能修补一条线)Source line Open的原因为source line断线或是source line 因制程不良造成之线阻抗太高，称之为S open。修补方法：先将source line断线位置cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。GS short repairG line与S line交会处因异物或是金属残留造成之G line与S line short之情况，称之为GS short。修补方法：先将source line short位置上下cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。Cut 位置Common line 与S line交会处有异物或金属残留造成之Common line 与 S line short之情况，称之为CS short。修补方法：先将source line short位置上下cut 净,再以 Rescue line加工方式修补即可。Cut 位置感谢下感谢下载载