第5章、时变电磁场课件.ppt
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- 变电 磁场 课件
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1、第第5章、时变电磁场章、时变电磁场 5.1 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律5.2 位移电流位移电流5.3 麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组5.4 时变电磁场的边界条件时变电磁场的边界条件5.5 坡印廷定理和坡印廷矢量坡印廷定理和坡印廷矢量5.6 波动方程波动方程5.7 动态位与滞后位动态位与滞后位5.8 时谐电磁场时谐电磁场5.9 电磁对偶性(略)电磁对偶性(略)5.10 似稳电磁场(略)似稳电磁场(略)静态场静态场场大小不随时间发生改变(静电场,恒定磁场)场大小不随时间发生改变(静电场,恒定磁场)特性:电场和磁场相互独立,互不影响特性:电场和磁场相互独立,互不影响 特性:电场和磁场相互激励
2、,从而形成不可分隔的特性:电场和磁场相互激励,从而形成不可分隔的统一的整体,称为电磁场统一的整体,称为电磁场 时变场时变场:场的大小随时间发生改变:场的大小随时间发生改变5.1 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律一、电磁感应现象一、电磁感应现象 实验表明实验表明:当穿过导体回路的磁通量发生变化时,:当穿过导体回路的磁通量发生变化时,回路中会出现感应电流。回路中会出现感应电流。电磁感应现象电磁感应现象 NSBv二、楞次定律二、楞次定律 闭合的导线回路中所闭合的导线回路中所出现的感应电流,总是使出现的感应电流,总是使它自己所激发的磁场反抗它自己所激发的磁场反抗任何引发电磁感应的原因任何引发电磁感
3、应的原因(反抗相对运动、磁场变(反抗相对运动、磁场变化或线圈变形等)化或线圈变形等).FNBSvNSBv用楞次定律判断感应电流方向II 楞次定律是能量楞次定律是能量守恒定律的一种表现守恒定律的一种表现viI 维持滑杆运动必须外加一力,此过程为外力克维持滑杆运动必须外加一力,此过程为外力克服安培力做功转化为焦耳热服安培力做功转化为焦耳热.机械能机械能焦耳热焦耳热 楞次定律楞次定律 闭合的导线回路中所出现的感应电闭合的导线回路中所出现的感应电流,总是使它自己所激发的磁场反抗任何引发电磁流,总是使它自己所激发的磁场反抗任何引发电磁感应的原因感应的原因.mF+B 当穿过闭合回路所围当穿过闭合回路所围面
4、积的磁通量发生变化时,面积的磁通量发生变化时,回路中会产生感应电动势,回路中会产生感应电动势,且感应电动势正比于磁通且感应电动势正比于磁通量对时间变化率的负值量对时间变化率的负值.三、法拉第电磁感应定律三、法拉第电磁感应定律SddB dSdtdt 闭合回路由闭合回路由 N 匝密绕线圈组成匝密绕线圈组成 1Niidddtdt 四、法拉第电磁感应定律微分形式四、法拉第电磁感应定律微分形式.令感应电场为令感应电场为 inEinldEdldt 如果空间同时还存在由静止电荷产生的如果空间同时还存在由静止电荷产生的保守电保守电场场 ,则,则总电场总电场 cininllllE dlEdlEdlEdllSdd
5、E dlB dSdtdt cEcinEEE感应电动势感应电动势感应电场感应电场lSSdBE dlB dSdSdtt 根据根据斯托克斯斯托克斯(Stokes)定理定理()SSBEdSdSt 上式对上式对任意任意面积均成立面积均成立BEt lSddE dlB dSdtdt 当当回路静止回路静止时时法拉第电磁感应定律微分形式法拉第电磁感应定律微分形式 BEt 法拉第电磁感应定律微分形式法拉第电磁感应定律微分形式 物理意义:随时间变化的磁场将产生电场。物理意义:随时间变化的磁场将产生电场。讨讨 论论对法拉第电磁感应定律的讨论对法拉第电磁感应定律的讨论 式中等式右边为式中等式右边为B对对t的偏导数,该式
6、用于分析时变场的偏导数,该式用于分析时变场式中的式中的E是磁场随时间变化而激发的,称为感应电场是磁场随时间变化而激发的,称为感应电场感应电场是有旋场,磁场随时间变化处会激发旋涡状感应电场是有旋场,磁场随时间变化处会激发旋涡状的电场的电场对任意回路(不一定有导体存在)成立对任意回路(不一定有导体存在)成立磁场不随时间变化时,有磁场不随时间变化时,有 ,与静电场的形式,与静电场的形式相同,可见静电场是时变场的特殊情况相同,可见静电场是时变场的特殊情况0ESSCdBB dSdS(Bv)dldtt 当当磁场不磁场不随时间随时间变化变化时时 CSCdE dlB dS(vB)dldt v 导体中的感应电场
7、实际上是导体中单位电荷所受的导体中的感应电场实际上是导体中单位电荷所受的洛仑兹力,同时也可以说明,感应电场是由于电荷在磁洛仑兹力,同时也可以说明,感应电场是由于电荷在磁场中运动而形成的场中运动而形成的.FEvBq FqvB 当导体当导体回路回路以速度以速度 运动运动时时,可以证明可以证明 例例 设有一半径为设有一半径为R,高度为高度为h 的铝圆盘的铝圆盘,其电导其电导率为率为 .把圆盘放在磁感强度为把圆盘放在磁感强度为 的均匀磁场中的均匀磁场中,磁磁场方向垂直盘面场方向垂直盘面.设磁场随时间变化设磁场随时间变化,且且 为一常量为一常量.求盘内的感应电流值求盘内的感应电流值.(圆盘内感应电流自(
8、圆盘内感应电流自己的磁场略去不计)己的磁场略去不计)BktBddRBhrrdrrdh已知已知,R,h,BktBdd求求I解解 如图取一半径为如图取一半径为 ,宽度宽度为为 ,高度为高度为 的圆环的圆环.rrd h则圆环中的感生电动势的值为则圆环中的感生电动势的值为SLstBlEddddkiE代入已知条件得代入已知条件得2i dddrkstBSE又又rhrRd 21 d所以所以rrkhId2 drrdrrdhrrkhId2 d由计算得圆环中电流由计算得圆环中电流于是圆盘中的感应电流为于是圆盘中的感应电流为RrrkhII0d2 dhRk241rrdrrdh五、涡电流五、涡电流 感应电流不仅感应电流
9、不仅能在导电回能在导电回 路内出路内出现,而且当现,而且当大块导大块导体体与磁场有相对运与磁场有相对运动或处在变化的磁动或处在变化的磁场中时,在这块导场中时,在这块导体中也会激起感应体中也会激起感应电流电流.这种在大块导这种在大块导体内流动的感应电体内流动的感应电流流,叫做叫做涡电流涡电流,简简称涡流称涡流.应用:热效应、电磁阻尼效应应用:热效应、电磁阻尼效应一、安培环路定律的局限性一、安培环路定律的局限性IsjlHSL1dd+-I(以(以 L 为边做任意曲面为边做任意曲面 S)IlHldssj d恒定磁场中恒定磁场中,安培环路定律安培环路定律0dd2SLsjlH1S2SL结论结论:恒定磁场中
10、推导得到的安培环路定律不实用恒定磁场中推导得到的安培环路定律不实用于时变场问题于时变场问题5.2 位移电流位移电流二、位移电流假说二、位移电流假说 在电容板之间,不存在自由电流,但存在随时间在电容板之间,不存在自由电流,但存在随时间变化的电场。变化的电场。为了克服安培环路定律的局限性,麦克斯韦提出为了克服安培环路定律的局限性,麦克斯韦提出了位移电流假说:了位移电流假说:在电容器之间,存在着因变化的电在电容器之间,存在着因变化的电场而形成的电流,其性质与传导电流完全不同场而形成的电流,其性质与传导电流完全不同,量值与量值与回路中自由电流相等回路中自由电流相等.由电流连续性方程由电流连续性方程,知
11、在极板间,有知在极板间,有cSdqJdSdt cSSdJdSD dSdt cSSDJdSdSt ()0cSDJdSt 定义定义:位移电流位移电流密度密度()0cSDJdSt 全电流密度全电流密度ScdcDJJJJt cJ 式中式中 为为传导电流传导电流dDJt 0sSJdS 全电流遵从电流守恒定律全电流遵从电流守恒定律三、安培环路定律广义形式三、安培环路定律广义形式()ScLSSDH dlJdSJdSt 由一般情况下由一般情况下,时变场空间同时存在时变场空间同时存在真实电流真实电流(传(传导电流)和导电流)和位移电流位移电流()cSSDH dSJdSt cDHJt 广义安培环路定律广义安培环路
12、定律物理意义物理意义:随时间变化的电场能产生磁场:随时间变化的电场能产生磁场1)全电流是连续的;)全电流是连续的;2)位移电流和传导电流一样激发磁场;)位移电流和传导电流一样激发磁场;3)传导电流产生焦耳热,位移电流不产生焦耳热)传导电流产生焦耳热,位移电流不产生焦耳热.+-dIcI 全电流全电流dcsIII位移电流和传导电流的比较位移电流和传导电流的比较讨讨 论论对安培环路定律和位移电流的讨论对安培环路定律和位移电流的讨论 时变场情况下,磁场仍是有旋场,但旋涡源除传导电时变场情况下,磁场仍是有旋场,但旋涡源除传导电流外,还有位移电流流外,还有位移电流.位移电流代表电场随时间的变化率,当电场发
13、生变位移电流代表电场随时间的变化率,当电场发生变化时,会形成磁场的旋涡源(位移电流),从而激发化时,会形成磁场的旋涡源(位移电流),从而激发起磁场起磁场.推广的安培环路定律物理意义:随时间变化的电场推广的安培环路定律物理意义:随时间变化的电场会激发磁场会激发磁场.位移电流是一种假想电流,由麦克斯韦用数学方法位移电流是一种假想电流,由麦克斯韦用数学方法引入,但在此假说的基础上,麦克斯韦预言了电磁波引入,但在此假说的基础上,麦克斯韦预言了电磁波的存在,而赫兹通过实验证明了电磁波确实存在,从的存在,而赫兹通过实验证明了电磁波确实存在,从而反过来证明了位移电流理论的正确性而反过来证明了位移电流理论的正
14、确性.例例 计算铜中的位移电流密度和传导电流密度的比计算铜中的位移电流密度和传导电流密度的比值。设铜中的电场为值。设铜中的电场为E0sint,铜的电导率铜的电导率=5.8107S/m,0。tEEJcsin0tEtEtDJdcos0ffJJcd1979106.9108.5103612 解解:铜中的传导电流大小为铜中的传导电流大小为 麦克斯韦方程组是揭示了时变电磁场基本性质的基麦克斯韦方程组是揭示了时变电磁场基本性质的基本方程组本方程组时变电磁场中,电场和磁场相互激励,形成统一不时变电磁场中,电场和磁场相互激励,形成统一不可分的整体可分的整体 一、麦克斯韦方程组的微分形式一、麦克斯韦方程组的微分形
15、式 0B DBEt cDHJt 推广的安培环路定律推广的安培环路定律 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律 磁通连续性原理磁通连续性原理 高斯定理高斯定理 5.3 麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组变化的电场和变化的磁场变化的电场和变化的磁场二、麦克斯韦方程组的积分形式二、麦克斯韦方程组的积分形式 lSDH dlJd St lSBE dldSt 0SB dS SVD dSdV 真实源(变化的电流和电荷)真实源(变化的电流和电荷)时变电磁场的时变电磁场的源源:注意注意三、麦克斯韦方程组的限定形式三、麦克斯韦方程组的限定形式 在媒质中,场量之间必须满足媒质的本构关系。在媒质中,场量之间必须满足媒质的本构
16、关系。在线性、各向同性媒质中:在线性、各向同性媒质中:DEBH JE 将将本构关系本构关系代入麦克斯韦方程组,则得代入麦克斯韦方程组,则得0H()EHEt EHEt 麦克斯韦方程组限定形式麦克斯韦方程组限定形式 注:限定形式与注:限定形式与媒质特性媒质特性相关相关 麦克斯韦方程组揭示的麦克斯韦方程组揭示的物理涵义物理涵义时变电场的时变电场的激发源激发源除电荷以外,还有变化的磁场;除电荷以外,还有变化的磁场;时变磁场的激发源除传导电流以外,还有变化的电场时变磁场的激发源除传导电流以外,还有变化的电场 电场和磁场电场和磁场互为激发源互为激发源,相互激发,相互激发 电场和磁场不再相互独立,而是电场和
17、磁场不再相互独立,而是相互关联相互关联,构成一,构成一个整体个整体电磁场,电场和磁场分别为电磁场的两个电磁场,电场和磁场分别为电磁场的两个物理量物理量 麦克斯韦方程预言了电磁波的存在,且已被事实麦克斯韦方程预言了电磁波的存在,且已被事实所证明所证明 说明说明:静态场只是时变场的一种:静态场只是时变场的一种特殊情况特殊情况 例例 已知在无源的自由空间中,已知在无源的自由空间中,0cos()xEe Etz其中其中E0、为常数,求为常数,求H000 xyzxeeeHExyztE 解解:所谓无源,就是所研究区域内没有场源电流和:所谓无源,就是所研究区域内没有场源电流和电荷电荷,即即J=0,=0。00s
18、in()yxyzxyze Etze He He Ht 由上式可以写出:由上式可以写出:00cos()yEHetz 00cos()yEHtz 00sin()yHEtzt0,0 xzHH麦克斯韦方程组知识:形成历史:Graham Turnbull,Proceedings of IEEE,2013麦克斯韦方程组知识点:四大知识点“四”、“三”、“二”、“一”“四”四个方程tEHJt BEDifferential form0BDIntegral formVSVdVddVDDS0SdBSlSddt ElBSlSddtDHlJ+S其中fcJJJfJ为外部强加的电流源cJE为传导电流麦克斯韦方程组知识点:“
19、三”三个本构关系“二”两个假说“一”一个预言DEBHJE涡旋电场、位移电流t BEdtDJ:电磁波存在麦克斯韦方程组可以应用于任何麦克斯韦方程组可以应用于任何连续的连续的介质内部介质内部在两种介质界面上,介质性质有突变,电磁场也会突变在两种介质界面上,介质性质有突变,电磁场也会突变 推导边界条件的依据是麦克斯韦方程组的推导边界条件的依据是麦克斯韦方程组的积分形式积分形式 分界面两边电磁场按照某种规律突变,称这种突变关分界面两边电磁场按照某种规律突变,称这种突变关系为电磁场的系为电磁场的边值关系边值关系或或边界条件边界条件 一、边界条件的一般形式一、边界条件的一般形式 lSDH dlJdSt 1
20、H 2H L1磁场强度的边界条件磁场强度的边界条件 H 5.4 时变电磁场的边界条件时变电磁场的边界条件lSDH dlJdSt SttJHH2112()SnHHJ 写成写成矢量形式矢量形式 11220()hSSDH sinH sinllimJ dSdSt 1200limlimtthhIDHHhhl ht 1H 2H L结论结论:磁场强度在不同媒:磁场强度在不同媒质分界面两侧的切向分量质分界面两侧的切向分量不不连续连续,其差值恰好等于分界,其差值恰好等于分界面上的电流面密度面上的电流面密度H lSBE dldSt 12ttEE120limtthBEEht 21()0nEE写成写成矢量形式为矢量形
21、式为 结论结论:电场强度在不同媒质分界面两侧的切向:电场强度在不同媒质分界面两侧的切向分量分量连续连续 电场强度的边界条件电场强度的边界条件 EE1E2EL12磁感应强度的边界条件磁感应强度的边界条件 120Bn SBn S 12nnBB写成写成矢量形式矢量形式 21()0nBB 0SB ds 结论结论:磁感应强度在不同媒质分界面两侧的法向分量磁感应强度在不同媒质分界面两侧的法向分量连续连续B 电通密度的边界条件电通密度的边界条件 2D121DSVD dSdV 21SDn SDn SqS 21nnSDD21()SnDD写成写成矢量形式矢量形式 结论结论:电通密度在不同媒质分界面两侧的法向分量:
22、电通密度在不同媒质分界面两侧的法向分量不不连续连续,其差值等于分界面上自由电荷面密度,其差值等于分界面上自由电荷面密度 D二、理想介质分界面上的边界条件二、理想介质分界面上的边界条件理想介质是指导电率为零的媒质,理想介质是指导电率为零的媒质,0在理想介质内部和表面上,不存在自由电荷和传导电流在理想介质内部和表面上,不存在自由电荷和传导电流 12()SnHHJ 21()0nEE21()0nBB 21()SnDD12ttHH12ttEE12nnBB12nnDD结论结论:在理想介质分界面上,矢量:在理想介质分界面上,矢量切向切向连续连续在理想介质分解面上,矢量在理想介质分解面上,矢量法向法向连续连续
23、EH B D三、理想导体表面上的边界条件三、理想导体表面上的边界条件 理想导体是电导率为无穷大的导体理想导体是电导率为无穷大的导体 电场强度和磁感应强度均为零电场强度和磁感应强度均为零 表面上,一般存在自由电荷和传导电流表面上,一般存在自由电荷和传导电流 设区域设区域2为理想导体,区域为理想导体,区域1为介质,为介质,SnHJ 0nE12()SnHHJ 21()0nEEtSHJ0tE 2nD2nB2tE2tH有,为零有,为零SnHJ 0nE0n B Sn D 12()SnHHJ 21()0nEE21()0nBB 21()SnDDtSHJ0tE 0nB nSD理想介质和理想导体只是理想介质和理想
24、导体只是理论上理论上存在。在存在。在实际应用中,某些媒质导电率极小或者极大,则可视实际应用中,某些媒质导电率极小或者极大,则可视作理想介质或理想导体进行处理作理想介质或理想导体进行处理 注意注意例例 设区域设区域(z0)的媒的媒质参数质参数r2=5,r2=20,2=0。区域。区域中的电场强度为中的电场强度为 88160cos(15 105)20cos(15 105)(/)xEetztzV m区域区域中的中的电场强度电场强度为为 82cos(15 105)(/)xEe Atz V m试求试求:(1)常数常数A;(2)磁场强度磁场强度H1和和H2;(3)证明在证明在z=0处处H1和和H2满足边界条
25、件。满足边界条件。解:解:(1)在无耗媒质的分界面在无耗媒质的分界面z=0处,处,有有 88160 cos(15 10)20 cos(15 10)xEett由于由于E1和和E2恰好为切向电场,恰好为切向电场,mVA/80880 cos(15 10)xet82cos(15 10)xEe At(2)根据根据麦克斯韦方程麦克斯韦方程 111HEt 所以所以 1111111yEHEett 所以所以 8180.1592 cos(15105)0.0531 cos(15105)(/)yHetztzA m 8811300 sin(15 105)100 sin(15 105)yetztz 同理,同理,可得可得
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