分立元件放大电路(讲课版)课件.ppt
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1、2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C1分立元件放大电路南京工业大学信息科学与工程学院电子系南京工业大学信息科学与工程学院电子系第四章2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C21、半导体器件、半导体器件2、基本放大电路、基本放大电路3、放大电路中静态工作点的稳定、放大电路中静态工作点的稳定4、共集电极放大电路、共集电极放大电路5、多级放大电路、多级放大电路第四章第四章 分立元件放大电路分立元件放大电路2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C3 基本要求基本要求 理解半导体二极管、稳压二极管、理解半导体二极管、稳压二极管、晶体三极管的工作原理和主
2、要参数;理晶体三极管的工作原理和主要参数;理解放大电路的基本性能指标;掌握共射解放大电路的基本性能指标;掌握共射极、共集电极单管放大电路静态工作点极、共集电极单管放大电路静态工作点的作用和微变等效电路的分析方法;了的作用和微变等效电路的分析方法;了解多级放大的概念。解多级放大的概念。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C4 重点重点 理解半导体二极管、稳压二极管、晶体理解半导体二极管、稳压二极管、晶体三极管三极管 的工作原理和主要参数;理解放的工作原理和主要参数;理解放大电路的基本性能指标;掌握共射极的大电路的基本性能指标;掌握共射极的微变等效电路分析方法微变等效电路分析方法
3、。难点难点 PN结的单向导电性,微变等效电路分析结的单向导电性,微变等效电路分析 方法。方法。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C5第一节第一节 半导体器件半导体器件 PN PN结结 半导体二极管半导体二极管 晶体三极管晶体三极管2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C6一、一、PNPN结结 本征半导体本征半导体 杂质半导体杂质半导体 PNPN结的形成结的形成 PNPN结的单向导电性结的单向导电性2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C7半导体半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。最常用的半
4、导体为硅和锗。为半导体。最常用的半导体为硅和锗。1 1、本征半导体、本征半导体半导体导电性能的特点半导体导电性能的特点:热敏性热敏性:温度升高导电能力增强;温度升高导电能力增强;光敏性光敏性:光照增强导电能力增强;光照增强导电能力增强;掺杂后导电能力剧增。掺杂后导电能力剧增。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C8本征半导体本征半导体:完全纯净、具有晶体结构的半导体。完全纯净、具有晶体结构的半导体。本征半导体的导电性能本征半导体的导电性能:(1)在绝对在绝对0度和没有外界影响时度和没有外界影响时,共价键中的价共价键中的价电子被束缚很紧电子被束缚很紧,本征半导体中无载流子的存在
5、本征半导体中无载流子的存在,具有绝缘体的性能。具有绝缘体的性能。(2)在常温下(温度升高)使一些价电子获得足够在常温下(温度升高)使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子自由电子,同,同时共价键上留下一个空位,称为时共价键上留下一个空位,称为空穴空穴-本征激发本征激发.2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C9本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C102 2、杂质半导体、杂质半导
6、体 本征半导体由于载流子数量极少,因此本征半导体由于载流子数量极少,因此导电能力很低。导电能力很低。掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。N N型半导体型半导体 P P型半导体型半导体2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C11返回返回2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C122022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C133、PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场E少子的漂移运动少子的漂移运动浓度浓度差差P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体空间电荷区空间电荷区空间电荷区也称空间电荷区也称
7、PN 结结 2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C14 PN结的形成:当型半导体和型半导体结合在当型半导体和型半导体结合在一起的时侯,由于交界面处存在载流子一起的时侯,由于交界面处存在载流子浓度的差异浓度的差异多子扩散多子扩散产生产生空间电荷空间电荷区区和和内电场内电场内电场阻碍多子扩散,有内电场阻碍多子扩散,有利少子漂移利少子漂移.当扩散运动和漂移运动达到动态平当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,交界面形成稳定的空间电荷区,衡时,交界面形成稳定的空间电荷区,即结。即结。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C154、PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结
8、加正向电压(正向偏置,结加正向电压(正向偏置,P 接正、接正、N接接负负)时,)时,PN 结处于正向导通状态,结处于正向导通状态,PN 结正结正向电阻较小,正向电流较大。向电阻较小,正向电流较大。-抵消内电场的抵消内电场的阻碍作用阻碍作用 PN 结加反向电压(反向偏置,结加反向电压(反向偏置,P接负、接负、N接正接正)时,时,PN 结处于反向截止状态,结处于反向截止状态,PN 结反向电结反向电阻较大,反向电流很小。阻较大,反向电流很小。-少数载流子漂移少数载流子漂移2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C16二、半导体二极管二、半导体二极管 二极管的结构和类型二极管的结构和类型
9、 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 二极管的主要参数二极管的主要参数 二极管的应用二极管的应用 稳压二极管稳压二极管2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C171、二极管的结构和类型、二极管的结构和类型 将将PN结加上相应的电极引线和管壳,就成为结加上相应的电极引线和管壳,就成为半导体二极管。半导体二极管。从从P区引出的电极称为阳极区引出的电极称为阳极(正极),从(正极),从N区引出的电极称为阴极(负区引出的电极称为阴极(负极)。极)。按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C18 图
10、图 (c)(c)是二极管的表示符号。是二极管的表示符号。箭头方向表示加正向电压时箭头方向表示加正向电压时的正向电流的方向,逆箭头的正向电流的方向,逆箭头方向表示不导通,体现了二方向表示不导通,体现了二极管的单向导电性能,其极管的单向导电性能,其文文字符号为字符号为DD(c)符号)符号2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C192、二极管的伏安特性、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指二极管两端的二极管的伏安特性是指二极管两端的电压和电压和流过管子流过管子的电流之间的关系。二极的电流之间的关系。二极管本质上是一个管本质上是一个PN结,它具有单向导电性,结,它具有单向导电性,分分
11、正向特性正向特性和和反向特性反向特性两部分。两部分。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C202022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C213、二极管的主要参数、二极管的主要参数(1 1)最大整流电流)最大整流电流 IFM二极管二极管长期使用长期使用时所允许通过的最大时所允许通过的最大正向平均正向平均电流。电流。(2 2)最高)最高(3 3)最大)最大指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,电流大,说明管子的单向导电性差,受温度的影响受温度的影响,温度越高反向电流越大。温度越高反向电
12、流越大。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C224、二极管的应用、二极管的应用 二极管的应用范围很广,主要二极管的应用范围很广,主要都是利用它的单向导电性实现都是利用它的单向导电性实现整流、整流、检波、限幅、箝位、开关、元件保护、检波、限幅、箝位、开关、元件保护、温度补偿等。温度补偿等。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C23定性分析:定性分析:判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则,否则,正向管压降正向管压降硅硅0.60.7V锗锗0.20.3V 分析方法:分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位将二极管断开,分析二极管两端电位的
13、高低或所加电压的高低或所加电压UD的正负。的正负。若若 V阳阳 V阴阴或或 UD为正,二极管导通(正向偏置)为正,二极管导通(正向偏置)若若 V阳阳 8V 二极管导通,可看作短路二极管导通,可看作短路 uo=8V ui VE 集电结反偏集电结反偏 VCVB2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C32IB(mA)0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC(mA)0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE(mA)0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05通过实验及测量结果,得通过实验及测量结果,得BCEIIIIC(或或IE)比比
14、IB大得多,大得多,(如如表中第三、四列数据表中第三、四列数据)5.3704.050.1BCII3.3806.030.2IIBC2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C334004.006.050.130.2BCII晶体管的电流放大作用:晶体管的电流放大作用:IB的微小变化可以的微小变化可以引起引起IC的较大变化的较大变化(第三列与第四列的电流增第三列与第四列的电流增量比量比)。实质实质:用一个微小电流的变化去控制一个用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化,是较大电流的变化,是电流控制电流的放大电流控制电流的放大器件。器件。电流放大倍数电流放大倍数2022年年7月月20日
15、日0:25电工电子学电工电子学C34小结:小结:在晶体管中,不仅在晶体管中,不仅I IC C比比I IB B大很多;当大很多;当I IB B有微小变化时还会引起有微小变化时还会引起I IC C的较大变的较大变化化晶体管放大的外部条件发射结必晶体管放大的外部条件发射结必须正向偏置,集电结必须反向偏置须正向偏置,集电结必须反向偏置晶体管是晶体管是电流控制电流的放大电流控制电流的放大器件器件2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C353 3、特性曲线特性曲线 三极管的伏安特性反映了三极管电极之间三极管的伏安特性反映了三极管电极之间电压和电流的关系。要正确使用三极管必须了电压和电流的关
16、系。要正确使用三极管必须了解其伏安特性。解其伏安特性。后一页后一页前一页前一页返回返回输入特性输入特性输出特性输出特性2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C36 实验线路实验线路输入回路输入回路输出回路输出回路EBICmA AVUCEUBERBIBECV共发射极电路共发射极电路 2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C37(1 1)输入特性输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1V常数常数 CEUBEBUfI)(特点特点:非线性非线性死区电压:死区电压:硅管硅管0.50.5V,锗管锗管0.20.2V。工作压降:工作压降:硅硅U UB
17、E BE 0.6 0.60.7V0.7V锗锗U UBE BE 0.2 0.20.30.3V2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C38(2 2)输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A当当U UCE CE 大于一大于一定的数值时,定的数值时,I IC C只与只与I IB B有关,有关,即即I IC C=I IB B。常数常数 BICECUfI)(此区域满足此区域满足IC=IB 称为称为线性区(线性区(放放大区大区),具),具有恒流特性。有恒流特性。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C39I
18、C(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A UCE UBE,集电结正集电结正偏,偏,IB IC,称为称为饱和饱和区区。此区此区域中域中IC受受UCE的影响的影响较大较大返回返回2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C40IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A 此区域中此区域中:IB=0,UBE 死死区电压,称为区电压,称为截截止区止区。为可靠截止,为可靠截止,常取发射结零偏常取发射结零偏压或反偏压。压或反偏压。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C41 输
19、出特性可划分为三个区,分别代表晶体输出特性可划分为三个区,分别代表晶体管的三种工作状态。管的三种工作状态。1 1)放大区放大区(线性区,具有恒流特性线性区,具有恒流特性)放大状态放大状态 I IC C=I IB B,发射结正偏、集电结反偏。,发射结正偏、集电结反偏。2 2)截止区(晶体管处于截止状态)开关断开)截止区(晶体管处于截止状态)开关断开 I IB B=0=0,I IC C 0 0,U UBEBE 死区电压死区电压 发射结反偏或零偏、集电结反偏。发射结反偏或零偏、集电结反偏。3 3)饱和区饱和区(管子处于饱和导通状态管子处于饱和导通状态)开关闭合开关闭合 IB IC,UCE UBE,发
20、射结正偏,发射结正偏,集电结正偏。集电结正偏。2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C42BICIBCE0BEU截止截止BCIIBI BCE放大放大0CEUCCCREIBI BCE饱和饱和0,0 BCBEUU0,0 BCBEUU0,0 BCBEUU2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C434 4、主要参数、主要参数 电流放大系数电流放大系数,集集-基极反向截止电流基极反向截止电流 I ICBOCBO 集集-射极反向截止电流射极反向截止电流 I ICEOCEO 集电极最大允许电流集电极最大允许电流 I ICMCM 集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压 U U(
21、BR)EOC(BR)EOC 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率P PCMCM2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C44直流电流放大系数:直流电流放大系数:BC_II 电流放大系数电流放大系数 和和_ 工作于动态的三极管,真正的信号是叠工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为为 I IB B,相应的集电极电流变化为,相应的集电极电流变化为 I IC C。BIIC 交流电流放大系数:交流电流放大系数:一般小功率三极管一般小功率三极管20020 _ 大功率三极管大功率三极管10010 2022年年7月
22、月20日日0:25电工电子学电工电子学C45 放大电路的功能:将微弱的电信号加以放大,在输出端输出一个与输入信号波形相同而幅值增大的信号。放大电路的性能指标:电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带、非线性失真等。第二节第二节 基本放大电路基本放大电路2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C46参考点参考点一、放大电路的组成及工作原理一、放大电路的组成及工作原理2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C47后一页后一页前一页前一页返回返回2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C482022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C49RB+U
23、CC2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C503.工作原理工作原理2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C51uBEtuitiBtiCtuCEtuotUBEIBICUCE?无输入信号时无输入信号时动态动态:加有输入信号时加有输入信号时 uCE=VCC iC RC 2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C521)静态时,三极管各电极都是恒定的电压和电)静态时,三极管各电极都是恒定的电压和电流流:IB、UBE和和 IC、UCE。(IB、UBE)和和(IC、UCE )分别对应于输入、分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点称为输出特性曲线上的一个点称为
24、静态工作点静态工作点。IBUBEQIBUBEICUCEQUCEIC后一页后一页前一页前一页返回返回2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C532)动态时,各电极电流和电压的大小均发生了)动态时,各电极电流和电压的大小均发生了 变化,都在直流量的基础上叠加了一个交流量。变化,都在直流量的基础上叠加了一个交流量。iCtiCtIC+iCtic集电极电流集电极电流直流分量直流分量交流分量交流分量静态分析静态分析动态分析动态分析2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C543)若参数选取得当,输出电压可比输入电压大,)若参数选取得当,输出电压可比输入电压大,即电路具有电压放
25、大作用。即电路具有电压放大作用。4)输出电压与输入电压在相位上相差)输出电压与输入电压在相位上相差180,即即 共发射极电路具有反相作用。共发射极电路具有反相作用。uituot2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C55二、放大电路的分析二、放大电路的分析 静态分析(确定静态工作点):估算法、图解法 动态分析(计算放大电路的性能指标):微变等效电路法、图解法2022年年7月月20日日0:25电工电子学电工电子学C561、静态分析(1)估算法求 步骤:1)画出直流通路 2)根据直流通路估算)根据直流通路估算 IB 3)估算)估算IC 4)根据直流通路)根据直流通路估算估算UCE2
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