真空镀膜技术基础张以忱课件.ppt
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- 真空镀膜 技术 基础 课件
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1、经作者授权,版权所有归东北大学真空与流体工程研究中心与原作者共有。未经本中心及原著者同意,任何人或任何单位不得私自拷贝、刻录、传播、转载本讲义,或用于商业用途。东北大学第八期真空技术培训班经作者授权,版权所有归东北大学真空与流体工程研究中心与原作者共有。未经本中心及原著者同意,任何人或任何单位不得私自拷贝、刻录、传播、转载本讲义,或用于商业用途。主讲人:张以忱主讲人:张以忱真空镀膜技术基础真空镀膜技术基础Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China真空技术真空技术o一.真空技术概况(巴
2、德纯)o二.真空工程理论基础(张世伟)o三.干式真空泵原理与技术基础(巴德纯)o四.真空系统组成与设计基础(刘坤)o五.真空获得设备原理与技术基础(张以忱)o六.真空测量技术基础(刘玉岱)o七.真空镀膜技术基础(张以忱)o八.质谱原理与真空检漏(刘玉岱)o九.真空冶金技术基础(王晓冬)o十.真空与低温技术及设备(徐成海)东北大学第八期东北大学第八期培训系列之培训系列之Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China主要内容主要内容o1.1.真空镀膜概论真空镀膜概论o2.2.真空蒸发镀膜真空
3、蒸发镀膜o3.3.真空溅射镀膜真空溅射镀膜o4.4.真空离子镀膜和离子束沉积真空离子镀膜和离子束沉积 技术技术Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China1.1.真空镀膜概论真空镀膜概论Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China1.1 1.1 真空镀膜技术真空镀膜技术o真空镀膜 在真空条件下利用某种方法,在固体表面上镀一层与基体材料不同的薄膜材料,也可以利用固体本身生成一层与
4、基体不同的薄膜材料,即真空镀膜技术。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China1.2 1.2 真空镀膜特点真空镀膜特点o在真空条件下镀膜,膜不易受污染,可获得纯度高、致密性好、厚度均匀的膜层。o膜材和基体材料有广泛的选择性,可以制备各种不同的功能性薄膜。o薄膜与基体附着强度好,膜层牢固。o对环境无污染。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China1.3 1.3 真空镀膜技术分
5、类真空镀膜技术分类o物理气相沉积(PVD)如:热蒸发沉积、溅射沉积、离子镀和分子束外延o化学气相沉积(CVD)如:热化学气相沉积、光化学气相沉积、等离子体化学气相沉积o物理-化学气相沉积(PCVD)Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China真空表面处理技术的分类真空表面处理技术的分类Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China各种干式镀膜技术的比各种干式镀膜技术的比较较Vac
6、uum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China1.4 1.4 真空镀膜的应用真空镀膜的应用 薄膜的应用非常广泛,它可以应用于电子、机械、光学、能源、轻工、食品、建筑、装饰等工业方面以及传感器、变换器等。此外,塑料表面金属薄膜以及金属表面的塑料薄膜广泛应用于日常生活各方面。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China薄膜的应用薄膜的应用Vacuum and Fluid Engineeri
7、ng Research Center of Northeastern University,China2.2.真空蒸发镀膜真空蒸发镀膜Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.1 2.1 真空蒸发镀膜原理真空蒸发镀膜原理o将膜材置于真空中,通过蒸发源对其加热使其蒸发,蒸发的原子或分子从蒸发源表面逸出。由于高真空气氛,真空室中气体分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸,故此蒸汽分子很少与其它分子相碰撞,以直线方式达到基片表面,通过物理吸附和化学吸附凝结在基片表面,形成薄膜。这就是真空
8、蒸发镀膜的基本原理。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China真空蒸发镀膜原理图真空蒸发镀膜原理图1.基本加热电源2.真空室3.基片架4.基片5.膜材6.蒸发舟7.加热电源8.抽气口9.真空密封10.挡板11.蒸汽流Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China蒸发镀膜成膜条件蒸发镀膜成膜条件o真空条件o蒸发条件o清洗条件 Vacuum and Fluid Engineerin
9、g Research Center of Northeastern University,Chinao真空条件 蒸镀室内真空度应高于10-2Pa 室内残余气体的分子到达基片表面上的几率900(简称HT-CVD)o中温化学气相沉积 沉积温度700900(简称MT-CVD)o等离子体增强化学气相沉积 沉积温度600(简称PECVD)o常压化学气相沉积(APCVD)Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.6高温化学气相沉积技术o2.6.1 HT-CVD硬质涂层的分类 o2.6.2 H
10、T-CVD的主要工艺参数o2.6.3HT-CVD对基体材料的要求o2.6.4HT-CVD技术一般工艺过程Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.6.1HT-CVD硬质涂层的分类 适合作硬质涂层的金属化合物种类很多,它们按化学键的特征,一般分为金属键、共价键、离子键三个类型。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.6.2HT-CVD的主要工艺参数o1)沉积温度o2
11、)反应室压力o3)各反应气体分压(配比)o4)涂层和基体界面Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.6.3HT-CVD对基体材料的要求o高温化学气相沉积工艺技术对硬质合金基体材料性能要求主要有以下几方面:o1)具有好的抗高温脱碳能力o2)具有高抗弯强度和韧性o3)具有高的热硬性和抗高温塑性变 形能力 Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.6.4HT-CVD技术
12、一般工艺过程o1)工件沉积前处理o2)装炉o3)检漏o4)加热升温o5)沉积o6)冷却o7)检查、包装Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.7中温化学气相沉积技术o2.7.1MT-CVD反应机理o2.7.2含C/N有机化合物的选用o2.7.3主要工艺参数的影响o2.7.4MT-CVD工艺过程及设备Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.7.1MT-CVD反应机
13、理o 所谓MT-CVD技术,是以含C-N原子团的有机化合物,如:CH3CN(乙腈)、(CH3)3N(三甲基胺)、CH3(NH)2CH3(甲基亚胺)、HCN(氢氰酸)等为主要反应原料气体,和TiCl4、H2、N2等气体在700900温度下,产生分解、化合反应,生成TiCN的一种新方法。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.7.2含C/N有机化合物的选用o在MT-CVD技术中,常用的几种含C/N有机化合物有:CH3CN(乙腈)、(CH3)3N(三甲基胺)、CH3(NH)2CH3(
14、甲基亚胺)、HCN(氢氰酸)。研究认为,这几种含C/N有机化合物都能在550以上与TiCl4、H2反应生成TiCN,但其中CH3CN在生成TiCN反应中产生的副产物少,对涂层性能有利,再加上其使用性能好、毒性相对小等优点,所以在MT-CVD技术中一般均采用CH3CN作为反应气体。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.7.3主要工艺参数的影响o1)沉积温度对沉积速率的影响o2)TiCl4/H2摩尔比对沉积速率的影响o3)沉积反应压力对沉积速率的影响o4)影响涂层成分的主要因素o
15、5)基体和界面对涂层质量的影响Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China2.7.4MT-CVD工艺过程及设备oMT-CVD技术所用设备系统,基本和HT-CVD技术是一样的,只是在设备系统中附加一套C-N有机化合物的蒸发、输送及流量、压力控制系统,即可满足MT-CVD技术要求。o中温化学气相沉积工艺过程除沉积工艺外,其他各工序都和HT-CVD工艺过程一样。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern Unive
16、rsity,ChinaMT-CVD技术沉积工艺参数o沉积温度:700900;o沉积反应压力:200020000Pa;o主要反应气体摩尔比:CH3CN/TiCl4/H2=0.01/0.02/1左右;o沉积时间:14h。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China第三章等离子体增强化学气相沉积技术o3.1 PECVD的定义及分类 o3.2 PECVD的工艺过程o3.3 PECVD的特点 o3.4射频等离子体化学气相沉积技术o3.5直流等离子体辅助化学气相沉积技术o3.6脉冲直流等离子体化学
17、气相沉积技术 o3.7激光化学气相沉积技术 o3.8金属有机化学气相沉积技术 o3.9微波等离子体化学气相沉积技术 o3.10分子束外延技术Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.1 PECVD的定义及分类o等离子体增强化学气相沉积技术(简称PECVD)采用气态物质源,工件接负高压电源。在等离子体电场中气体通过激发、离解、电离、离解电离、离解附着等过程变成为高能量的气体离子,分子离子、高能中性原子、自由基的高能粒子。在阴极工件表面反应沉积为金属硬质涂层化合物。Vacuum an
18、d Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,Chinao等离子体增强化学气相沉积技术种类很多,如直流PECVD、脉冲直流PECVD、金属有机化合物PECVD、射频PECVD、微波PECVD、弧光PECVD等。3.1 PECVD的定义及分类Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.2 PECVD的工艺过程1)安装工件。2)加热工件。3)抽真空。4)轰击净化或离子渗氮。5)按需要通入反应气体沉积硬质涂层
19、。6)沉积工序结束后,停止通入反应气体移开加热炉进行冷却,冷至100以下,即可打开沉积室取出涂层制品,经检查合格后,包装入库。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.3 PECVD的特点o1)与CVD技术相同,膜层元素来源于气态物质,设备结构简单。o2)与CVD技术相同,膜层的绕镀性好。o3)与CVD技术相同,膜层的成分可在很大程度上任意调控,容易获得多层膜。o4)与CVD技术相比,由于非平衡等离子体激活反应粒子代替传统的加热激活,它可使集体的沉积温度显著降低。o5)涂层沉积前
20、,可以对钢基体进行等离子渗氮,然后再进行涂层。这样渗氮和涂层在一炉同时完成,不仅简化了工艺、提高了生产效率,而且使涂层制品的性能有了更进一步的提高。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.4射频等离子体化学气相沉积技术o以射频(RF)辉光放电的方法产生等离子体的化学气相沉积装置,称为射频等离子体化学沉积(RF-PCVD).o一般射频放电有电感耦合和电容耦合两种。o为提高沉积薄膜的性能,在设备上,对等离子体施加直流偏压或外部磁场。o射频等离子体CVD可用于半导体器件工业化生产中S
21、iN和Si02薄膜的沉积。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China直流偏压式射频等离子体CVD装置Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China主要的工艺参数:o1)射频功率o2)气体流量o3)工作气压o4)温度Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.5直流等
22、离子体辅助化学气相沉积技术Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,ChinaVacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,Chinao上图是直流等离子辅助化学气相沉积装置(DC-PCVD)的示意图,和上面谈及的RF-PCVD装置相比,最大的不同是电源。由图可知,DC-PCVD主要包括炉体(反应室)、直流电源与电控系统、真空系统、气源与供气系统、净化排气系统。这个装置,适宜把金属卤化物或含有金属的
23、有机化合物经热分解后电离成金属离子和非金属离子,从而为渗金属提供金属离子源。o目前,DC-PCVD技术,基本上可实现批量应用生产,可以沉积超硬膜,如TiN、TiC、Ti(C,N)等超硬膜。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.6脉冲直流等离子体CVD技术Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,ChinaVacuum and Fluid Engineering Researc
24、h Center of Northeastern University,China主要工艺参数:o1)脉冲电压o2)脉冲频率o3)工作气压o4)气体配比o5)温度Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China3.7激光化学气相沉积技术o激光化学气相沉积是用激光诱导来促进化学气相沉积。它的沉积过程是激光光子与反应主体或衬底材料表面分子相互作用的过程,依据激光的作用机制,可分为激光热解沉积和激光光解沉积。o激光化学气相沉积装置,主要由激光器、导光聚焦系统、真空系统与送气系统和沉积反应室等部件
25、组成。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China激光CVD工艺的特点o和一般的CVD工艺特点相比,激光CVD工艺也有其独特的特点。如可局部加热选区沉积,膜层成分灵活,可形成高纯膜、多层膜,也可获得快速非平衡结构的膜层,沉积速率高,而且可低温沉积(基体温度200);还可方便地在工艺上实现表面改性的复合处理。Vacuum and Fluid Engineering Research Center of Northeastern University,China激光CVD工艺的应用:o激光
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