最新-电磁场与电磁波之静电场分析-PPT精品课件.ppt
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1、3.13.1 静静 电电 场场 分分 析析 SSDVdVdllE0d D0E1.基本方程基本方程 积分形式积分形式微分形式微分形式及及ED2.边界条件边界条件 两种电介质分界面两种电介质分界面21EE0)(21EEenSn)(21DDeSnnDD210S0)(21DDennnEE2211nnDD2121S理想介质表面理想介质表面1122121理想导体表面理想导体表面SnD102nEnnEE21(静电场是有源无旋场)(静电场是有源无旋场)对应静电场的基本方程对应静电场的基本方程 ,矢量,矢量 可以表示一个静电场。可以表示一个静电场。例例 已知已知 ,试判断它能否表示一个静电场?,试判断它能否表示
2、一个静电场?zyxzyxeeeA543zyxzyxAAAzyxeeeA0)()()(zxyyzxxyzyAxAxAzAzAyAeee0E解:根据静电场的旋度恒等于零的性质解:根据静电场的旋度恒等于零的性质A3.电位函数电位函数 )()(rrE 在静电场中可先通过求解电位函数,在静电场中可先通过求解电位函数,再利用上式可方便地求得电场强再利用上式可方便地求得电场强度度 ,式中负号表示电场强度的方向从高电位指向低电位。,式中负号表示电场强度的方向从高电位指向低电位。304)(rr rrrEqCqNiii1041)(rrr点电荷系点电荷系CdqV41)(rrr连续分布电荷连续分布电荷点电荷的电势:点
3、电荷的电势:31 rr rr rr)(4)(0rrrrEqCq4)(0rrr0E,根据矢量恒等式,知,根据矢量恒等式,知0l dSdVddqlS)(,)(,)(:rrr静电场静电场静电场的电位函数静电场的电位函数(Potential),简称,简称电位电位E静电场的电场强度矢量等于电位梯度的负值。静电场的电场强度矢量等于电位梯度的负值。当取不同的当取不同的 C 值时,可得到不同的等位线(面)。值时,可得到不同的等位线(面)。在静电场中电位相等的点的曲面称为等位面,即在静电场中电位相等的点的曲面称为等位面,即C)z,y,x(lrlrEdd)()()()()(QpdQpQprldE 线垂直于等位面,
4、且总是指向电位下降最快的方向。线垂直于等位面,且总是指向电位下降最快的方向。在直角坐标系中:在直角坐标系中:)()(zyxzyxeeerEE 物理意义物理意义lrdl)()(rdQ物理意义:把一个单位正电荷从点沿任意路径移动到点的过程中,物理意义:把一个单位正电荷从点沿任意路径移动到点的过程中,电场力所做的功。电场力所做的功。QP 设为电位参考点设为电位参考点QpdplE)(Q0)(Q 电荷分布在有限区域时,选择无穷远处为参考点;电荷分布在有限区域时,选择无穷远处为参考点;电荷分布在无穷远区时,选择有限远处为参考点。电荷分布在无穷远区时,选择有限远处为参考点。静电位的微分方程静电位的微分方程)
5、()(2rr静电位满足的标量静电位满足的标量泊松方程泊松方程ED常数)()()(rErErE)()(rr 002静电位满足的标量静电位满足的标量拉普拉斯方程拉普拉斯方程(在均匀、线性和各向同性的电介质中)(在均匀、线性和各向同性的电介质中))()(rrE)()(rrD分界面上不存在自由电荷,分界面上不存在自由电荷,静电位的边界条件静电位的边界条件 设点设点1与点与点2分别位于分界面的两侧,其电位分别为分别位于分界面的两侧,其电位分别为 和和 。12其间距其间距0l212121limlEd21又又Sn)(21DDe EDSnn22110Snn2211介质分界面两侧电位连续介质分界面两侧电位连续)
6、22(lim210lElEnnl0第二种媒质为导体,第二种媒质为导体,CSn0123332例例 列出求解区域的微分方程列出求解区域的微分方程022解解:分区域建立方程分区域建立方程例例 两块无限大接地导体平板分别置于两块无限大接地导体平板分别置于 和和 处,在两板之间的处,在两板之间的 处有一面密度为处有一面密度为 的均匀电荷分布,求两导体平板之间的电位和的均匀电荷分布,求两导体平板之间的电位和电场。电场。012)0(bx022边界条件边界条件通解通解111)(DxCx0S)()(21bb0012)()(Sbxxxxxax 0 xbx)(axb0 x0)0(1ax0)(2abx222)(DxC
7、x0S)(1x)(2xabOxy解得解得 0)(1001DabaCS002002bDabCSS电位:电位:xbaaxS)()(001电场强度(球坐标梯度公式):电场强度(球坐标梯度公式):abadxxdxxSxx00111)()()()(eeE 对于一维场(场量仅仅是一个坐标变量的函数),只要对二阶常系对于一维场(场量仅仅是一个坐标变量的函数),只要对二阶常系数微分方程积分两次,得到通解;然后利用边界条件求得积分常数,得数微分方程积分两次,得到通解;然后利用边界条件求得积分常数,得到电位的解;再由到电位的解;再由 得到电场强度得到电场强度 的分布。的分布。)()(rrE)(rE)0(bx)(a
8、xb)()(002xaabxSabdxxdxxSxx00222)()()(eeEpdplE)(21 静电位的边界条件静电位的边界条件Snn2211分界面上不存在自由电荷,分界面上不存在自由电荷,0Snn2211第二种媒质为导体,第二种媒质为导体,CSn 静电位的微分方程静电位的微分方程)()(2rr泊松方程泊松方程02拉普拉斯方程拉普拉斯方程 电位定义式电位定义式 )()(rrE 电位与电场强度的关系电位与电场强度的关系 4)(0rrrq点电荷的电位点电荷的电位0)(例例 计算均匀带电球面电场中的电势分布。球半径为计算均匀带电球面电场中的电势分布。球半径为R、总电量为、总电量为q。解:根据高斯
9、定理求出电场的分布解:根据高斯定理求出电场的分布r R2024rqEaprdEU设设U0rprdEU2rR时时RRrprdErdEU21rR时时RqUprR时时r1PR2Poqrqdrrqr442Rq044.导体系统的电容导体系统的电容电容器广泛应用于电子设备的电路中:电容器广泛应用于电子设备的电路中:在电子电路中,利用电容器来实现滤波、移相、隔直、旁路、选频在电子电路中,利用电容器来实现滤波、移相、隔直、旁路、选频等作用。等作用。通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂电路。通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂电路。在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以减
10、少电在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以减少电能的损失和提高电气设备的利用率。能的损失和提高电气设备的利用率。电容与电容器上所带电量无关,完全由电容器本身的几何形状、电容与电容器上所带电量无关,完全由电容器本身的几何形状、尺寸及周围电介质的特性参数决定。尺寸及周围电介质的特性参数决定。由物理学得知,平板电容器正极板上携带的电量由物理学得知,平板电容器正极板上携带的电量 q 与极板间的与极板间的电位差电位差 U 的比值是一个常数,此常数称为平板电容器的的比值是一个常数,此常数称为平板电容器的电容电容,即电,即电容为容为 UqC 电容的单位电容的单位F(法拉)太大。例如半径大如地球的
11、孤立导体的(法拉)太大。例如半径大如地球的孤立导体的电容只有电容只有 F。实际中,通常取。实际中,通常取F(微法)及(微法)及pF(皮法)(皮法)作为电容单位。作为电容单位。310708.0F10pF 1 F,10F1126电容的计算思路:电容的计算思路:设设 UQCdUQlEE 例例 试求球形电容器的电容。试求球形电容器的电容。解:设内导体的电荷为解:设内导体的电荷为 ,则,则qqdSSDrrrqrqeEeD2024,4ababq)ba(qEdrUba004114同心导体间的电压同心导体间的电压ababUqC04球形电容器的电容球形电容器的电容aC04当当 时,时,b(孤立导体球的电容)(孤
12、立导体球的电容)双导体的电容双导体的电容 传输线:纵向尺寸远大于横向尺寸。平行板线、平行双线、同轴线传输线:纵向尺寸远大于横向尺寸。平行板线、平行双线、同轴线可作为平行平面电场(二维场)来研究,只需计算传输线单位长度电容。可作为平行平面电场(二维场)来研究,只需计算传输线单位长度电容。计算步骤如下:计算步骤如下:根据导体的几何形状,选取合适的坐标系;根据导体的几何形状,选取合适的坐标系;假定两导体上分别带电荷假定两导体上分别带电荷 和和 ;根据假定的电荷求出根据假定的电荷求出 ;由由 求得电位差;求得电位差;求出比值求出比值 。qqE21lEdUqC 例例平行双线传输线,导线半径为平行双线传输
13、线,导线半径为a,轴距为,轴距为D。D a)(22xDxllxeEaaDdxxUlaDaxln)(eErlr2eEmFaDaaDUCll/)/ln(/)ln(设两导线单位长度带电量分别为设两导线单位长度带电量分别为 和和 。l l 例例 已知同轴线的内导体半径为已知同轴线的内导体半径为 a,外导体的内半径为,外导体的内半径为b,内外导体之间,内外导体之间填充介质的介电常数为填充介质的介电常数为 。试求单位长度内外导体之间的电容。试求单位长度内外导体之间的电容。解解 由于电场强度一定垂直于导体表面,由于电场强度一定垂直于导体表面,因此,同轴线中电场强度方向一定沿径向因此,同轴线中电场强度方向一定
14、沿径向方向。又因结构对称,可以应用高斯定律。方向。又因结构对称,可以应用高斯定律。ab 设内导体单位长度内的电量为设内导体单位长度内的电量为q q,围,围绕内导体作一个圆柱面作为高斯面绕内导体作一个圆柱面作为高斯面S S,则,则Sq dSErqr2eE那么内外导体之间的电位差那么内外导体之间的电位差 U 为为 baabqrEU ln2d因此同轴线单位长度内的电容为因此同轴线单位长度内的电容为 abUqCln2ab同轴线同轴线 多导体系统中,每个导体的电位不仅与导体本身电荷有关,还多导体系统中,每个导体的电位不仅与导体本身电荷有关,还与其他导体上的电荷有关,因为周围导体上电荷的存在必然影响周与其
15、他导体上的电荷有关,因为周围导体上电荷的存在必然影响周围空间静电场的分布,而空间的电场是由它们共同产生的。围空间静电场的分布,而空间的电场是由它们共同产生的。q1q3qnq2nnnjnnjnnnnnniinjiijiiiiinnkjnnhjCCCCqCCCCqCCCCqCCCCq)()()()()()()()()()()()(2211141222222212212111121121111 此时,各个导体上的电荷与导体间的电位差的关系为此时,各个导体上的电荷与导体间的电位差的关系为式中式中Cii 称为第称为第 i 个导体的个导体的固有部分电容固有部分电容;Cij 称为第称为第 i 个导体与第个导
16、体与第j 个导体之间的个导体之间的互有部分电容互有部分电容。部分电容部分电容 1 12 212C22C11C大地大地大地上空的平行双导线大地上空的平行双导线12 在多导体系统中,把其中任意两个在多导体系统中,把其中任意两个导体作为电容器的两个电极,设在这两导体作为电容器的两个电极,设在这两个电极间加上电压个电极间加上电压U U,极板上所带电荷,极板上所带电荷分别为分别为 ,则比值,则比值 称为这两个称为这两个导体间的等效电容。导体间的等效电容。q/q U 由由 个导体构成的系统共有个导体构成的系统共有 个部分电容。个部分电容。1N2)1(NN5.电场能量电场能量 已知在静电场的作用下,带有正电
17、荷的带电体会沿电场方向发生已知在静电场的作用下,带有正电荷的带电体会沿电场方向发生运动,这就意味着电场力作了运动,这就意味着电场力作了功功。静电场为了对外作功必须消耗自身。静电场为了对外作功必须消耗自身的能量,可见的能量,可见静电场静电场是是具有能量具有能量的。的。首先根据外力作功与静电场能量之间的关系计算电量为首先根据外力作功与静电场能量之间的关系计算电量为 Q 的孤立的孤立带电体的能量。带电体的能量。如果静止带电体在外力作用下由无限远处移入静电场中,外力必如果静止带电体在外力作用下由无限远处移入静电场中,外力必须反抗电场力作功,这部分功将转变为静电场的能量储藏在静电场中,须反抗电场力作功,
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