模拟电子电路及技术基础(第二版-(11)课件.ppt
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- 模拟 电子电路 技术 基础 第二 11 课件
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1、第十一章模拟集成电路设计新技术第十一章模拟集成电路设计第十一章模拟集成电路设计新技术新技术11.1 模拟集成电路设计模拟集成电路设计电流模法电流模法11.2电流反馈型集成运算放大器电流反馈型集成运算放大器11.3开关电容网络开关电容网络11.4开关电流开关电流数字工艺的模拟集成技术数字工艺的模拟集成技术11.5跨导运算放大器跨导运算放大器(OTA)及其应用及其应用11.6在系统可编程模拟器件在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台举例原理及其软件平台举例第十一章模拟集成电路设计新技术11.1 模拟集成电路设计模拟集成电路设计电流模法电流模法 11.1.1 电流模法的特点及原理电流模
2、法的特点及原理 传统电路都是以电压作为输入、输出和信息传输的参量,我们称之为“电压模”或“电压型”电路。由于极间电容和分布电容的客观存在,此类电路的工作速度不可能很高,工作电压及功耗也不可能很低。第十一章模拟集成电路设计新技术 所谓“电流模”电路是以电流作为输入、输出以及信息传输的主要参数的,电路中除晶体管的结电压uBE有微小变化外,无别的电压参量,因此其工作速度很高(SR2000V/s),而电源电压很低(可低至3.3V或1.5V),而且具有动态范围宽、非线性失真小、温度稳定性好、抗干扰和噪声能力强等优点。电流模技术与互补双极工艺(CB工艺)相结合,已成为当今宽带高速模拟集成电路设计的支柱技术
3、。第十一章模拟集成电路设计新技术 1.跨导线性原理跨导线性原理 双极型晶体管的电流iC和发射结电压uBE互为因果关系,即 SCTBEUuSCIiUueIiTBEln(11.1.1)(11.1.2)其跨导gm为TCTUuSBECmUIUeIdudigTBE(11.1.3)第十一章模拟集成电路设计新技术 2.跨导线性环跨导线性环(TL)原理原理 有n个正向偏置的发射结uBE构成一个闭合环路(如图11.1.1所示,n为偶数)。其中顺时针(CW)uBE数等于逆时针(CCW)uBE数,即 2/12/12/12/12/12/1)()()ln()ln()()(njCCWSjCjnjCWSjCjCCWSjCj
4、njTCWSjCnjTCCWnjBEjCWnjBEjIIIIIIUIIUuu(11.1.4)(11.1.5)(11.1.6)第十一章模拟集成电路设计新技术uBE1uBE3uBE4uBE2IbIdIaIc图11.1.1 简化的跨导线性环原理图第十一章模拟集成电路设计新技术 因为反向饱和电流ISj等于发射区面积Aj与饱和电流密度JSj的乘积:CCWnjCjCWnjCjCCWnjjCjCWnjjCjSjjSjIIAIAIJAI)()()()(2/12/12/12/1(11.1.7)(11.1.8)(11.1.99)得到一个最简洁的关系式:第十一章模拟集成电路设计新技术 从此,跨导线性环原理可描述为:
5、在一个由偶数个(n)正向偏置结构成的闭合环路中,若顺时针结数等于逆时针结数,则顺时针方向的电流密度之积等于逆时针方向的电流密度之积。式(11.1.8)可改写为CCWCjCWCjCCWjCWjCjCCWjCWCjCWjIIAAIAIA11(11.1.10)(11.1.11)(11.1.12)第十一章模拟集成电路设计新技术 11.1.2 跨导线性环跨导线性环电流模电路举例电流模电路举例 1.互补跟随输出级互补跟随输出级 互补跟随输出级电路如图11.1.2所示。由图可见,V1、V2、V3和V4组成一个跨导线性环。设各管发射区面积相等,即A1=A2=A3=A4,则有BCCCCBIiiiiI21212可
6、见,静态工作电流等于偏置电流IB。若负载电流iL0,则 CLCCiii12(11.1.13)(11.1.14)若负载电流iL=0,则第十一章模拟集成电路设计新技术 图11.1.2 互补跟随输出级 第十一章模拟集成电路设计新技术LBCLBCBLBLCBLBLCiIiiIiIiIiiIiIii2121 1)2(21 1)2(211221212122如果负载电流|iL|IB时,则iC1=0 (11.1.17a)iC2=iL (11.1.17b)或相反:0,21CLCiii可见,此时V1、V2管分别工作在乙类状态。2.矢量差电路矢量差电路 电路如图11.1.3所示。这里有两个跨导线性环。环1:V1、V
7、2、V4、V5,且有 第十一章模拟集成电路设计新技术2)()()(422)()(223122322154xyCCxyCxyCyCCCWCCWCWCCWCCCWCCIIiiIIiIIiIiiieeeeIiiii其中面积比系数为环2:V2、V3,且有(11.1.18)(11.1.19)(11.1.20)(11.1.21)(11.1.22a)得 第十一章模拟集成电路设计新技术 图11.1.3矢量差电路第十一章模拟集成电路设计新技术2222212231442yxWyxCCWyxCxCxCIIIIIiiIIIIIIIi而根据环1,有 所以,输出电流与输入电流的关系为(11.1.22b)(11.1.23)
8、实现了矢量差的运算。第十一章模拟集成电路设计新技术 3.吉尔伯特吉尔伯特(Gilbert)电流增益单元及多级电流放大器电流增益单元及多级电流放大器 电路如图11.1.4所示。其中输入差模电流为 XIIXIXiid2)1()1(11.1.24)X是一个由输入信号控制的系数。该电路存在一个跨导线性环,由V1、V2、V3、V4组成。现在我们来计算输出差模电流iod。设各管发射区面积相同,=1,根据TL环原理,有第十一章模拟集成电路设计新技术图11.1.4 吉尔伯特电流增益单元第十一章模拟集成电路设计新技术)(1()(1()1()1(2)1()1(1422311212123124ECCECCECECE
9、CCCCCCCCIIXiiiIIXiiiIXiIXiIiiIXiiIXiiii(11.1.25)(11.1.26)(11.1.27)(11.1.28a)(11.1.28b)(11.1.29a)(11.1.29b)且得第十一章模拟集成电路设计新技术故输出差模电流iod为IIiiAIIXiiiEidodidEod1)(221那么,电流增益Aid为(11.1.30)(11.1.31)一般Aid可作到110左右。图11.1.5给出吉尔伯特电流增益单元的级联电路。该电路总的电流增益Aid为IIIIIIAEknkEEid 12111(11.1.32)而且,两级偏置电压仅差一个UBE。第十一章模拟集成电路设
10、计新技术图11.1.5吉尔伯特电流增益单元级联第十一章模拟集成电路设计新技术11.2 电流反馈型集成运算放大器电流反馈型集成运算放大器 电流反馈型集成运算放大器又称电流模运算放大器(CurrentModeOperationalAmplifier)。该放大器具有高速、宽带特性,压摆率SR10005000V/s,带宽可达100MHz1GHz;而且,在一定条件下,具有与闭环增益无关的近似恒定带宽。由于其优越的宽带特性,在视频处理系统、同轴电缆驱动放大器等领域得到广泛应用。第十一章模拟集成电路设计新技术11.2.1 电流模集成运算放大器的基本特性电流模集成运算放大器的基本特性电流模运算放大器的基本框图
11、如图11.2.1所示。图11.2.1 电流模集成运放框图第十一章模拟集成电路设计新技术由图可见,同相输入端经一缓冲级到反相输入端,其中Ri表示缓冲级输出电阻。由此得出,电流模运放与电压模运放不同,其同相输入端是高阻输入,而反相输入端则是低阻输入。缓冲级之后接一互阻增益级,将输入电流变换为输出电压。图中RT表示低频互阻增益(一般可达M数量级),CT为等效电容(主要是相位补偿电容C1,15pF左右)。输出端又接一个缓冲级,故最后的输出电阻很小。电流模运放可以看成一个流控电压源,其互阻增益Ar(s)的表达式如下:第十一章模拟集成电路设计新技术)1()()()()()(1)()()(TTiTiioio
12、uTTTiorCsRRRRsIsUsUsUsACsRRsIsUsA若用开环差模电压增益表示,则(11.2.1)(11.2.2)第十一章模拟集成电路设计新技术11.2.2电流模运放的典型电路电流模运放的典型电路电流模运算放大器的典型电路如图11.2.2所示。图11.2.2电流模运放的典型电路第十一章模拟集成电路设计新技术图中,V1、V2接成有源负载跟随器,所以同相输入端为高阻。而反相输入端接V3、V4的射极,为低阻。V1V4组成输入缓冲级。而且可以看出,V1V4组成了跨导线性环。CM1和CM2表示两个电流镜,它们将iC3、iC4映射到i1和i2,并在Z点相加。V5、V6组成输出缓冲级。V7、V8
13、组成互补跟随输出级,以保证输出电阻很小,增强带负载能力。第十一章模拟集成电路设计新技术11.2.3电流模运放的闭环特性电流模运放的闭环特性电流模运放的闭环低频增益同电压模运放。如图11.2.3所示,同相输入时的闭环电压增益等于TTTiTifTfTifTffuffufCRRRRRRRRRsRRRRRRRRsARRA)(11)(111110(11.2.3)(11.2.4)经推导,该电路的高频响应为 第十一章模拟集成电路设计新技术图11.2.3电流模运放的闭环特性第十一章模拟集成电路设计新技术 通常RT约为几M,Ri约为1060,所以可以满足RT Rf,RT Ri,故式(11.2.4)可近似为TfH
14、TfufufTiuffufufCRfCsRAsACRARsAsA211)(1)(000当(Auf0Ri)Rf时,则闭环带宽(11.2.5)(11.2.6)(11.2.7)第十一章模拟集成电路设计新技术该式表明,当低频增益Auf0不太大时,电流模运放的闭环带宽与闭环增益无关,而取决于反馈电阻Rf与补偿电容CT的乘积。这是与电压模运放截然不同的特性。电压模运放增加带宽必然牺牲增益,增益带宽积为常数;而电流模运放的增益带宽积随着增益增大而有所提高,其条件是(Auf0Ri)f信号频率。图11.3.5(a)是一个多功能的二阶RC状态变量滤波器,A1构成有耗积分器,A2组成理想积分器,第三级(A3)组成反
15、相比例放大器(Auf3=1)。用开关电容网络实现的相应电路如图11.3.5(b)所示,利用第一级组成差分有耗积分器,可以省去A3的反相器。第十一章模拟集成电路设计新技术图11.3.5 开关电容滤波器(a)RC状态变量滤波器;(b)相应的开关电容网络实现第十一章模拟集成电路设计新技术11.4开关电流开关电流数字工艺的模拟集成技术数字工艺的模拟集成技术开关电流(Switched Currents)是一种新的模拟采样数据处理技术,也是“电流域”信号处理技术的一个重要内容。在开关电容网络中电容参与运算,而且要求有线性浮地电容,这是非标准工艺,占用硅片面积大,与数字工艺不兼容,用VLSI实现困难。开关电
16、容网络的工作速度受MOS运放和电容电荷转移的限制,一般工作频率仅限于几十kHz音频范围。第十一章模拟集成电路设计新技术比起开关电容网络,开关电流技术具有许多潜在优点,它不需要专门作电容、无浮地电容,完全用标准的数字CMOS工艺实现,工艺简单、工作速度快、动态范围大。下面简要介绍开关电流网络的原理及电路。第十一章模拟集成电路设计新技术11.4.1开关电流镜开关电流镜(Switched Current Mirror)1.不带开关的电流镜不带开关的电流镜如图11.4.1所示,这是一个不带开关的MOS电流镜。其中A1、Am为各管相对V0管的宽长比,相当于电流加权系数。该电路为高阻输出,可实现加、减、反
17、相、比例(定标)、放大、衰减、存储等功能。第十一章模拟集成电路设计新技术图11.4.1不带开关的电流镜第十一章模拟集成电路设计新技术我们知道,在MOS管结构参数相同的情况下,场效应管的电流与宽长比W/L成正比,即iniDomDmmmmDDmiJiiiJiiJAiALWLWii13210000)(式中:(11.4.1)(11.4.2)(11.4.3)第十一章模拟集成电路设计新技术故niimDmmDmmoiAiAJAiJAi10(11.4.4)2.开关电流镜开关电流镜开关电流镜,又称动态电流镜,如图11.4.2所示。其中,f2为两相时钟驱动。第十一章模拟集成电路设计新技术图11.4.2开关电流镜第
18、十一章模拟集成电路设计新技术 此时Cgs0被充电,其电压为维持iD0所需的Ugs0。而当 时,2为高,1为低,Ugs1=Ugs0,iD1=AiD0。实际上这种状态会继续维持到下一个周期,所以 当1为高,t=(n1)Tc时:JTniTnicicD)1()1(0(11.4.5)1()()1()()()(011cicocDcDcDcoTnAinTiTnAinTinTiAJnTi(11.4.6)(11.4.7)(11.4.8)cTnt)21(而故第十一章模拟集成电路设计新技术 这就是说,在带开关的电流镜中,下一个时刻的输出电流等于前一个时刻的输入电流乘以加权系数A。所以,人们又称开关电流镜为“电流复制
19、器”或“电流存贮器”或“电流延迟单元”。实际上,输入电流的1开关往往不加,输出电流表达式也是相同的。第十一章模拟集成电路设计新技术11.4.2开关电流积分器举例开关电流积分器举例第一代同相开关电流积分器如图11.4.3所示。由图可见,V1、V2构成开关电流镜,V2、V3构成另一个开关电流镜,V3、V4、V5构成不带开关的电流镜,if为反馈电流。第十一章模拟集成电路设计新技术图11.4.3同相型开关电流积分器第十一章模拟集成电路设计新技术offfooiABiBAiiiAJiiiiAJiii343344首先,找出反馈电流if与输出电流的关系式。由于所以(11.4.9)(11.4.10)(11.4.
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