电子线路(第六版)-第10章-半导体存储器与可编程逻辑器件简介课件.pptx
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- 电子线路 第六 10 半导体 存储器 可编程 逻辑 器件 简介 课件
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1、第第10章章 半导体存储器与可编程半导体存储器与可编程逻辑器件简介逻辑器件简介10.1 只读存储器10.1.1 固定只读存储器(ROM)ROM 的基本的基本结构结构 由存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三部分组成。存储单元:用二极管、双极型晶体管或者MOS管构成;地址译码器:将输入的地址代码译成相应的控制信号;输出缓冲器:提高负载能力;输出三态控制;输出标准逻辑电平。ROM的工作的工作原理原理(2位地址、4位输出的ROM电路为例)地址地址数据数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111111A0A1:地址码W0W3:字线D0D3:位线(数据线)例:当W0=1、W1W3=
2、0时,位线D0、D2为高电平,而D1、D3为低电平,在输出端可得到D0D3=0101。4个三态门构成输出端缓冲器10.1.2 可编程ROM固定ROM存储数据无法更改,而可编程ROM设计人员可以根据需要重新写入数据。存储矩阵可以采用带金属熔丝的二极管、叠栅输入MOS管(Stacked-gate Injection MOS,SIMOS管)、Flotox MOS管(Floating-gate Tuned Oxide MOS,Flotox MOS管)和快闪(Flash)叠栅MOS管等,制成各种可编程ROM。PROM一次可编程存储器,存储阵列由带金属熔丝的二极管构成。PROM只能改写一次。EPROM光可
3、擦除可编程存储器,存储矩阵由SIMOS管构成。外壳装有透明的石英盖板,用紫外线或X射线照射1520分钟,便可擦除其全部内容。E2PROM电可擦除可编程存储器,由Flotox MOS管构成。既具ROM的非易失性,又具有写入功能。电擦除过程(在线擦除,即不需要将芯片从电路系统中取出,可重复擦写1万次以上),改写以字节为单位进行。与EPROM相比,E2PROM的存储单元电路复杂,所以集成度低。10.2 随机存储器(RAM)10.2.1 静态存储器(SRAM)SRAM 的结构的结构由存储矩阵、地址译码器和读写控制电路(也称输入输出电路)三部分组成。当读写控制信号 R/W=1时,执行读操作;当R/W=0
4、时,执行写操作。设有片选输入端 CS。当CS =0时RAM为正常工作状态;当CS =1时输入输出端均为高阻态。SRAM 的的存储单元存储单元由锁存器构成,靠锁存器的自保功能存储数据。虚线框中为六管SRAM存储单元;Xi为行译码器的输出,Yj为列译码器的输出,T5、T6为本单元控制门。T7、T8为一列存储单元公用的控制门。读/写操作条件:行、列选择线均须呈高电平。数据由锁存器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。10.2.2 动态存储器(DRAM)DRAM存储单元及读存储单元及读/写操作写操作原理原理由一个MOS管和一个容量较小的电容器构成,结构简单。利用电容器的电荷存储效应来存储数据,C充有电荷
5、、呈现高电压,存有1值,反之为0值。T1为开关,行选线为高时,T1导通,C与位线连通,反之则断开。必须定期给电容补充电荷,以免存储数据丢失,这种操作称为刷新或再生。10.2.3 存储容量的扩展 位位扩展扩展由利用芯片的并联方式实现位扩展。RAM的地址线、读写控制线和片选信号并联在一起,各个芯片的数据输入/输出端作为字的各个位线。4个4K4位RAM芯片扩展成4K16位的存储系统。字字扩展扩展通过外加译码器控制存储芯片的片选信号来实现。4个8K8位的RAM芯片扩展为32K8位的存储器系统。地址线A14、A13与译码器的输入相连,译码器的输出Y0Y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。输入一个地
6、址码(A14A0)时,只有一片RAM被选中,从而实现了字扩展。10.3 可编程逻辑器件的分类和逻辑表示方法10.3.1 概述l 通过使用PLD,可将复杂的逻辑集成在一块芯片上;l 通过使用可擦写PLD,能够很容易的修改逻辑电路;l 借助程序进行辅助设计,使得电路开发时间更短。CPLD:Complex Programable Logid Device FPGA:Field Programable Gate Array PROM:Programable Read-Only Memory PAL:Programable Array Logic PLA:Programable Logic Array
7、GAL:General Array Logic10.3.2 可编程逻辑器件的逻辑表示方式两交叉线处的“”表示“接通”,在熔丝工艺PLD中表示熔丝未被熔断,在CMOS工艺PLD中表示一个基本单元(一对MOS管)处于导通状态。两交叉处的圆点表示硬线连接,不可编程。两交叉线处无符号,表示“断开”,对于熔丝被烧断或一个基本开关单元处于截止状态。10.4 简单可编程逻辑器件简单的可编程逻辑器件(Simple PLD,SPLD)的基本结构为与-或阵列。PROM:与阵列结构固定不变、或阵列可编程;PLA:与阵列、或阵列均可编程的;PAL、GAL:与阵列可编程、或阵列固定。PLA从结构上分为掩模式PLA(MP
8、LA)和现场编程式PLA(FPLA)。FPLA又分为两种。u 结破坏式FPLA:与阵列的行线和列线交叉处集成1个基极开放的晶体管,处于非导通状态,编程时在交叉点处加上高电压,由于雪崩迁移,基极开放晶体管变成了1个导通二极管。u 熔丝式FPLA:行线和列线交叉处有实体熔丝,用熔断熔丝的方式进行编程。10.4.2 可编程阵列逻辑(PAL)与门阵列可编程,或门阵列固定由于大多数逻辑函数可简化为与-或表达式,PAL对于大多数逻辑函数来说是有效的。PAL在与门、或门的基础上,增加了多种输出及反馈电路,便构成了各种型号的PAL器件,其结构也分为专用输出结构、异步I/O输出结构、寄存器输出结构、算术选通反馈
9、结构等。PAL器件也是通过烧断熔丝达到编程的。10.4.3 通用阵列逻辑器件(GAL)结构上继承了PAL器件的“与-或结构”,形成了一种新型的“输出逻辑宏单元”结构形式。工艺上开拓了能长期保持数据的E2MOS技术,使GAL器件具有可擦除、可重新编程、可重新组合结构的特点,而且在数秒内即可完成芯片的擦除和编程过程。OLMC中包括了或门阵列和可编程的输出逻辑,后者可以选择数据输出的方向。OLMC中含有触发器,既可用作组合型逻辑,又可用作寄存器型逻辑。GAL16V8:一个3264位的可编程与逻辑阵列;8个OLMC;10个输入缓冲器;8个三态输出缓冲器;8个反馈、输入缓冲器。OLMC结构图10.5复杂
10、可编程逻辑器件和现场可编程门阵列10.5.1 复杂可编程逻辑器件(CPLD)由可编程逻辑块、输入/输出块和可编程内部互连线资源三部分组成。逻辑阵列块(Logic Array Block,LAB)是由许多PAL/GAL阵列组成的SPLD;逻辑阵列块间通过使用可编程互连阵列(Programmable Interconnect Array,PLA)相互连接。每个LAB(逻辑阵列块)中,可包含许多个宏单元;宏单元包括可编程的与门阵列,乘积项选择矩阵或门以及一个可编程的寄存器部件。10.5.2 现场可编程门阵列(FPGA)FPGA由独立的逻辑模块组成,每个逻辑模块均可编程,构成较小规模的组合和时序电路;
11、模块间的相互连接也可编程,并由此构成较大规模的数字系统。FPGA采用静态随机存储器保存编程数据,一旦断电系统编程数据将丢失,故每次上电正常工作前都重新装载编程数据,并需要配备相应的EPROM保存编程数据。FPGA实现逻辑函数的实现逻辑函数的基本原理基本原理查找表(Look-Up Table,LUT)是FPGA实现逻辑函数的基本逻辑单元一个两输入LUT,有两个输入端(A、B)和一个输出端(L),它能够实现两变量的任意组合逻辑函数。BAL000011101110当变量数超过了一个LUT的输入数时,可将多个LUT级联以满足更多变量数的要求。例如由4个LUT和若干个二选一数据选择器实现6变量任意逻辑函
12、数,该电路实际上将4个161位的LUT扩展成为641位的LUT。F、E相当于6位地址的最高2位。高位地址高位地址F高位地址高位地址E输出输出Z00选通LUT(I)01选通LUT(II)10选通LUT(III)11选通LUT(IV)FPGA的结构的结构FPGA至少包含三种基本资源:可编程逻辑块、可编程连线资源和可编程I/O模块。u FPGA中的逻辑块排列成二维阵列;u 连线资源包括纵向和横向连线 以及可编程开关(互连开关);u I/O块是芯片外部引脚数据与 外部数据进行数据交换的接口 电路。u 此之,现在的FPGA还包含嵌入 式块RAM、底层嵌入功能单元 和内嵌专用硬核模块。1)可编程可编程逻辑
13、逻辑块块除了包含LUT外,还附加了触发器和一些可编程选择器和必要的逻辑门。其作用类似于GAL或CPLD中的宏单元。当逻辑电路规模较大时,可以级联扩展多个逻辑块来实现。2)I/O块块每个I/O单元对应一个封装引脚,通过对I/O单元编程,可将引脚分别定义为输入、输出和双向功能。为增强灵活性,通常将I/O单元进行分组,每组共用一个V_cco和V_REF,不同组可以接不同的V_cco和V_REF。3)可编程可编程连线资源连线资源处于和逻辑块相邻开关用来连接逻辑块和相邻逻辑块之间、逻辑块和连线之间的连接;处在逻辑块对角线位置上的开关则用于实现内部各连线之间的连接;与I/O块相邻的开关可实现I/O块和逻辑
14、块、I/O块和内部连线之间的连接。纵横交叉互连开关通过编程,可以决定纵、横连线是否连通;路互连开关通过编程,可以 互联上、下、左、右任意方向,非常灵活。4)嵌入式块嵌入式块RAM可被配置为单端口RAM、双端口RAM、内容地址存储器(CAM)以及FIFO等常用存储结构。除了块RAM,还可将FPGA中的LUT灵活地配置成RAM、ROM和FIFO等结构。5)底层内嵌功能单元底层内嵌功能单元主要指DLL(Delay Locked Loop)、PLL(Phase Locked Loop)、DSP和CPU等软处理核(Soft Core)。内嵌功能单元,使得单片FPGA成为系统级设计工具,具备了软硬件联合设
15、计的能力,逐步向SOC平台过渡。6)内嵌专用硬核内嵌专用硬核硬核(Hard Core)等效于ASIC电路。为提高速度,主流的FPGA中都集成了专用乘法器;为适用通信总线与接口标准,很多高端FPGA都集成了串并收发器(SERDES),可达到数十Gbps的收发速度。目前在很多高性能FPGA产品中,已经集成了数字信号处理器、甚至CPU等非常复杂的模块,使FPGA在数字系统中几乎无所不能。10.6 硬件描述语言简介硬件描述语言(hardware description language,HDL)是一种形式化方法来描述数字电路和系统的语言。通过对电路结构或功能行为的描述,可在不同的抽象层次对电路进行逐层
16、描述,用一系列分层次的模块来表示极其复杂的数字电路系统。硬件描述语言的发展至今已有30余年的历史,已成功地应用于电子电路设计的各个阶段:建模、仿真、验证和综合等。自20世纪80年代以来,出现了由各个公司自行开发和使用的多种硬件描述语言。最终,VHDL和Verilog HDL语言适应了发展的要求,先后成为IEEE标准。随着系统级FPGA以及系统芯片的出现,软硬件协调设计和系统设计变得越来越重要。传统意义上的硬件设计越来越倾向于与系统设计和软件设计相结合。为适应新的情况,硬件描述语言也在迅速发展,不断出现新的硬件描述语言,如Superlog、System C、Cynlib C+。10.6.1 Ve
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