第三章压电式传感器1课件.ppt
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- 第三 压电 传感器 课件
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1、何为压电传感器?压电式传感器是一种能量转换型传感器。它既可以将机械能转换为电能,又可以将电能转化为机械能。压电式传感器是以具有压电效应的压电器件为核心组成的传感器。各种压电传感器3.1 3.1 压电效应及材料压电效应及材料3.1.1 3.1.1 压电效应压电效应 压电效应(piezoelectric effect)是指某些介质在施加外力造成本体变形而产生带电状态或施加电场而产生变形的双向物理现象,是正压电效应和逆压电效应的总称,一般习惯上压电效应压电效应指正压电效应。当某些电介质沿一定方向受外力作用而变形时,在其一定的两个表面上产生异号电荷,当外力去掉后,又恢复到不带电的状态,这种现象称为正压
2、电效应正压电效应(positive piezodielectric effect)。其中电荷大小与外力大小成正比,极性取决于变形是压缩还是伸长,比例系数为压电常数,它与形变方向有关,固定材料的确定方向为常量。它属于将机械能转化为电能的一种效应.当在电介质的极化方向施加电场,某些电介质在一定方向上将产生机械变形或机械应力,当外电场撤去后,变形或应力也随之消失,这种物理现象称为逆压电效应逆压电效应(reverse piezodielectric effect),其应变的大小与电场强度的大小成正比,方向随电场方向变化而变化。它属于将电能转化为机械能的一种效应。1880-1881年,雅克(Jacque
3、s)和皮埃尔居里(Piere Curie)发现了这两种效应。图3-1为压电效应示意图。(a)正压电效应;(b)压电效应的可逆性 图3-1压电效应由物理学知,一些离子型晶体的电介质(如石英、酒石酸钾钠、钛酸钡等)不仅在电场力作用下,而且在机械力作用下,都会产生极化现象。为了对压电材料的压电效应进行描述,表明材料的电学量(D、E)力学量(T、S)行为之间的量的关系,建立了压电方程。正压电效应中,外力与因极化作用而在材料表面存储的电荷量成正比。即:(3.1)DdTdT或式3.1中D、电位移矢量、电荷密度,单位面积的电荷量,C/m2;T应力,单位面积作用的应力,N/m2;d正压电系数,C/N。逆压电效
4、应中,外电场作用下的材料应变与电场强度成正比。即:(3.2)式3.2中S应变,应变,微应变;E外加电场强度,V/m;逆压电系数,C/N。当外加应力下表面面积不变时,d=d。Sd E压电材料是绝缘材料。把压电材料置于两金属极板之间,构成一种带介质的平行板电容器,金属极板收集正压电效应产生的电荷。由物理学知,平行板电容器中 (3.3)式中 压电材料的相对介电常数;真空介电常数=8.85pF/m。那么可以计算出平行板电容器模型中正压电效应产生的电压(3.4)式3.4中h平行板电容器极板间距。人们常用 表示压电电压系数。0rDE 0rdVE hT h 0/()rgd 例如,压电材料钛酸铅 d=44pC
5、/N,=600。取T=1000N,h=1cm,则V=828V。当在该平行板电容器模型加1kV电压时,S=4.4。具有压电性的电介质(称压电材料),能实现机电能量的相互转换。压电材料是各项异性的,即不同方向的压电系数不同,常用矩阵向量d d表示,63维。进而有电位移矩阵向量D D,13维;应力矩阵向量T T,16维;应变矩阵向量S S,16维;电场强度矩阵向量E E,13维。用向量形式对压电材料和压电效应,在空间上进行统一描述。实际上对于具体压电材料压电系数中的元素多数为零或对称,人们可以在压电效应最大的主方向上,“一维”地进行压电传感器设计。在三维直角坐标系内的力一电作用状况如图3-2 所示。
6、图中:T1、T2、T3分别为沿x、y、z向的正应力分量(压应力为负);T4、T5、T6分别为绕x、y、z轴的切应力分量(顺时钟方向为负);1、2、3分别为在x、y、z面上的电荷密度(或电位移D)。式3.5为正压电方程的向量矩阵表示,式3.6为逆压电方程的向量矩阵表示。压电方程是全压电效应的数学描述。它反映了压电介质的力学行为与电学行为之间相互作用(即机电转换)的规律。121111213141516322122232425264331323334353656TTDddddddTDddddddTDddddddTT (3.5)(3.6)11121312122232131323332414243435
7、1525356162636SdddSdddESdddESdddESdddSddd压电方程组也表明存在极化方向(电位差方向)与外力方向不平行的情况。正压电效应中,如果所生成的电位差方向与压力或拉力方向一致,即为纵向压电效纵向压电效应应(longitudinal piezoelectric effect)。正压电效应中,如所生成的电位差方向与压力或拉力方向垂直时,即为横向压电效应横向压电效应(transverse piezoelectric effect)。在正压电效应中,如果在一定的方向上施加的是切应力,而在某方向上会生成电位差,则称为切向压电效应切向压电效应(tangential piezoe
8、lectric effect)。逆压电效应也有类似情况。3.1.2 3.1.2 压电材料压电材料迄今已出现的压电材料可分为三大类:一是压电晶体(单晶),它包括压电石英晶体和其他压电单晶;二是压电陶瓷(多晶半导瓷);三是新型压电材料,其中有压电半导体和有机高分子压电材料两种。在传感器技术中,目前国内外普遍应用的是压电单晶中的石英晶体和压电多晶中的钛酸钡与钛酸铅系列压电陶瓷。择要介绍如下:压电晶体压电晶体由晶体学可知,无对称中心的晶体,通常具有压电性。具有压电性的单晶体统称为压电晶体。石英晶体(图3-3)是最典型而常用的压电晶体。石英晶体俗称水晶,有天然和人工之分。目前传感器中使用的均是以居里点为
9、573,晶体的结构为六角晶系的石英。其外形如图3-3所示,呈六角棱柱体。密斯诺(Mcissner.A)所提出的石英晶体模型,如图3-4所示,硅离子和氧离子配置在六棱柱的晶格上,图中较大的圆表示硅离子,较小的圆相当于氧离子。硅离子按螺旋线的方向排列,螺旋线的旋转方向取决于所采用的是光学右旋石英,还是左旋石英。图中所示为左旋石英晶体(它与右旋石英晶体的结构成镜象对称,压电效应极性相反)。硅离子2比硅离子1的位置较深,而硅离子3又比硅离子2的位置较深。在讨论晶体机电特性时,采用xyz右手直角坐标较方便,并统一规定:x轴称之为电轴,它穿过六棱柱的棱线,在垂直于此轴的面上压电效应最强;y轴垂直m面,称之
10、为机轴,在电场的作用下,沿该轴方向的机械变形最明显;z轴称之为光轴,也叫中性轴,光线沿该轴通过石英晶体时,无折射,沿z轴方向上没有压电效应。石英晶体钛酸钡毛坯和晶体压电石英的主要性能特点是:(1)压电常数小,其时间和温度稳定性极好,常温下几乎不变,在20200范围内其温度变化率仅为0.016/;(2)机械强度和品质因素高,许用应力高达(6.89.8)107Pa,且刚度大,固有频率高,动态特性好;(3)居里点573,无热释电性,且绝缘性、重复性均好。天然石英的上述性能尤佳。因此,它们常用于精度和稳定性要求高的场合和制作标准传感器。为了直观地了解其压电效应,将一个单元中构成石英晶体的硅离子和氧离子
11、,在垂直于Z轴的XY平面上投影,等效为图3-5(a)中的正六边形排列。图中“(+)”代表Si4+,“(-)”代表O2-。当石英晶体未受外力时,正、负离子(即Si4+和O2-)正好分布在正六边形的顶角上,形成三个大小相等、互成120夹角的电偶极矩P1、P2和P3,如图3-5(a)所示。P=ql,q为电荷量,l为正、负电荷之间的距离。电偶极矩方向为负电荷指向正电荷。此时,正、负电荷中心重合,电偶极矩的矢量和等于零,即P1+P2+P3=0。这时晶体表面不产生电荷,整体上说它呈电中性。当石英晶体受到沿X方向的压力FX作用时,将产生压缩变形,正、负离子的相对位置随之变动,正、负电荷中心不再重合,如图3-
12、5(b)所示。电偶极矩在X方向的分量为(P1+P2+P3)X0,在X轴的正方向的晶体表面上出现正电荷。而在Y轴和Z轴方向的分量均为零,即(P1+P2+P3)Y=0,(P1+P2+P3)Z=0,在垂直于Y轴和Z轴的晶体表面上不出现电荷。这种沿X轴施加压力FX,而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象,称为“纵向压电效应纵向压电效应”。当石英晶体受到沿Y轴方向的压力FY作用时,晶体如图3-5(c)所示变形。电偶极矩在X轴方向上的分量(P1+P2+P3)X1,即测量回路时间常数一定,而被测量频率愈高(实际只要3,则回路的输出电压灵敏度就愈接近理想情况。这表明,压电器件的高频响应特性好。(2)低频特性 当C
13、(一般取 ACf10C即可),则有(3.24)上式表明,电荷放大器输出电压与输入电荷及反馈电容有关。只要Cf恒定,就可实现回路输出电压与输人电荷成正比,相位差 180。(3.25)输出灵敏度只与反馈电容有关,而与电缆电容无关。根据式(3.25),电荷放大器的灵敏度调节可采用切换Cf的办法,通常Cf10010000pF。在Cf的两端并联Rf10101014,可以提高直流负反馈,以减小零漂,提高工作稳定性。/ofUQ C 1/ufKC 电荷放大器的具体线路见图3-15。图中包括电荷放大部分和电压放大部分。在低频测量时,第一级放大器,即电荷放大器,的闪烁噪声(1/f噪声)就突出出来。电荷放大器的输入
14、噪声Vni与经同相放大计算后的输出噪声Vno可按下式计算(3.26)电荷放大器输出端信噪比RSN为(3.27)1nonifCVVC1fSNffQCQRCCCC由(3.27)可知,提高信噪比的有效措施是减小反馈电容Cf。但是电荷放大器的低频下限受RfCf乘积的影响,过大的Rf工艺上难于实现。对电荷放大器设计时,要充分重视构成电荷放大器的运算放大器。它们应有低的偏置输入电压、低的偏流以及低的失调漂移等性能。工艺上,因为即使很小的漏电电流进入电荷放大器也会产生误差,所以,输入部分要用聚四氟乙烯支架等绝缘子进行特殊绝缘。2 2高、低频限高、低频限 电荷放大器的高频上限主要取决于压电器件的Ca和电缆的C
15、c与Rc:(3.28)由于Ca、Cc、Rc通常都很小,因此高频上限fH可高达180kHz。电荷放大器的低频下限,由于A相当大,通常(1A)CfC,Rf/(1A)Rf,因此只取决于反馈回路参数Rf、Cf:(3.29)它与电缆电容无关。由于运算放大器的时间常数RfCf可做得很大,因此电荷放大器的低频下限fL可低达10-110-4Hz(准静态)。12()HcacfR CC12LfffR C3.2.2.3 3.2.2.3 谐振电路谐振电路1 1工作原理工作原理压电谐振器的工作是以压电效应为基础的,利用压电效应可将电极的输入电压转换成振子中的机械应力(反压电效应),反之在机械应力的作用下,振子发生变形在
16、电极上产生输出电荷(正压电效应)。压电变换器的可逆性使我们把它视为二端网络(见图3-17),从这两端既可输入电激励信号产生机械振动,又可取出与振幅成正比的电信号。在其输入端加频率为交变电压,把电极回路中电流看为特征量,那么谐振器可以用与频率有关的复阻抗Z=U/I表示。接近谐振频率时,Z|值最小,通过谐振器的电流最大。对具体的压电谐振器来说,由于压电效应,只有在某些机械振动固有频率上才可以被电激励。偏离谐振频率时,激励电极回路中的电流变小,它基本上由极间电容所确定。当激励电压的频率接近于压电谐振器的某一谐振频率,时,机械振动的振幅加大,并且在该频率上达到最大值。电极上的电荷也按比例地增加,电荷Q
17、的极性随输入信号的频率而改变因此流过压电元件的是正比于机械振动动幅值的交变电流。(3.30)001oiUKKUK为了产生不间断的等幅振荡闭环系统必须满足如下两个条件:(1)相位条件:当开环系统的传输系数为实数时,也就是放大器和谐振器的总相移等于或整数倍于2时,闭环回路中发生自激振荡。在这种情况下,放大器在自振频率下实现正反馈。(2)幅值条件:振动频率满足关系:01K电路举例电路举例图3-18为电容三点式压电体振荡电路,由场效应晶体管和结型晶体管构成,电容C可在10500pF范围内调整。图3-19所示电路由TTL反相器构成。图3-20所示电路将压电体的驱动与检测电极分开,电极有公共接地点,便于屏
18、蔽。该电路适用于声表面波压电传感器。3.3 3.3 压电式传感器及其应用压电式传感器及其应用广义地讲,凡是利用压电材料各种物理效应构成的种类繁多的传感器,都可称为压电式传感器。迄今它们在工业、军事和民用各个方面均已付诸应用。3.3.1 3.3.1 压电式加速度传感器压电式加速度传感器 3.3.1.13.3.1.1 结构类型结构类型 目前压电加速度传感器的结构型式主要有压缩型、剪切型和复合型三种。这里介绍前两种。1 1压缩型压缩型 图3-22所示为常用的压缩型压电加速度传感器结构;压电元件取用。d11和d33形式。图3-22(a)正装中心压缩式的结构特点是,质量块和弹性元件通过中心螺栓固紧在基座
19、上形成独立的体系,以与易受非振动环境干扰的壳体分开,具有灵敏度高、性能稳定,频响好,工作可靠等优点。但基座的机械和热应变仍有影响。为此,设计出改进型如图3-22(b)所示的隔离基座压缩式,和图3-22(c)的倒装中心压缩式。图3-22(d)是一种双筒双屏蔽新颖结构,它除外壳起屏蔽作用外,内预紧套筒也起内屏蔽作用。由于预紧筒横向刚度大,大大提高了传感器的综合刚度和横向抗干扰能力,改善了特性。这种结构还在基座上设有应力槽,可起到隔离基座机械和热应变干扰的作用,不失为一种采取综合抗干扰措施的好设计,但工艺较复杂。2 2剪切型剪切型表3-2 压缩型与剪切型压电加速度传感器性能比较由表3-2所列压电元件
20、的基本变形方式可知,剪切压电效应以压电陶瓷为佳,理论上不受横向应变等干扰和无热释电输出(见表3-2)。因此剪切型压电传感器多采用极化压电陶瓷作为压电转换元件。图3-23示出了几种典型的剪切型压电加速度传感器结构。图3-23(a)为中空圆柱形结构。其中柱状压电陶瓷可取两种极化方案,如图3-23(b):一是取轴向极化,d24为剪切压电效应,电荷从内外表面引出;一是取经向极化,d15为剪切压电效应,电荷从上下端面引出。剪切型结构简单、轻小,灵敏度高。存在的问题是压电元件作用面(结合面)需通过粘结(d24方案需用导电胶粘结),装配困难,且不耐高温和大载荷。图3-23(c)为扁环形结构。它除上述中空圆柱
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