光电传感器应用技术第8章-第1节课件.ppt

1、 势阱中电荷的存储容量：Q=COXUG (8-1)8.28.2电荷耦合电荷耦合 8.3 CCD8.3 CCD的电极结构的电极结构 1.1.三相单层铝电极结构三相单层铝电极结构 2.2.三相电阻海结构三相电阻海结构 光学系统光学系统CCD23.三相交叠硅栅结构三相交叠硅栅结构4.二相硅-铝交叠栅结构 5.阶梯状氧化物结构阶梯状氧化物结构 被测物被测物光学系统光学系统2CCD2光学系统光学系统1重叠部分重叠部分v6.6.四相四相CCDCCD 7.7.体沟道体沟道CCD CCD 8.4 8.4 电荷的注入和检测电荷的注入和检测 v8.4.18.4.1光注入光注入Qin=qNeoAtc式中：为材料的量

2、子效率；q为电子电荷量；Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。8.4.2 8.4.2 电注入电注入 (1)电流注入法电流注入法 (2)电压注入法电压注入法 如图8-16（a）所示为电流注入法结构如图8-16（b）所示为电压注入法结构2thiginoxg2UUUCLWIs2thiginoxg2UUUCLWQs(8-3)(8-4)8.4.28.4.2电荷的检测电荷的检测(输出方式输出方式)输出电流输出电流I Id d与注入到二极管中的电荷量与注入到二极管中的电荷量Q QS S的关系的关系 Q Qs s=I Id dd dt t (8-5(8-5)8.5 CCD8.5 CCD的特性参数的特性参数8.5.1 8.5.1 电荷转移效率电荷转移效率和电荷转移损失率和电荷转移损失率)0()(1)0()()0(QtQQtQQ)0()(QtQ电荷转移效率为 电荷转移损失率为 电荷转移效率与损失率的关系为 1