半导体芯片制造技术-晶圆制备课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《半导体芯片制造技术-晶圆制备课件.ppt》由用户(三亚风情)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体 芯片 制造 技术 制备 课件
- 资源描述:
-
1、 晶棒还要经过一系列加工才能形成符合半导体芯片制造要求的半导体衬底,即晶圆,如图4-1所示。图4-1 晶圆 第一节晶圆制备工艺一、截断图4-2截断 二、直径滚磨 由于晶体生长中直径和圆度的控制不可能很精确,所以硅棒都要长得稍大一点以进行径向研磨。图4.3直径研磨图4-4定位面研磨 图4-5 硅片的类型标志 四、切片 单晶硅在切片时,硅片的厚度,晶向,翘曲度和平行度是关键参数,需要严格控制。晶片切片的要求是:厚度符合要求;平整度和弯曲度要小,无缺损,无裂缝,刀痕浅。单晶硅切成硅片,通常采用内圆切片机或线切片机。图4-6内圆切片机外形 图4-7 内圆切片示意图 另一种切片方法是线切片,通过粘有金刚
2、石颗粒的金属丝的运动来达到切片的目的,如图4-8所示。图4-8 线切片示意图 五、磨片 切片完成以后,对于硅片表面要进行研磨机械加工。磨片工艺要达到如下的目的:去除硅片表面的刀疤,使硅片表面加工损伤均匀一致;调节硅片厚度,使片与片之间厚度差逐渐缩小;并提高表面平整度和平行度。磨片的效果与研磨料、研磨条件、研磨方法和研磨设备密切相关。图4-9 磨片前后比较 目前使用得最普遍的是行星式磨片法,如图4-10所示。图4-10 行星式磨片法 六、倒角 倒角工艺,如图4-11所示,是用具有特定形状的砂轮磨去硅片边缘锋利的崩边、棱角、裂缝等。图4-11 倒角示意图 对硅片倒角可使硅片边缘获得平滑的半径周线,
3、如图4-12所示,这一步可以在磨片之前或之后进行。图4-12 倒角后的硅片边缘 倒角目的主要有三个:1)防止晶圆边缘碎裂 2)防止热应力的集中 3)增加外延层光刻胶层在晶圆边缘的平坦度七、抛光 抛光是硅片表面的最后一次重要加工工序,也是最精细的表面加工。抛光的目的是除去表面细微的损伤层,得到高平整度的光滑表面。图4-13 抛光前后对比(一)抛光工艺概述抛光工艺可以分为三类:1机械抛光法2化学抛光法3化学机械抛光法图4-14 抛光机的结构(二)抛光工艺后的表面粗糙度测量 抛光后需要用原子显微镜对晶圆表面粗糙度进行相应测量,说明表面粗糙度的参数有以下几个:1TTV(Total Thickness
4、Variation)2TIR(Total Indicator Reading)3FPD(Focal Plan Deviation)第二节 晶圆清洗、质量检测及包装二、晶圆质量检测 对硅片测量来说,硅片的均匀性是关键的。重要的硅片质量要求如下所示:1.物理尺寸 为了达到芯片生产中器件制造的要求,以及适合硅片制造厂自动传送设备的要求,硅片必须规定物理尺寸。在硅片的制备中,尺寸控制包括许多测量,例如直径、厚度、晶向位置和尺寸、定位边和硅片形变。图4-18表示了一种硅片变形。造成硅片变形最可能的原因是切片工艺。图4-18 硅片变形 2.平整度 平整度是硅片最主要的参数之一,主要是因为光刻工艺对局部位置
展开阅读全文