RENA-inoxide-培训(共37张).pptx
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1、RENA inoxide 培训2011-02-28RENA Inoxide 大致构造“一化一水”,硅片每经过一次化学品,都会经过一次水喷淋清洗。除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。(风刀主要是将液体吹回槽体,防止液位降低造成报警)除刻蚀槽外,其它化学槽和水槽都是喷淋结构,去PSG氢氟酸槽是喷淋结构,而且片子进入到溶液内部。最后一道水喷淋(第三道水喷淋)由于要将所有化学品全部洗掉,所以水压最大。相应的,最后的吹干风刀气压最大。(只是相对而言)上片刻蚀槽H2SO4/HNO3/HF水喷淋碱洗槽NaOH水喷淋去PSG槽HF水喷淋下片吹干风刀RENA刻蚀的机理 RENA是通过化学反
2、应来进行硅的刻蚀的,其反应体系很复杂。以下是其中的几个反应方程式:Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H25Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2RENA刻蚀的机理链的触发链的触发 硝酸将硅氧化成二氧化硅,生成二氧化氮或一氧化氮Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O(慢反应)Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O(慢反应)链的扩展链的扩展 二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚硝酸,亚硝酸很快
3、地将硅氧化成二氧化硅2NO2+H2O=HNO2+HNO3(快反应)Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O(快反应)(第一步的主反应)(第一步的主反应)4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反应变成亚硝酸,只要少量的一氧化氮生成,就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸,亚硝酸会很快的将硅氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与硝酸、水反应。造成硅的快速氧化,硝酸则最终被还原成氮氧化物。最终硅片背面(与刻蚀溶液接触)被氧化最终硅片背面(与刻蚀溶液接触)被氧化 RENA刻蚀的机理RENA刻蚀的机理 亚硝酸本身并不是特别稳定,它会慢慢分解,在时刻时停的小批量生产时,
4、溶液中的亚硝酸浓度的平衡点不会超过一定的限度,刻蚀溶液会一直保持无色。大批量生产时,亚硝酸浓度平衡点会有所上升,亚硝酸浓度的略微增加,会导致有一个有趣的现象溶液颜色变成淡绿色和绿色。只要刻蚀正常,溶液颜色变绿不会对片子效率产生任何影响。刻蚀不合格片时可能会将一些杂质引入刻蚀溶液,污染刻蚀溶液,但这与变绿无关。RENA刻蚀的机理溶液变绿 根据刻蚀机理可以看出,随着刻蚀的进行,硝酸和氢氟酸被消耗,必须要补充这两种酸,否则刻蚀速率会急剧下降,乃至最后不反应,那么就牵涉到一个问题:该怎么补?该补多少?(现在一般是300-400pcs补加一次,补充量也很小,HON3大约为0.25L左右,HF量稍微小些,
5、0.2L左右,具体可根据减薄量来优化)RENA刻蚀工艺的关键刻蚀槽补液硫酸能否对刻蚀速率产生影响?硫酸能否对刻蚀速率产生影响?能!硫酸提高了氢离子浓度,能加快刻蚀反应的反应速率。硫酸能调整铺展过宽导致的过刻吗?硫酸能调整铺展过宽导致的过刻吗?只有在某些情况下可以。此时刻蚀速率较低,加硫酸以后,必须加大刻蚀槽带速,(当然前提是保证刻蚀深度),才有可能有所改善,否则很有可能铺展变小,但过刻反倒变得更严重了,加硫酸也是很冒险的,硫酸加的多,可能导致溶液密度大,硅片发飘,造成碎片;黏度大,片子不沾液,TRASH率飙升。调节配比调节温度 和反应物浓度一样,温度对化学反应速率的影响也很大,刻蚀反应也不例外
6、。在工艺未凋整期间,刻蚀溶液温度一般定为8摄氏度(刻蚀槽内的刻蚀溶液,不是储备槽)。在稳定刻蚀的时候,偏差一般在正负0.5度以内。偏差一般不允许超过正负1度。温度可以作为刻蚀速率的调节手段,但是这是最后的手段。由于温度较高的情况下,刻蚀溶液在刻蚀槽时会不稳定,所以一般不宜长时间超过10度,当前我们的补液能保证刻蚀速率不下降,所以我们无需调高刻蚀溶液的温度。制备新的刻蚀溶液:先加水,再加硝酸和氢氟酸,最后加入硫酸,硫酸加入会放出大量的热,所以硫酸一般是一次加入几升,加入几升硫酸后溶液温度会很高,所以必须等制冷系统将溶液温度降到一定温度以后才能再加入几升,加入硫酸-制冷降温-加入硫酸-制冷降温循环
7、往复,直到硫酸量达到设定值(80L)。这一过程由RENA机硬件系统自行完成。硫酸的加入很费时间,这也是刻蚀溶液换液至少需要4-5个小时的主要原因。最后的一点硫酸加入后,并且刻蚀溶液温度冷却至8度即告换液完成,可开始刻蚀。初配液配比:一般体积为300L(原料是浓度为68%硝酸;浓度为49%氢氟酸;去离子水和浓度为98.3%硫酸)调节初配液1.RENA机设备上的带速极限是1.5M/min(长时间运转)2.初配液可能会刻蚀速率极高(达0.9um/min以上),以至于即使带速达到极限,刻蚀深度依然达到1.2-1.4um(不论是SE还是HP)3.去了PSG的片子,由于不存在正面铺展,刻蚀深度就是达到2u
8、m也不会对效率有什么影响(试验结果),所以此时可以投HP的片子,同时带速依然保持最大,减少硅的溶解,以延长后期溶液的寿命。生产一段时间后,很快溶液变绿,刻蚀速率经过一段时间后降至正常。4.万一出现极端情况,生产了很长一段时间。腐蚀深度依旧降不下来,可以将补液关掉,不补液,待刻蚀速率降至正常后,再恢复补液,并正常的投片。5.当然初配液最主要的可能性是一切正常。调节初配液碱洗槽的作用碱洗槽在刻蚀槽、第一道水喷淋之后。作用在于利用喷淋,中和并冲掉硅片背面(和刻蚀溶液接触的那一面)和边缘沾附的酸。由于NaOH吸收空气中的二氧化碳,生成碳酸钠析出,造成结晶堵碱。温度低或长时间不用时,结晶堵碱会很严重。需
9、要设备人员定期保养清理管道,否则经常发生液位低的报警,如果在生产过程中出现,可以手动添加药液,比例为KOH/NAOH:DI-Water=1:10碱洗槽和去PSG氢氟酸槽也需要补液,但工艺容差极大,补液周期为1小时,分12次补加,也就是大约5分钟补加一次碱洗槽和去PSG氢氟酸槽中的溶液均是240小时寿命,到寿命必须更换。每次更换时,注意冲洗碱槽内的结晶体,也可以清洗槽体后再添加药液碱洗槽和去PSG氢氟酸槽刻蚀线 刻蚀线一般是淡淡的一条黑线,而有时在边缘会有很显眼的很黑很黑的线或黑区,这些东西就不是刻蚀线了,而是没有洗干净的酸,此时需要在碱槽手动补碱来解决。如果多次出现这种情况,必须检查碱洗槽是否
10、堵碱。另外,对于没有去PSG的SE片子在极端情况下的初配液可能会出现焦黑痕。除了初配液的极高刻蚀速率大刻蚀深度情况可能导致焦黑痕以外,其它情况下刻蚀后SE硅片边缘的任何黑线都不是焦黑痕。刻蚀线PPV材料的疲劳构成RENA Inoxide 机器的主要材料是PPV聚四氟乙烯材料。没有十全十美的材料:PPV材料抗化学腐蚀能力极强;但力学性能一般。长期使用下的材料疲劳、磨损、形变会导致一些设备故障。1.刻蚀槽:RENA机需要保持极精密的刻蚀槽尺寸和各部件的相对位置位置。PPV材料的磨损和形变会导致正确的尺寸、位置被破坏。导致刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液(过刻)。2.轴承座:PPV材料的磨损会导致轴承座夹
11、不住轴,出现滚轴爬起,导致碎片、刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液(过刻)3.滚轴断裂:PPV材料疲劳引起,导致歪片、划痕。4.胶圈老化:导致划痕。1.带速太高、某些材料疲劳导致的滚轴、轴承、挡板变形,第三道水喷淋水压大、吹干风刀气压大,碎片残留在道上没及时掉下去等等。2.对于某些差片子,可能还要下掉一些上滚轴。3.从吹干硅片角度讲,吹干风刀气压越大越好;从降低碎片的角度讲,吹干风刀气压越小越好,所以要恰到好处。但对于力学性能极差的片子,将没有任何气压调节窗口,即:不是吹不干就是碎片。4.对于力学性能差的片子,不得不牺牲产能(降低上片区/第三区带速)来降低碎片。碎 片制冷机跳闸与故障碱喷淋后的吹液风刀
12、堵孔:导致碱液被带出,频繁出现碱槽液位过低的报警。带速规范:1.刻蚀槽带速第三区带速上片区带速+0.1m/min2.刻蚀槽带速1.2m/min3.相邻两区的带速差0.3m/min4.在没有工艺调整的正常刻蚀的情况下,刻蚀槽带速保持不变产能受上片区、刻蚀槽、第三区这三个区域中最慢的带速上片区带速制约。其它异常情况及排查过程异常情况及排查过程 腐蚀量异常处理及排查腐蚀量异常处理及排查 可能是由于测量错误或刻蚀液浓度异常造成的。1.多次测量,确保测量数值的准确性;2.查看自动补液、温度、带速的设定是否正常;3.若腐蚀量偏小,建议首先考虑降低刻蚀槽带速,其次是手动往刻蚀槽加些硝酸和氢氟酸(体积比为2:
13、1),最后考虑提升刻蚀槽温度(效果不明显,一般不建议改动);4.若腐蚀量偏大,建议首先考虑提高刻蚀槽带速,其次是暂时将自动补液量降低或者停止,待腐蚀深度正常后再将参数改回,最后考虑降低刻蚀槽温度(建议不低于6度)。异常情况及排查过程异常情况及排查过程RENA刻蚀后硅片表面色斑色差的分析、处理刻蚀后硅片表面色斑色差的分析、处理可确定造成这一异常的原因是碱槽故障,主要有以下原因1.碱槽喷淋压力不够,致使碱液不能喷到硅片上,碱洗不充分;2.碱槽液位过低,碱循环停止,硅片没有得到碱洗;3.碱槽溶液浓度过低。这些原因的解决方案:首先查看碱槽喷淋压力,若压力小找设备人员调整碱槽流量,增大碱槽喷淋压力;其次
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