光电发射器件课件.ppt
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- 光电 发射 器件 课件
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1、第第4 4章章 光电发射器件光电发射器件光电发射器件(真空光电器件)是基于光电发射器件(真空光电器件)是基于外光电效应外光电效应的的器件。器件。外光电效应(光电发射效应)外光电效应(光电发射效应):当物质中的电子吸:当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应。的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应。光电发射效应中光电能量转换的基本关系为光电发射效应中光电能量转换的基本关系为:2012thhmvE真空光电器件光电管被半导体器件取代光电倍增管特点:灵敏度高、稳定性好、响应
2、速度快和噪声小在探测微弱光信号及快速脉冲光信号方面应用很在探测微弱光信号及快速脉冲光信号方面应用很多。多。缺点:结构复杂,工作电压高,体积大本章内容本章内容4.1 4.1 光电阴极光电阴极4.2 4.2 光电管和光电倍增管结构原理光电管和光电倍增管结构原理4.3 4.3 光电倍增管的主要特性参数光电倍增管的主要特性参数4.4 4.4 光电倍增管的工作电路光电倍增管的工作电路光电发射阴极的主要作用是吸收光子能量发射光光电发射阴极的主要作用是吸收光子能量发射光电子,是我们光电效应发生的区域。电子,是我们光电效应发生的区域。常将半导体发射材料涂于玻壳常将半导体发射材料涂于玻壳内壁,构成内壁,构成光电
3、阴极;光电阴极;而而阳极阳极是金属环或者金属网,是金属环或者金属网,在其对面。在其对面。4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 光电阴极光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能是完成光电转换的重要部件,其性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能!好坏直接影响整个光电发射器件的性能!(1 1)光谱灵敏度光谱灵敏度 在单一波长辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电流在单一波长辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电流I Ik k与单与单色辐射通量色辐射通量e,e,之比为光电阴极的之比为光电阴极的光谱灵敏度光谱灵敏度S Se,e,。即。即 其量纲为其量纲为A/WA/W或或A/WA/W。光电发射阴极的灵敏度
4、包括光电发射阴极的灵敏度包括光谱灵敏度光谱灵敏度与与积分灵敏度积分灵敏度两类。两类。1 1、灵敏度、灵敏度一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 e,ke,IS 在某波长范围内的辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电在某波长范围内的辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电流流I Ik k与入射辐射通量与入射辐射通量e e之比为光电阴极的之比为光电阴极的积分灵敏度积分灵敏度S Se e。(2 2)积分灵敏度积分灵敏度 1 1、灵敏度、灵敏度一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极
5、量纲为量纲为mA/WmA/W或或A/WA/W。0e,kedIS (2 2)积分灵敏度积分灵敏度 1 1、灵敏度、灵敏度一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 在可见光波长范围内的在可见光波长范围内的“白光白光”作用于光电阴极时,光电阴极作用于光电阴极时,光电阴极电流电流I Ik k与入射光通量与入射光通量v v之比为光电阴极的之比为光电阴极的白光灵敏度白光灵敏度S Sv v。即。即k780v,380dvIS量纲为量纲为mA/lmmA/lm。2 2、量子效率、量子效率一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1
6、4.1 光电发射阴极光电发射阴极 一定波长的光子入射到光电阴极时,该光电阴极单位时间发一定波长的光子入射到光电阴极时,该光电阴极单位时间发射出去的光电子数射出去的光电子数N Ne,e,与入射的光子数与入射的光子数N Np,p,之比为光电阴极的之比为光电阴极的量子效率量子效率(或称量子产额)。(或称量子产额)。p,e,NN 量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。e,e,e,k1240qhc/q/SShI3 3、光谱响应、光谱响应一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 1240(
7、)LththhcnmEE 真空光电器件中长波灵敏度极限,主要由光电阴极材料的长真空光电器件中长波灵敏度极限,主要由光电阴极材料的长波限决定:波限决定:光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐射波长的关系曲光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐射波长的关系曲线称为光谱响应曲线。线称为光谱响应曲线。4 4、暗电流、暗电流一、光电发射阴极的主要特性参数一、光电发射阴极的主要特性参数4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下获得了热光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下获得了热能产生热电子发射,形成暗电流。光电发射阴极的暗电流与材料能产生热电子发射,形成
8、暗电流。光电发射阴极的暗电流与材料的光电发射阈值有关。一般光电发射阴极的暗电流极低,其强度的光电发射阈值有关。一般光电发射阴极的暗电流极低,其强度相当于相当于1010-16-161010-18-18A/cmA/cm-2-2的电流密度。的电流密度。1 1、单碱或多碱锑化物光电阴极、单碱或多碱锑化物光电阴极二、光电发射阴极材料二、光电发射阴极材料4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,形成具金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,形成具有稳定光电发射的发射物有稳定光电发射的发射物LiSbLiSb、KSbKSb、RbSbRbSb、CsSbCsSb
9、,其中,以,其中,以CsSbCsSb阴极的阴极的灵敏度最高,是最具有实用价值的光电发射材料灵敏度最高,是最具有实用价值的光电发射材料。(1 1)单碱锑化物单碱锑化物 锑化铯阴极在锑化铯阴极在可见光的短波长和近紫外区可见光的短波长和近紫外区(0.30.30.45m0.45m)响应率最高,长波限在响应率最高,长波限在0.65m0.65m附近;光照灵敏度附近;光照灵敏度60A/lx60A/lx,量,量子效率子效率30%30%,暗电流,暗电流1010-16-16A/cmA/cm2 21 1、单碱或多碱锑化物光电阴极、单碱或多碱锑化物光电阴极二、光电发射阴极材料二、光电发射阴极材料4.1 4.1 光电发
10、射阴极光电发射阴极 当金属锑与几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应度,当金属锑与几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应度,其中有双碱、三碱和四碱等,统称多碱锑化物光电阴极。其中有双碱、三碱和四碱等,统称多碱锑化物光电阴极。(2 2)多碱锑化物多碱锑化物 NaNa2 2KSbKSb:光谱响应与:光谱响应与CsSbCsSb相近;峰值波长相近;峰值波长0.4m0.4m;量子效率;量子效率25%25%;光照灵敏度;光照灵敏度50A/lm50A/lm。特点是特点是耐高温耐高温,工作温度可达,工作温度可达150150度,可用于石油勘探等场合;度,可用于石油勘探等场合;热电子发射小热电子发射小,室温下约为
11、,室温下约为1010-17-171010-18-18A/cmA/cm2 2,可用于光子计数。,可用于光子计数。1 1、单碱或多碱锑化物光电阴极、单碱或多碱锑化物光电阴极二、光电发射阴极材料二、光电发射阴极材料4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 (2 2)多碱锑化物多碱锑化物 NaNa2 2KSbKSb(CsCs):锑钾钠铯阴极是三碱阴极中最有实用价值的一):锑钾钠铯阴极是三碱阴极中最有实用价值的一种。它从种。它从紫外到近红外紫外到近红外的光谱区都具有较高的量子效率,典型光的光谱区都具有较高的量子效率,典型光照灵敏度为照灵敏度为150A/lm150A/lm;长波限;长波限850nm850n
12、m;热电子发射;热电子发射1010-14-141010-1616A/cmA/cm2 2,工作稳定性好。,工作稳定性好。2 2、银氧铯(、银氧铯(Ag-O-CsAg-O-Cs)阴极)阴极二、光电发射阴极材料二、光电发射阴极材料4.1 4.1 光电发射阴极光电发射阴极 1934 1934年研制的第一支红外变年研制的第一支红外变象管就采用这种阴极,是最早出象管就采用这种阴极,是最早出现的实用光电阴极。它的特点是现的实用光电阴极。它的特点是对近红外辐射灵敏。对近红外辐射灵敏。银氧铯光电阴极的相对光谱响应曲线有银氧铯光电阴极的相对光谱响应曲线有两个峰值两个峰值,一个在,一个在350 350 nmnm处,
13、一个在处,一个在800nm800nm处。光谱范围在处。光谱范围在300nm300nm到到1200nm1200nm之间。量子效率之间。量子效率不高,峰值处约不高,峰值处约0.5%0.5%1%1%左右。银氧铯使用温度可达左右。银氧铯使用温度可达100100,但暗,但暗电流较大,且随温度变化较快。电流较大,且随温度变化较快。真空光电管主要由真空光电管主要由光电阴极光电阴极和和阳极阳极两部分组成,因管内常两部分组成,因管内常被抽成真空而称为被抽成真空而称为真空光电管真空光电管。一、真空光电管一、真空光电管4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 一、真空光电管一
14、、真空光电管4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、充气型光电管的工作原理、充气型光电管的工作原理 有时为了使某种性能提高,在管壳内也充入某些低气压惰有时为了使某种性能提高,在管壳内也充入某些低气压惰性气体形成性气体形成充气型的光电管充气型的光电管。这类管子体积较大,工作电压高达百伏到数百伏,玻璃外壳容易破碎,它的一般应用目前已基本被半导体光电器件代替。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管
15、的工作原理 光电倍增管是一种建立在光电倍增管是一种建立在光电效应光电效应、二次电子发射二次电子发射和和电子电子光学理论光学理论基础上的,把微弱入射光转换成光电子,并获得倍增基础上的,把微弱入射光转换成光电子,并获得倍增的重要的真空光电发射器件。的重要的真空光电发射器件。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 1 1、光电倍增管的工作原理、光电倍增管的工作原理 光电倍增管主要由光电倍增管主要由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍光入
16、射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极增极和和阳极阳极等部分组成。等部分组成。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(1 1)入射窗结构)入射窗结构 光电倍增管按进光的方式分通常有光电倍增管按进光的方式分通常有侧窗侧窗和和端窗端窗两种形式。侧两种形式。侧窗型光电倍增管是通过管壳的侧面接收入射光,而端窗式光电倍窗型光电倍增管是通过管壳的侧面接收入射光,而端窗式光电倍增管是通过管壳的端面接收入
17、射光。增管是通过管壳的端面接收入射光。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(1 1)入射窗结构)入射窗结构 侧窗式光电倍增管一般使用侧窗式光电倍增管一般使用反射式反射式光电阴极,而且大多数采光电阴极,而且大多数采用鼠笼式倍增极结构。用鼠笼式倍增极结构。侧窗式光电倍增管侧窗式光电倍增管二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Mult
18、iple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(1 1)入射窗结构)入射窗结构 端窗式光电倍增管通常使用端窗式光电倍增管通常使用半透明半透明光电阴极,光电阴极材料光电阴极,光电阴极材料沉积在入射窗的内侧面。一般半透明光电阴极的灵敏度、均匀性沉积在入射窗的内侧面。一般半透明光电阴极的灵敏度、均匀性比反射式阴极好,而且阴极面可以做成各种大小。比反射式阴极好,而且阴极面可以做成各种大小。端窗式光电倍增管端窗式光电倍增管二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubeP
19、hoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(1 1)入射窗结构)入射窗结构1 1)硼硅玻璃:透射光谱范围从)硼硅玻璃:透射光谱范围从300nm300nm到红外,不适合作紫外辐射到红外,不适合作紫外辐射窗口材料,能较好地应用于闪烁计数;窗口材料,能较好地应用于闪烁计数;2 2)透紫外玻璃:紫外波段的截止波长约)透紫外玻璃:紫外波段的截止波长约185nm185nm;3 3)熔融石英:透紫外波长可达)熔融石英:透紫外波长可达160nm160nm,只能做管子的头;,只能做管子的头;4
20、 4)蓝宝石;)蓝宝石;5 5)氟化镁。)氟化镁。常用窗口材料常用窗口材料二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(2 2)电子光学系统)电子光学系统二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管
21、的结构(2 2)电子光学系统)电子光学系统 电子光学系统是指光电阴极至第一倍增极之间的区域。电子电子光学系统是指光电阴极至第一倍增极之间的区域。电子光学系统在结构上主要由光学系统在结构上主要由聚焦电极聚焦电极和和偏转电极偏转电极组成。组成。电子光学系统的作用:电子光学系统的作用:(1 1)使光电阴极发射的光电子尽可能多的会聚到第一倍增极上,)使光电阴极发射的光电子尽可能多的会聚到第一倍增极上,而将其他部分的杂散热电子散射掉,提高信噪比;而将其他部分的杂散热电子散射掉,提高信噪比;(2 2)光电阴极各部分发射的光电子到达第一倍增极所经历的时)光电阴极各部分发射的光电子到达第一倍增极所经历的时间尽
22、可能一致,保证光电倍增管的快速响应。间尽可能一致,保证光电倍增管的快速响应。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(2 2)电子光学系统)电子光学系统电子收集率电子收集率0 0达到达到85%85%以上;以上;渡越时间的离散性渡越时间的离散性tt是指阴极面上是指阴极面上各点所发射的光电子达到第一倍增各点所发射的光电子达到第一倍增极上各处时产生的时间差,约为极上各处时产生的时间差,约为10n
23、s10ns。光电阴极光电阴极金属导金属导电层电层带孔膜片带孔膜片第一倍增极第一倍增极二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(3 3)电子倍增极)电子倍增极 二次电子发射:具有足够动能的电子轰击某些材料时,材料二次电子发射:具有足够动能的电子轰击某些材料时,材料表面将发射新的电子,这种现象称为表面将发射新的电子,这种现象称为二次电子发射二次电子发射。倍增极材料倍增极材料 通常把二次发射的电
24、子数通常把二次发射的电子数N2N2与入射的一次电子数与入射的一次电子数N1N1的比值定的比值定义为倍增极材料的义为倍增极材料的发射系数发射系数21NN二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(3 3)电子倍增极)电子倍增极 二次电子发射步骤:二次电子发射步骤:材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激发材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激发电子称为内二次电子;
25、电子称为内二次电子;内二次电子中初速度指向表面的那一部分向表面运动,在运动过内二次电子中初速度指向表面的那一部分向表面运动,在运动过程中因散射而损失能量;程中因散射而损失能量;如果达到界面的内二次电子仍有足以克服表面势垒的能量,即逸如果达到界面的内二次电子仍有足以克服表面势垒的能量,即逸出表面成为二次电子。出表面成为二次电子。二、光电倍增管(二、光电倍增管(PMTPMT,Photo Multiple TubePhoto Multiple Tube)4.2 4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理真空光电管与光电倍增管的工作原理 2 2、光电倍增管的结构、光电倍增管的结构(3 3)电子倍增极)电
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